TL;DR · 高盛转引 TrendForce 预计，3Q26 传统 DRAM 均价环比再涨 13%-18%。 · PC 和服务器 DRAM 仍受低库存、供给偏紧预期和 DDR5 溢价支撑。 · NAND 三季度预计涨 10%-15%，低于高盛对三星 21% 的价格假设。
高盛 6 月 30 日发布的韩国科技存储跟踪报告转引 TrendForce 预测称，2026 年三季度传统 DRAM 均价将环比上涨 13%-18%，但 NAND 均价涨幅为 10%-15%，低于高盛对三星电子 NAND 价格环比上涨 21% 的模型假设。
对投资者来说，关键不是「存储又涨价」，而是哪一类存储还能继续推高三星电子、SK 海力士等厂商的利润预期。DRAM 价格仍在跟上高盛对三星的假设，NAND 也在涨，但涨幅已经不如更乐观的盈利模型。
这份跟踪报告给出的信号很直接：三季度 DRAM 涨价仍有支撑，尤其是 PC 和服务器端；NAND 内部开始分化，企业级 SSD 仍强，消费端移动 NAND 更温和。三星仍受益于存储上行，但 NAND 部分的盈利弹性可能被打折。
DRAM 是这份报告里最强的主线。
高盛转引 TrendForce 预计，2026 年三季度传统 DRAM 均价环比上涨 13%-18%，基本贴合高盛对三星传统 DRAM 价格环比上涨 16% 的预测。在前期大幅涨价之后，DRAM 并没有立刻降温。
PC DRAM 的涨幅最直观。二季度 PC DRAM 价格已环比上涨 45%-50%，三季度预计继续上涨 15%-20%。报告给出的解释是，PC OEM 库存偏低，即使内存和其他零部件价格已经上涨，厂商仍愿意维持采购节奏，并继续向供应商争取更多货源。
背后的担忧是 2027 年整体 DRAM 供应可能偏紧。对下游厂商来说，如果现在少买，后续可能面对更贵的价格，或者更难拿到货。涨价本身没有立即压制采购，反而强化了一部分提前锁货需求。
6 月价格也能看出这种变化。高盛报告图表显示，DDR4 8GB 价格环比基本持平在 119 美元，DDR5 8GB 价格从 112 美元升至 115 美元，环比上涨 3%。DDR5 相对 DDR4 的折价从此前缩小 3 个百分点至 3%，新一代产品价格正在追上旧规格。
DDR5 8GB PC 模组相对 DDR4 折价 6 月缩小 3 个百分点至 3%。
服务器 DRAM 的价格信号更强。
二季度服务器 DRAM 价格已经环比上涨 53%-58%，三季度预计再涨 13%-18%，与高盛对三星服务器 DRAM 价格环比上涨 14% 的预测基本一致。
高盛报告图表显示，6 月 DDR4 64GB 服务器模组价格维持在 1,127 美元，DDR5 64GB 服务器模组价格环比上涨 9% 至 1,380 美元。更关键的是，DDR5 相对 DDR4 的溢价从 5 月的 12% 升至 22%。
这说明服务器端涨价不只是传统产品跟随上涨，DDR5 等更高规格产品正在拿到更高溢价。AI 服务器、通用服务器升级和数据中心采购，对高容量、高带宽内存的需求仍在支撑价格。
对三星和 SK 海力士这类存储厂商来说，服务器 DRAM 价格持续上涨，比消费电子端价格反弹更重要。服务器产品价格高、需求更集中，通常对利润率改善更敏感。只要服务器端采购没有明显放缓，DRAM 价格上行仍有利润传导空间。
现货和合约价之间的关系也在提供支撑。高盛报告图表显示，DDR5 16Gb 现货价格较最新合约价溢价 17%，DDR4 8Gb 现货价格较最新合约价溢价 38%。现货高于合约，通常意味着短期供应仍偏紧，或买方愿意为即时交付支付更高价格。
DDR5 16Gb 现货较最新合约价溢价 17%，显示短期价格仍有支撑。
NAND 的故事没那么顺。
高盛转引 TrendForce 预计，2026 年三季度 NAND 均价环比上涨 10%-15%，低于高盛对三星 NAND 价格环比上涨 21% 的估计。结合 TrendForce 此前公开口径中一、二季度 NAND 价格的大幅上行，三季度涨价仍在继续，但强度已不如前期。
