2026-10-13 22:13:17
Longxi Storage宣布将在年底前推出4F² DDR5 RDIMM,但瑞穗称其不会对Micron和Samsung构成威胁
据瑞穗 TMT 分析师 Jordan Klein 透露,Longxi Storage 宣布计划于 2026 年底前推出采用 4F² 内存单元设计的 DDR5 RDIMM 内存模组。与当前的 6F² 设计相比,该设计可将内存单元面积缩小约三分之一。不过,Klein 在提交给客户的报告中表示,这一公告并未改变他对美光科技、闪迪、SK 海力士或三星电子的短线投资展望。Klein 列出了这项技术不会构成即时竞争威胁的七个原因,并指出:“产品公告无法证实其制造成熟度、良率或成本竞争力。”他强调,Longxi 尚未披露经验证的良率、客户验证结果或商业规模出货承诺。Klein 还指出,该产品针对的是传统服务器 DRAM,而非 AI 加速器所使用的高带宽内存(HBM),因此对 AI 基础设施扩张的近期影响有限。