🚨Корейские СМИ сообщают, что китайская компания CXMT в настоящее время тестирует пилотную производственную линию для bonded DRAM в Хэфэе, стремясь достичь высокопроизводительной DRAM без использования EUV-литографии.


Bonded DRAM — это технология, при которой массив ячеек памяти и периферийные схемы изготавливаются на отдельных пластинах, а затем соединяются вместе. Такой подход позволяет производить ультравысокоплотную DRAM, используя только глубокую ультрафиолетовую (DUV) литографию с многократным патернированием, что исключает необходимость в EUV-оборудовании.
Samsung Electronics разрабатывает собственную bonded DRAM в рамках проекта "B1b", а SK hynix работает над аналогичной технологией. Однако корейские СМИ предупреждают, что существуют оценки, согласно которым CXMT может в настоящее время опережать своих корейских конкурентов как в самой технологии, так и в скорости разработки.
Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
  • Награда
  • комментарий
  • Репост
  • Поделиться
комментарий
Добавить комментарий
Добавить комментарий
Нет комментариев
  • Закреплено