这不是说 NAND 价格转跌，而是涨幅低于更乐观的盈利假设。对三星来说，如果 DRAM 符合预期、NAND 低于预期，存储业务整体仍然向上，但利润上修空间会被 NAND 拖住一部分。
NAND 内部也有分化。企业级 SSD 仍然强，三季度 eSSD 价格预计环比上涨 18%-23%。这部分需求受数据中心和企业存储支撑，价格韧性更好。
消费端更温和。eMMC/UFS 价格预计仅上涨 5%-10%。这些产品更多面向智能手机、消费电子和嵌入式设备，供应商对消费端客户采取更克制的涨价策略，以避免破坏终端市场和供应链稳定。
这也是 NAND 不及高盛假设的主要原因：企业级产品涨得动，但消费端涨价幅度不够高，拉低整体 NAND 均价弹性。
高盛维持三星电子买入评级，普通股 12 个月目标价为 480,000 韩元。支撑这一判断的仍是存储价格上行，尤其是 DRAM 价格与其对三星的预测基本一致。
但这份价格跟踪也提醒市场，不同存储品类的利润传导并不一样。DRAM 更接近「继续涨价」的主线，NAND 则是「仍在涨，但低于最乐观预期」。
这会影响投资者看三星盈利修复的节奏。如果三季度实际价格更接近 TrendForce 区间，DRAM 业务可能继续兑现较强利润弹性；但 NAND 若停留在 10%-15% 的涨幅，市场对三星存储业务的上修空间会更谨慎。
风险边界也很清楚。存储供需一旦明显恶化，涨价逻辑会被削弱；如果智能手机利润率大幅收缩，消费端存储涨价空间会受限；如果移动 OLED 市场份额流失，三星非存储业务也可能拖累整体估值。
这份报告最重要的结论不是「存储全面走强」，而是更细的分化：三季度 DRAM 涨价仍在延续，服务器端尤其强；NAND 也涨，但涨幅已经降温。对三星而言，这仍是利好，只是利好没有 DRAM 价格数字看上去那么完整。
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高盛解读韩国存储：DRAM强于NAND，三星存储涨价故事开始分化
高盛 6 月 30 日发布的韩国科技存储跟踪报告转引 TrendForce 预测称，2026 年三季度传统 DRAM 均价将环比上涨 13%-18%，但 NAND 均价涨幅为 10%-15%，低于高盛对三星电子 NAND 价格环比上涨 21% 的模型假设。
对投资者来说，关键不是「存储又涨价」，而是哪一类存储还能继续推高三星电子、SK 海力士等厂商的利润预期。DRAM 价格仍在跟上高盛对三星的假设，NAND 也在涨，但涨幅已经不如更乐观的盈利模型。
这份跟踪报告给出的信号很直接：三季度 DRAM 涨价仍有支撑，尤其是 PC 和服务器端；NAND 内部开始分化，企业级 SSD 仍强，消费端移动 NAND 更温和。三星仍受益于存储上行，但 NAND 部分的盈利弹性可能被打折。
DRAM 二季度跳涨后，三季度还在涨
DRAM 是这份报告里最强的主线。
高盛转引 TrendForce 预计，2026 年三季度传统 DRAM 均价环比上涨 13%-18%，基本贴合高盛对三星传统 DRAM 价格环比上涨 16% 的预测。在前期大幅涨价之后，DRAM 并没有立刻降温。
PC DRAM 的涨幅最直观。二季度 PC DRAM 价格已环比上涨 45%-50%，三季度预计继续上涨 15%-20%。报告给出的解释是，PC OEM 库存偏低，即使内存和其他零部件价格已经上涨，厂商仍愿意维持采购节奏，并继续向供应商争取更多货源。
背后的担忧是 2027 年整体 DRAM 供应可能偏紧。对下游厂商来说，如果现在少买，后续可能面对更贵的价格，或者更难拿到货。涨价本身没有立即压制采购，反而强化了一部分提前锁货需求。
