Toshiba представляет 80V N-канальный силовой MOSFET TPM1R408RH, изготовленный по технологии U-MOS11-H.

Посмотреть Оригинал
GateNews
Toshiba запускает 80V N-канальный силовой MOSFET TPM1R408RH с использованием процесса U-MOS11-H
Как сообщает Jin10, Toshiba 30 июня объявила о запуске TPM1R408RH, 80-вольтового N-канального силового MOSFET, изготовленного с использованием технологии процесса U-MOS11-H последнего поколения. Новое устройство предназначено для импульсных источников питания в центрах обработки данных ИИ и на базовых станциях телекоммуникаций. Поставки начались сразу после объявления.
На этой странице может содержаться сторонний контент, который предоставляется исключительно в информационных целях (не в качестве заявлений/гарантий) и не должен рассматриваться как поддержка взглядов компании Gate или как финансовый или профессиональный совет. Подробности смотрите в разделе «Отказ от ответственности» .
  • Награда
  • комментарий
  • Репост
  • Поделиться
комментарий
Добавить комментарий
Добавить комментарий
Нет комментариев
  • Закреплено