英特尔专利曝光新型XBM内存架构,拟绕开HBM硅中介层降低AI内存成本

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火星财经消息 7月8日消息,英特尔一项近日公开的专利申请显示,公司正研发名为XBM(Cross-Batch Memory)的新型高带宽内存架构,旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制,降低先进封装成本并缓解AI芯片“内存墙”瓶颈。专利显示,XBM采用后端晶体管(BEOL)DRAM堆叠设计,可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性,并支持缺陷修复以提高良率。(广角观察)
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