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史上最大 ADR 上市案!SK 海力士擬赴美上市籌資 294 億鎂,重金擴產 NVIDIA AI 晶片
据外媒 24 日报道,身为英伟达(NVIDIA)核心供应商的全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士(SK hynix),宣布计划通过发行美股存托凭证(ADR)在纳斯达克上市,目标筹资高达 294 亿美元。此举有望打破阿里巴巴的历史纪录,所得资金将全部投入 AI 芯片与高频宽存储器(HBM)的产能扩建。
(前情提要:太疯狂!彭博分析师:香港「2 倍做多 SK 海力士 ETF」规模暴增 10 倍,单日交易量破 10 亿美元)
(背景补充:SK 海力士 Q1 盈利率 72%,创半导体产业史上最高单季纪录)
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全球人工智能(AI)浪潮持续带动硬件军备竞赛,身为英伟达(NVIDIA)高频宽存储器(HBM)核心供应商的 SK 海力士(SK hynix),正准备在资本市场投下一颗震撼弹。根据外媒于 2026 年 6 月 24 日的最新报道,SK 海力士计划通过发行美股存托凭证(ADR)在纳斯达克(Nasdaq)挂牌上市,预计吸金规模高达 294 亿美元。
挑战史上最大上市案,预计 7 月纳斯达克敲钟
报道指出,本次 SK 海力士预计的筹资规模高达 45.45 兆韩元(约合 294 亿至 297 亿美元),这不仅将大幅超越中国电商巨头阿里巴巴于 2014 年创造的 218 亿美元纪录,更有望成为全球史上最大规模的 ADR 上市案。本次发行阵容豪华,由美国银行(BofA)、花旗集团、高盛与摩根大通等华尔街顶级投行共同主导承销,并预计最快于 2026 年 7 月 10 日正式在 Nasdaq 开始交易。
在具体发行细节方面,SK 海力士计划发行 1779 万股新股作为 ADR 的基础,每股 ADR 暂定价为 255,500 韩元(兑换比例为 10 股 ADR 对应 1 股普通股),实际募资总额与最终定价将在簿记建档(Bookbuilding)完成后敲定。
294 亿美元重押 AI,全面扩充 HBM 与先进封装
针对这笔庞大资金的用途,SK 海力士明确表示将「全部」投入于 AI 相关芯片的产能扩张。具体的战略蓝图包括:在韩国京畿道龙仁市(Yongin)兴建半导体集群第一厂、在忠清北道清州市(Cheongju)打造名为 P&T7 的先进封装厂,并大举采购极紫外光(EUV)微影设备等先进的芯片制造设施。
随着 AI 芯片需求呈指数级增长,SK 海力士亟需庞大的资本支撑其扩产计划。市场分析认为,赴美发行 ADR 将有助于 SK 海力士吸引全球机构投资人与 ETF 的被动资金流入,进而推动股价重新估值(Rerating),并在与美光(Micron)等对手的激烈竞争中取得资本与市占率的双重优势。
深化美国 AI 生态布局,股价狂飙 280% 逼宫三星
凭借着 AI 芯片的强劲动力,SK 海力士自今年初以来的股价已狂飙逾 280%,成为推动韩国 Kospi 指数上涨的绝对主力。本周,其市值甚至一度短暂超越科技巨头三星电子(Samsung Electronics),跃升为韩国市值最大的企业。
业内人士指出,SK 海力士此次叩关纳斯达克,不仅是为了解决资本支出的渴求,更是其深化美国 AI 生态布局的关键一步。这种从芯片制造、技术研发延伸至资本市场的全面绑定策略,宛如 1990 年代艾司摩尔(ASML)与台积电(TSMC)成功打入美国资本市场的历史翻版,预示着全球半导体版图正迎来新一轮的洗牌。