6 月价格也能看出这种变化。高盛报告图表显示，DDR4 8GB 价格环比基本持平在 119 美元，DDR5 8GB 价格从 112 美元升至 115 美元，环比上涨 3%。DDR5 相对 DDR4 的折价从此前缩小 3 个百分点至 3%，新一代产品价格正在追上旧规格。
服务器 DRAM 更强，DDR5 溢价升到 22%
服务器 DRAM 的价格信号更强。
二季度服务器 DRAM 价格已经环比上涨 53%-58%，三季度预计再涨 13%-18%，与高盛对三星服务器 DRAM 价格环比上涨 14% 的预测基本一致。
高盛报告图表显示，6 月 DDR4 64GB 服务器模组价格维持在 1,127 美元，DDR5 64GB 服务器模组价格环比上涨 9% 至 1,380 美元。更关键的是，DDR5 相对 DDR4 的溢价从 5 月的 12% 升至 22%。
这说明服务器端涨价不只是传统产品跟随上涨，DDR5 等更高规格产品正在拿到更高溢价。AI 服务器、通用服务器升级和数据中心采购，对高容量、高带宽内存的需求仍在支撑价格。
对三星和 SK 海力士这类存储厂商来说，服务器 DRAM 价格持续上涨，比消费电子端价格反弹更重要。服务器产品价格高、需求更集中，通常对利润率改善更敏感。只要服务器端采购没有明显放缓，DRAM 价格上行仍有利润传导空间。
现货和合约价之间的关系也在提供支撑。高盛报告图表显示，DDR5 16Gb 现货价格较最新合约价溢价 17%，DDR4 8Gb 现货价格较最新合约价溢价 38%。现货高于合约，通常意味着短期供应仍偏紧，或买方愿意为即时交付支付更高价格。
NAND 还在涨，但追不上高盛的三星假设
NAND 的故事没那么顺。
高盛转引 TrendForce 预计，2026 年三季度 NAND 均价环比上涨 10%-15%，低于高盛对三星 NAND 价格环比上涨 21% 的估计。结合 TrendForce 此前公开口径中一、二季度 NAND 价格的大幅上行，三季度涨价仍在继续，但强度已不如前期。
这不是说 NAND 价格转跌，而是涨幅低于更乐观的盈利假设。对三星来说，如果 DRAM 符合预期、NAND 低于预期，存储业务整体仍然向上，但利润上修空间会被 NAND 拖住一部分。
NAND 内部也有分化。企业级 SSD 仍然强，三季度 eSSD 价格预计环比上涨 18%-23%。这部分需求受数据中心和企业存储支撑，价格韧性更好。
消费端更温和。eMMC/UFS 价格预计仅上涨 5%-10%。这些产品更多面向智能手机、消费电子和嵌入式设备，供应商对消费端客户采取更克制的涨价策略，以避免破坏终端市场和供应链稳定。
这也是 NAND 不及高盛假设的主要原因：企业级产品涨得动，但消费端涨价幅度不够高，拉低整体 NAND 均价弹性。
三星仍被看好，但利好没有 DRAM 数字那么完整
高盛维持三星电子买入评级，普通股 12 个月目标价为 480,000 韩元。支撑这一判断的仍是存储价格上行，尤其是 DRAM 价格与其对三星的预测基本一致。
但这份价格跟踪也提醒市场，不同存储品类的利润传导并不一样。DRAM 更接近「继续涨价」的主线，NAND 则是「仍在涨，但低于最乐观预期」。
这会影响投资者看三星盈利修复的节奏。如果三季度实际价格更接近 TrendForce 区间，DRAM 业务可能继续兑现较强利润弹性；但 NAND 若停留在 10%-15% 的涨幅，市场对三星存储业务的上修空间会更谨慎。
风险边界也很清楚。存储供需一旦明显恶化，涨价逻辑会被削弱；如果智能手机利润率大幅收缩，消费端存储涨价空间会受限；如果移动 OLED 市场份额流失，三星非存储业务也可能拖累整体估值。
这份报告最重要的结论不是「存储全面走强」，而是更细的分化：三季度 DRAM 涨价仍在延续，服务器端尤其强；NAND 也涨，但涨幅已经降温。对三星而言，这仍是利好，只是利好没有 DRAM 价格数字看上去那么完整。
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