三星与SK海力士砸2,000兆韩元建晶圆厂!未来10年豪赌半导体,光州成最大赢家

三星与SK集团准备在未来十年投入2,000兆韩元(约1.3兆美元),打造韩国西部半导体超级集群。
(前情提要:DRAM 准备暴涨!三星罢工投票结束,现在买黄金不如买内存?)
(背景补充:GraniteShares 将推美股首档「SK 海力士 2 倍杠杆 ETF」,代码 $SKUU 曝光)

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  • 投资分布:光州、忠清南道、忠清北道三大据点
  • 韩国股市的「先跌后涨」逻辑
  • 台湾角度:同样的半导体豪赌,不同的出厂牌
  • 时间轴与产业影响

三星集团与SK集团准备在近期公布一项庞大投资计划——未来十年内,两家企业合计将在韩国本土投入高达2,000兆韩元(约1.3兆美元),大规模扩建半导体制造能力。

这项投资规模创下韩国企业史上的最高纪录,也是韩国总统李在明旗舰产业战略的核心支柱。《韩国经济日报》2026年6月29日率先报道,两家巨头将各自在光州地区建设4至5座半导体工厂,打造韩半岛西部的「半导体超级集群」。

投资分布:光州、忠清南道、忠清北道三大据点

根据报道,两家巨头的投资部署如下:

  • 三星电子:光州4至5座晶圆厂、忠清南道封装厂
  • SK海力士:光州4至5座晶圆厂、忠清北道NAND扩厂

光州同时成为两家巨头的兵家必争之地,意味着未来十年该地区将迎来前所未有的半导体产能扩张。分析师指出,光州得天独厚的地理位置与政府补贴政策,使其成为韩国西部半导体走廊的核心枢纽。

韩国股市的「先跌后涨」逻辑

投资信息公布前夕,KOSPI 综合指数一度下跌逾3%,三星电子与SK海力士分别下跌约5%与4.5%。市场解读为「大型投资计划预示产能扩张,短期资本支出增加将拖累获利」。但首尔 NH 投资证券指出,本次投资的受益板块不仅限于半导体本身——特种电力装置、电网基建、建筑工程三大产业链将直接受惠。

尤金证券分析师 Huh Jae-Hwan 表示:「韩国本土股市的核心问题是除半导体外缺乏具竞争力的替代赛道。这次大型产业项目正好填补了这一缺口。」截至目前,KOSPI 今年已上涨约 93%。

台湾角度:同样的半导体豪赌,不同的出厂牌

台湾半导体产业同样处于产能扩张周期。台积电 2026 年资本支出达 1.6 兆新台币(约 510 亿美元),三星与 SK 海力士各自十年 1,000 兆韩元(约 650 亿美元)的投资规模,已逼近台积电五年投资总额。若将两家合并计算,2,000 兆韩元的总额甚至超过台积电十年投资计划。

这反映出全球内存市场的竞争逻辑——三星与 SK 海力士合计占全球 DRAM 市占率逾 70%、NAND 市占率逾 50%。要维持领先优势,持续的资本支出是唯一选项。而这次「千亿级」投资计划,也意味着两家公司将在资源更集中投向先进制程与 HBM(高频宽内存)领域。

时间轴与产业影响

本次投资计划的公布时间点值得关注——6月29日正值四大央行(美联储、欧洲央行、英国央行、加拿大央行)聚首辛特拉论坛的前夕,全球市场焦点高度集中。三星与 SK 集团选择此时宣布,有意识地将韩国半导体扩张与全球货币政策叙事连结在一起。

对台湾投资人而言,这也提供了观察韩国半导体供应链的切入点。光州与忠清道的新厂建设,意味着未来两三年的建筑工程、装置安装、电力基础设施需求将大幅攀升。若台湾装置供应商能切入供应链,这波投资潮同样是实质利多。

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