三大内存厂三星、SK 海力士与美光于 6 月 25 日在美国加州北区联邦法院遭到消费者提起集体诉讼。诉状指控三大厂合谋限制 DRAM 供应、人为制造短缺以哄抬价格。
内存价格飙涨狂潮终于引爆法律战火，三大内存厂三星（Samsung）、SK 海力士（SK hynix）与美光（Micron）于 6 月 25 日在美国加州北区联邦法院遭到消费者提起集体诉讼。诉状指控三大厂合谋限制 DRAM 供应、人为制造短缺以哄抬价格，导致过去四年商用 DRAM 价格暴涨近 700%，诉状更直接以「RAMpocalypse（内存末日）」形容这次危机的严重程度。
诉状指控：以转向 HBM 为借口，刻意压低传统 DRAM 产能
根据诉状内容，原告主张三星、SK 海力士与美光凭借其在全球 DRAM 市场的领先地位，协同推动产能转向 AI 服务器所需的高频宽内存（HBM），并以此战略转型为掩护，刻意削减 DDR3、DDR4 等传统商用内存规格的产能。诉状认为，这种看似顺应市场趋势的产能调整，实质上是三大厂合谋操控供给、创造人为稀缺以拉抬价格的手段。这次诉讼旨在代表所有在近期价格飙升期间，购买含商用 DRAM 产品的消费者与企业，向三家公司求偿。
诉状并引用 Apple 近期的全面性涨价作为佐证，显示内存成本上涨已直接冲击终端消费电子产品的定价，影响范围从科技供应链延伸至个人消费者。
据悉，此案原告名单以中小企业与个人为主，显示这波涨价压力已直接冲击到依赖内存零部件营运的中小企业。
历史前科再被搬上台面：三大厂并非首次涉入价格操纵争议
为强化「合谋模式」的论述，诉状特别引用三大厂过去的反竞争行为纪录。其中三星与 SK 海力士都曾因价格操纵而遭美国司法部（DOJ）开罚，当时合计遭罚 7.31 亿美元，多名高层甚至因此入狱。
三星、SK海力士、美光被告了！遭控联手打造“记忆体末日”炒作价格
三大内存厂三星、SK 海力士与美光于 6 月 25 日在美国加州北区联邦法院遭到消费者提起集体诉讼。诉状指控三大厂合谋限制 DRAM 供应、人为制造短缺以哄抬价格。
内存价格飙涨狂潮终于引爆法律战火，三大内存厂三星（Samsung）、SK 海力士（SK hynix）与美光（Micron）于 6 月 25 日在美国加州北区联邦法院遭到消费者提起集体诉讼。诉状指控三大厂合谋限制 DRAM 供应、人为制造短缺以哄抬价格，导致过去四年商用 DRAM 价格暴涨近 700%，诉状更直接以「RAMpocalypse（内存末日）」形容这次危机的严重程度。
诉状指控：以转向 HBM 为借口，刻意压低传统 DRAM 产能
根据诉状内容，原告主张三星、SK 海力士与美光凭借其在全球 DRAM 市场的领先地位，协同推动产能转向 AI 服务器所需的高频宽内存（HBM），并以此战略转型为掩护，刻意削减 DDR3、DDR4 等传统商用内存规格的产能。诉状认为，这种看似顺应市场趋势的产能调整，实质上是三大厂合谋操控供给、创造人为稀缺以拉抬价格的手段。这次诉讼旨在代表所有在近期价格飙升期间，购买含商用 DRAM 产品的消费者与企业，向三家公司求偿。
诉状并引用 Apple 近期的全面性涨价作为佐证，显示内存成本上涨已直接冲击终端消费电子产品的定价，影响范围从科技供应链延伸至个人消费者。
据悉，此案原告名单以中小企业与个人为主，显示这波涨价压力已直接冲击到依赖内存零部件营运的中小企业。
历史前科再被搬上台面：三大厂并非首次涉入价格操纵争议
为强化「合谋模式」的论述，诉状特别引用三大厂过去的反竞争行为纪录。其中三星与 SK 海力士都曾因价格操纵而遭美国司法部（DOJ）开罚，当时合计遭罚 7.31 亿美元，多名高层甚至因此入狱。
2005 年，三星便因 1999 年 4 月至 2002 年 6 月期间从事 DRAM 价格操纵行为，被美国司法部处以 3 亿美元的刑事罚款。当年受害的主要对象包括 Dell、Apple Computer、IBM 与 Gateway 等PC大厂，而美光、海力士、Infineon 与 Elpida 等厂商同样牵涉其中。这段历史纪录，如今成为原告律师团建构「累犯」论述的重要依据。
不过，本次案件与 2005 年的情况存在关键差异：这次确实存在因 AI 需求暴增而导致的真实供需失衡，并非单纯凭空捏造的短缺假象。三大厂也均声称正积极兴建新厂并扩充产线，以应对这波需求浪潮。
厂商高喊「新常态」惹议，机构警告涨势恐持续至 2027 年
诉讼爆发的同时，市场上已出现许多「内存价格将长期维持高位」的论述，Lenovo 等厂商近期便公开警告业界正进入内存价格「新常态」。然而，这类说法的时机与动机也引发外界质疑。若消费者预期明年价格将回落，自然会延后采购决策；反之，若厂商成功塑造「涨价已成定局」的市场预期，便能促使消费者及早下单，对厂商营收显然更为有利。
尽管动机备受质疑，但多家机构的预测确实不容乐观。Jefferies 预估，2026 年第三季内存价格将较当前季度再上涨 40% 至 50%，第四季则将续涨 30% 至 40%；展望 2027 年，全年涨幅预期将达 40% 至 45%，价格恐要等到 2028 年才会出现实质缓和。
短缺与诉讼双重压力下，消费者恐成最大牺牲品
随着 DRAM 制造商陆续与云端服务商、AI 服务器厂等策略性大客户签订多年期供货协议，产能优先流向高利润的 AI 相关订单已成为产业常态，这也使得标准消费市场，也就是一般 PC、笔电与消费电子产品所需的传统内存，所能分配到的供给量进一步遭到压缩。
在 AI 需求攀升、厂商产能调配策略，以及这场集体诉讼所牵动的法律风险等多重因素交织下，内存产业的供需失衡与价格争议，预期将持续成为未来多年科技业的关注焦点。