[Exclusive] Samsung достигает 70% выхода годных на HBM4E… Всеми силами за лидерство в HBM

Компания Samsung Electronics, после начала массового производства памяти HBM4 (шестое поколение) с высокой пропускной способностью первой в мире, теперь демонстрирует ощутимые результаты в разработке HBM4E (седьмое поколение) и DRAM следующего поколения. Сон Чже Хёк, технический директор Samsung Electronics и глава Исследовательского центра полупроводников, недавно заявил на внутреннем совещании руководства, что выход годных при испытаниях надежности HBM4E превысил 70 процентов, а также что процесс DRAM следующего поколения с топологией 10-нм седьмого поколения (D1d) обеспечил преимущество перед конкурентами. На этом основании ожидается, что Samsung Electronics продолжит ускорять усилия по укреплению своей конкурентоспособности в области памяти для ИИ следующего поколения.
По данным полупроводниковой отрасли от 1-го числа, Сон, как сообщается, заявил на внутреннем совещании руководства подразделения Device Solutions (DS), состоявшемся 30 июня, что «выход годных по результатам испытаний надежности HBM4E превысил 70 процентов». В отрасли обычно считается, что выход годных 80 процентов и выше — это стадия «зрелого выхода», на которой процесс считается стабильным. Учитывая, что HBM4E все еще находится на стадии испытаний надежности, уровень выше 70 процентов рассматривается как показатель того, что разработка входит в стабильный диапазон.
Samsung Electronics первой в отрасли начала массовые поставки HBM4 в феврале этого года, а 29 мая раскрыла подробные технические характеристики своего 12-слойного продукта HBM4E и отправила образцы основным заказчикам. HBM4 будет установлен на ускорителе ИИ Nvidia «Vera Rubin», запуск которого запланирован на вторую половину года, а HBM4E, преемник HBM4, планируется установить в ускорителях ИИ следующего поколения, таких как «Vera Rubin Ultra», которые Nvidia намерена запустить в следующем году. Отрасль считает, что разработка для массового производства идет гладко, поскольку оценка образцов основными заказчиками продвигается вперед.
Разработка процесса DRAM следующего поколения также, как сообщается, идет хорошо. Сон оценил, что конкурентоспособность технологии процесса D1d опережает конкурентов, и объяснил, что разработка ведется с целью получения разрешения на готовность к производству (PRA) в ноябре. PRA — это финальный этап внутренней оценки качества, проводимый перед отгрузкой продукта. Это процедура, которая комплексно проверяет выход, производительность и продуктивность, чтобы определить, возможно ли массовое производство, и ее прохождение позволяет полностью перейти к системе массового производства.
В частности, D1d — это ключевой процесс DRAM, который Samsung Electronics планирует применять, начиная с HBM5 следующего поколения (восьмое поколение). Отрасль ожидает, что если разработка D1d пойдет по плану, это окажет положительное влияние не только на DRAM следующего поколения, но и на конкурентоспособность HBM5 и последующих продуктов. Поскольку результаты разработки HBM4E и стабилизация процесса D1d сходятся вместе, считается, что технологическая конкурентоспособность Samsung Electronics в гонке памяти для ИИ следующего поколения еще больше укрепится.
Тем временем, после совещания внутри организации НИОКР также возникли жалобы на роль и структуру вознаграждения сотрудников. Сообщается, что члены организации высказали мнение, что вклад НИОКР должен признаваться более активно. Ранее трудовой коллектив и руководство Samsung Electronics договорились установить «специальную премию за результаты управления» для подразделения DS, финансируемую за счет 10,5 процентов бизнес-результатов (операционной прибыли). Однако даже внутри одного подразделения DS разрыв в премиях между бизнесом памяти и общими подразделениями, включая исследовательский центр, а также подразделениями немemory (System LSI и Foundry) велик, и призывы к улучшению структуры вознаграждения становятся все громче.