CICC: ключевые полупроводниковые устройства третьего поколения, вероятно, продолжат выигрывать от модернизации систем, связанных с электропитанием центров обработки данных.

robot
Генерация тезисов в процессе
中金指出,在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后,高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下,2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为,SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级,SiC有望统领机房侧(灰区)应用,而GaN有望在机柜内(白区)大规模渗透,从灰、白区分界线形成“SiC左,GaN向右”的市场格局,共同受益于数据中心电源方案迭代。
Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
  • Награда
  • комментарий
  • Репост
  • Поделиться
комментарий
Добавить комментарий
Добавить комментарий
Нет комментариев
  • Закреплено