Bernstein 预测内存牛市将延续至 2027：AI 需求持续重塑半导体行业

市场概览

全球内存半导体周期可能远未结束。

据 Bernstein 的一份里程碑式研究报告，目前的内存牛市预计将持续至 2027 年，背后是由加速的人工智能基础设施投资所驱动的前所未有的供需错配。

Bernstein 并不将当前周期视为短暂的复苏，而是认为结构性 AI 需求正在营造一种与以往半导体景气上行周期截然不同的环境。

AI 基础设施正在改变内存需求

Bernstein 展望的主要驱动力是 AI 计算基础设施的快速扩张。

一个 Nvidia Vera Rubin NVL72 机架目前正在由包括 Microsoft、Google 和 Amazon 在内的主要超大规模云服务商部署，其中约包含 20.7 TB 的 HBM4 内存，以及 54 TB 的 LPDDR5X 内存。

按当前市场价格计算，该机架所用的内存组件成本已超过 200 万美元。

基于 Bernstein 对 2027 年的定价预测，这一成本可能接近翻倍，意味着在单一产品代际中内存成本每机架的预计涨幅为 435%。

内存价格继续上行

近期的定价趋势仍在支撑 Bernstein 的看涨判断。

该公司 2026 年 Q2 的行业跟踪显示，DRAM 和 NAND 的合同价格上升幅度均超过此前预期。

预计企业 SSD 需求以及更强的移动端 NAND 消费将推动 NAND 合同价格环比上升约 65–70%。

与此同时，服务器 DRAM 与企业存储的持续需求仍在让多类产品供应受限。

HBM 定价进入新阶段

行业中最重要的进展之一涉及高带宽内存（HBM）。

由于 HBM 的定价历来通过年度合同协商，因此其价格相对保持稳定，而自 2025 年 Q3 以来，传统 DRAM 价格已上涨约 4.5 倍。

因此，半导体制造商目前在用于标准 DRAM 的晶圆产能上所产生的收入大约是 HBM 的 2 倍，毛利也接近 HBM 的 3 倍。

在 2026 年 Q1 的财报电话会议上，三星和美光均确认，相比 HBM，非 HBM 的 DRAM 已变得更有利可图，且盈利差距仍在继续拉大。

Bernstein 预计 HBM 价格将大幅上涨

为恢复盈利能力，Bernstein 预计将进行大幅的价格调整。

该公司预计 2027 年平均 HBM 价格可能会上涨 2 至 2.5 倍。

即便在这些涨幅之后，HBM 盈利能力仍预计将低于传统 DRAM，但差距将显著缩小。

SK Hynix 也表示，它打算在 HBM 与传统 DRAM 之间采取最优配置策略，而不是单纯最大化短期收入，在权衡盈利能力的同时兼顾 AI 基础设施的长期扩张。

内存龙头的财务前景

Bernstein 的长期财务预测同样引人注目。

该公司预计行业领先制造商在 2027 年的股本回报率（ROE）将达到异常强劲的水平：

- 三星：55%
- SK Hynix：108%
- 美光：85%

现金创造能力也预计将加速提升，Bernstein 估计到 2027 年，这些公司届时的现金余额可能约占账面价值的 70–80%。

基于这些预测，该研究机构认为传统的市净率（price-to-book）估值模型正变得不再那么有用，并且越来越倾向于采用远期市盈率（forward price-to-earnings）指标。

更高的盈利预期

Bernstein 已上调三大内存制造商的目标价。

其对 2027 年每股收益（EPS）的预测仍显著高于当前市场预期：

- 三星：较一致预期高 26%
- SK Hynix：较一致预期高 32%
- 美光：较一致预期高 38%

随着未来数月年度 HBM 价格谈判逐步结束，Bernstein 预计更广泛的分析师一致预估将上调，可能为半导体估值提供额外支撑。

AI 基础设施的成本上升

报告还强调了超大规模云服务商面临的日益加重的财务负担。

Bernstein 估计，仅为消化更高的内存成本，数据中心资本开支可能就需要增加约 30%。

为维持其目标 75% 的毛利率，预计 Nvidia 将把相当一部分上涨的 HBM 成本转嫁给云基础设施提供商，从而进一步推高 AI 部署的总成本。

最终展望

Bernstein 的分析表明，当前内存周期不仅仅代表传统意义上的半导体复苏。

相反，人工智能基础设施正在形成持续的结构性需求，而现有的制造产能难以迅速满足。

如果这些预测被证明准确，内存牛市可能将继续成为截至 2027 年最强的长期投资主题之一：伴随持续的定价走强、盈利能力扩张以及 AI 基础设施支出上升来支撑行业下一阶段的增长。

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
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