Samsung HBM4E достигла выхода 70%, разработка памяти седьмого поколения для ИИ входит в стабильную фазу.

robot
Генерация тезисов в процессе
金色财经报道,7月1日,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS(器件解决方案)部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛,而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时,他在同一场合透露,下一代10纳米级第七代DRAM工艺(D1d)在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势,并计划于今年11月完成生产准备认证(PRA)。
Посмотреть Оригинал
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
  • Награда
  • комментарий
  • Репост
  • Поделиться
комментарий
Добавить комментарий
Добавить комментарий
Нет комментариев
  • Закреплено