AI 需求持续推动内存超级周期

据 Bernstein 于 2026 年 7 月 8 日发布的《全球存储月度报告》称，全球存储器半导体行业仍稳固地处于由长期需求驱动的扩张周期之中。Bernstein 认为，这并非短暂的周期性反弹，而是当前内存牛市可能延续至 2027 年，原因在于人工智能基础设施投资加速，以及持续的供给约束。

市场概览

近期的定价趋势继续强化行业强劲势头。

在 2026 年第二季度，传统 DRAM 合同价的平均水平预计较 2026 年第一季度上涨约 74%。

需求在 AI 相关基础设施领域尤其强劲。

本季度服务器 DRAM 价格上涨约 60% 至 67%，而移动 DRAM 价格攀升至接近 80%。

现货市场活动同样保持积极。

PC DRAM 现货价格环比上涨 5.6% 至 11.5%，而服务器 DRAM 现货价格上涨约 6.1% 至 26.4%，反映持续的供给偏紧。

NAND 市场

NAND 细分领域继续呈现相似的动能。

预计 2026 年第二季度 NAND 合同价将环比上升约 65% 至 70%，主要由企业级 SSD 需求以及移动 NAND 存储解决方案拉动。

据 Bernstein 分析师 Li 称，服务器 DRAM 和企业级 SSD（eSSD）的需求保持足够强劲，使整体市场供应仍受到约束。

混合的定价信号

尽管合同价强劲，Bernstein 也指出了数个需要密切观察的领域。

服务器 DDR5 内存模块的现货价格环比下跌约 6.7%，而 NAND 硬片现货价格也下滑约 7%。

合同定价与现货市场之间的这种背离表明，OEM 厂商和模组生产商已开始减少采购，因为更高的合同价压缩利润空间并削弱终端用户需求。

这是否仅是暂时的调整，还是行业更广泛的需求趋于常态的开始，仍是一个重要问题。

UBS 展望

并非所有研究机构都持谨慎解读。

在 7 月初的一份研究更新中，UBS 大幅上调了其 DRAM 价格预期。

该行预计 2026 年第三季度 DRAM 价格将环比增长约 32%，此前预期为 17%，随后在 2026 年第四季度还将继续增长 18%。

UBS 同时预计 DRAM 供应状况至少要到 2028 年第二季度前仍将受限，并预计 2027 年期间需求将比可用供应高出约 17 个百分点。

行业供给

供给状况继续支撑更广泛的投资论点。

包括 Micron 和 SK Hynix 在内的主要制造商已确认，其 2026 年的产能大部分已经被预订，具有实质意义的产能扩张预计主要发生在 2027 年。

SK Hynix 目前约控制全球高带宽内存（HBM）市场的 58%，其最近已于 7 月 11 日完成美国 ADR 上市，进一步增强其国际市场影响力。

从估值角度看，SK Hynix 目前的市盈率约为 17.01，而 Micron 为 36.37；同时，Micron 股价在过去三年中累计上涨约 1,570%。

市场表现

半导体板块在 6 月下旬经历了显著回调。

iShares 半导体 ETF 从历史高点回落约 16%，而整个半导体市场总市值萎缩近 270 亿美元（相当于 2.7 万亿美元）。

尽管出现回撤，长期表现依然异常强劲。

PHLX 半导体指数今年迄今继续上涨约 99%，过去十二个月上涨 157%。

Bernstein 认为，近期下跌主要是估值调整，而非行业需求走弱的证据。

AI 基础设施展望

内存周期持续提供全球人工智能投资最清晰的指标之一。

DRAM 和 NAND 定价的持续上升，印证超大规模云服务提供商仍在以激进节奏扩张数据中心基础设施。

对于数字资产投资者而言，这一趋势也支撑围绕 AI 主题区块链项目、GPU 相关生态以及 AI 代理开发的更广泛投资主题。

如果如 Bernstein 所预测的那样，内存牛市继续延续至 2027 年，那么对 AI 基础设施的持续投入，很可能仍将是支撑半导体制造商以及新兴 AI 驱动型数字生态系统的决定性技术趋势之一。

重点关注指标

DRAM 合同价。

NAND 合同价。

服务器 DRAM 需求。

HBM 产能。

AI 基础设施资本开支。

2027 年的半导体库存扩张。

市场展望

Bernstein 最新研究表明，全球内存行业已进入一个更为坚实的结构性阶段：驱动因素是持续的人工智能需求，而非传统的周期性复苏。

尽管短期的价格波动和估值回调仍有可能发生，但持续的供给约束、超大规模投资的扩大以及强劲的企业需求支持这样的观点：内存半导体超级周期可能会延续到远超 2026 年的时间范围。

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square