Intel рассматривает архитектуру двустороннего питания для техпроцесса 1,4 нм, чтобы догнать TSMC и Samsung.

BlockBeats сообщает, 5 июля, Intel рассматривает возможность использования архитектуры, которая одновременно использует подачу питания с передней и задней стороны в сверхтонком процессе 1,4 нм, чтобы догнать конкурентов. Отраслевые источники сообщают, что Intel изначально планировала использовать специальную технологию подачи питания с обратной стороны PowerDirect в базовом процессе 1,4 нм 14A, но в последующем процессе 14A2 рассматривает внедрение архитектуры Dual side, которая использует как переднюю, так и заднюю сторону.

Intel ранее объявила планы, что на процессе 14A плотность чипов будет в 1,3 раза выше, чем на 18A; шаг M0 для процесса 14A составляет около 28 нм, а для процесса 14A2 возможно улучшение полуузла, продвигающее шаг M0 до 21 нм. Intel, сохраняя сеть подачи питания с обратной стороны в качестве основной, перераспределит часть передней металлической разводки для использования в качестве вспомогательного питания и сигналов Clock, чтобы компенсировать недостаток запаса мощности, вызванный масштабированием и ограничениями экспозиции.

Процесс Intel 14A планируется ввести в рисковое производство в 2028 году, а в массовое производство — в 2029 году. Intel необходимо выпустить для внешних клиентов версию 0.9 набора средств проектирования процесса (PDK) для процесса 14A в октябре этого года и получить твердые заказы от крупных заказчиков без фабрик в течение последующих 18 месяцев. Для сравнения, TSMC уже планирует отгрузку настоящих готовых изделий A14 на 1,4 нм в 2028 году, а Samsung Electronics также планирует коммерциализацию в 2027 году улучшенного процесса 2 нм SF2Z с использованием технологии подачи питания с обратной стороны.