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三星HBM4E良率超过70%，新一代DRAM工艺D1d力争11月获得量产准备批准
空投黑洞
2026-07-01 06:51:55
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7月1日，三星电子宣布在HBM4E（第七代）和下一代DRAM的开发中取得进展，此前三星已全球率先量产HBM4（第六代）。三星DS部门CTO兼半导体研究所所长宋在赫在6月30日的内部业务更新会议上表示，HBM4E的可靠性测试良率已超过70%。业界普遍认为，良率超过80%意味着进入稳定的“成熟良率”阶段，因此超过70%的良率被视为开发进入稳定区间的信号。三星今年2月开始量产HBM4，并于5月29日公开发布了HBM4E 12层产品的详细技术规格，向关键客户发送样品。HBM4将用于英伟达计划于今年下半年推出的AI加速器Vera Rubin，而HBM4E预计将用于英伟达明年推出的下一代AI加速器Vera Rubin Ultra。三星下一代DRAM工艺的开发也进展顺利。宋在赫认为D1d工艺技术与竞争对手相比具有竞争优势，目标是在11月前获得量产批准。D1d是三星计划从下一代HBM5（第八代）开始应用的核心DRAM工艺，如果开发按计划进行，将对下一代DRAM及后续HBM5产品的竞争力产生积极影响。（Fnnews）
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