HBM: «Золотая память» при узком месте вычислительной мощности ИИ, рост рынка на 58% и инвестиционная логика 2026 года

2026年6月22日，韩国资本市场迎来历史性一刻——SK海力士（000660.KS）盘中股价涨至295万韩元，市值触及208.1万亿韩元，首次超越三星电子（005930.KS）的207.3万亿韩元，打破了三星连续26年稳坐韩国市值头把交椅的纪录。这一里程碑的背后，是一场由生成式AI驱动的存储芯片产业权力重构。而这场重构的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。

过去两年间，几乎所有关于AI算力的讨论都围绕着GPU展开。英伟达的芯片供不应求、台积电的先进制程产能满载，这些故事已被反复讲述。但在GPU的光环之下，一个更为隐蔽、也更为关键的瓶颈正在悄然收紧——HBM。没有足够的高带宽内存，再强大的算力芯片也只能空转。

2026年，HBM正从半导体产业的一个细分品类，跃升为决定AI基础设施扩张速度的战略性稀缺资源。本文将从技术原理、市场逻辑、竞争格局与投资标的四个维度，系统拆解HBM为何成为AI时代的“黄金内存”。

HBM技术原理：破解“内存墙”的3D堆叠革命

要理解HBM为何如此重要，首先需要回到一个基础问题：现代计算架构中，处理器与存储器之间的速度差距正在不断拉大。CPU或GPU的计算速度每18至24个月翻一番，但内存的带宽提升速度却远远跟不上。这一矛盾被称为“内存墙”（Memory Wall）——算力再强，如果数据无法及时送达，芯片只能空转等待。

HBM正是为解决这一瓶颈而生。它是一种高性能内存架构，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并使用穿透硅通孔（TSV）技术实现芯片之间的高速互联。简单来说，传统内存是将DRAM芯片平铺在电路板上，数据通过有限的引脚传输；而HBM将DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装，再通过数千条微细通道同时传输数据，带宽远超传统DDR内存。

HBM的独特设计使其拥有前所未有的带宽密度。以最新的HBM4为例，JEDEC于2025年4月发布的官方规范显示，HBM4的接口宽度翻倍至2,048位，单堆栈带宽可达每秒2 TB。三星量产的HBM4采用12层堆叠方案，单颗堆栈基础容量36 GB，引脚传输速率13 Gbps，单堆栈总带宽可达3.3 TB/s。

正是这种“高带宽+低功耗”的特性，使HBM成为AI训练与推理场景中不可替代的核心组件。大语言模型动辄数千亿参数，每一次前向与反向传播都需要在处理器与内存之间交换海量数据——只有HBM能够提供足够的带宽来支撑这一过程。

市场爆发：从134亿到546亿美元的跳跃

HBM市场的扩张速度，正在重新定义整个存储芯片行业的增长曲线。

根据Stratistics MRC的数据，2026年全球HBM市场规模预计将达到134亿美元，并在预测期内以34.1%的复合年增长率成长，到2034年有望达到1,410亿美元。而另一组来自SEMI的数据更为激进——SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成份额。

两组数据口径不同，但指向同一个结论：HBM正以远超传统半导体品类的速度扩张。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球半导体市场总规模将达到9,750亿美元。而存储器2026年同比增长约250%，市场规模突破8,000亿美元。HBM正是存储器板块中增长最快、利润率最高的细分赛道。

这一增长的核心驱动力来自AI基础设施的持续扩张。2026年全球AI基础设施支出将达到4,500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%。AI模型正从训练阶段向推理和代理式AI演进，这意味着对高性能存储的需求不仅没有放缓，反而在持续扩大。

供需失衡：产能售罄与结构性缺口

与市场规模同步攀升的，是日益严峻的供需失衡。

尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增或可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%至60%。2025年HBM缺口率达45%，2026年依旧维持43.5%的高位。机构测算显示，2026年全球DRAM供需缺口约7%、HBM缺口约6%，且紧缺态势持续加剧，2027年DRAM与HBM缺口将扩大至9%。

更值得关注的是，三大原厂2026年的全部HBM产能早已经被下游客户全年锁定，不少核心客户甚至已将产能锁定至2028年。美光管理层在2026财年第三季度财报中公开确认，公司仅能满足客户实际需求的约50%至66%。高盛预计，存储市场供应短缺情况将持续至2028年。

这种供需失衡并非短期脉冲，而是由多重结构性力量共同驱动的结果。需求端，AI模型的参数规模持续膨胀、推理需求的崛起构成了刚性支撑；供给端，TSV工艺的复杂性、先进封装的良率爬坡、以及设备交付周期等物理约束，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。国际投行普遍认为，HBM供不应求是至少三年级别的产业趋势。

三巨头争霸：SK海力士、三星与美光的权力游戏

HBM市场的竞争格局，正形成以SK海力士、三星电子与美光科技为核心的寡头结构。

SK海力士是目前HBM市场的绝对领先者。TrendForce数据显示，在2026年全球HBM生产位元占比中，SK海力士约占50%，三星约占28%，美光约占22%。Counterpoint Research的预测则更为细化，预计SK海力士2026年在HBM4市场的占有率约为54%，三星为28%，美光约为18%。这一领先地位直接反映在资本市场——SK海力士2026年第一季度营收达52.58万亿韩元，同比增长198%、环比增长60%，单季营收首次突破50万亿韩元。瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元，经营利润达286万亿韩元。

三星则在经历HBM3E认证和供货节奏的波折后，正借助HBM4实现强势反攻。2026年2月12日，三星在韩国忠南天安园区完成HBM4的全球首发并启动大规模量产出货，仅约四个月后累计销售额便突破10亿美元，成为全球存储行业内首家达成这一里程碑的厂商。若以6月底为统计节点，HBM4累计销售额预计将超过12亿美元。三星计划在2026年底前将1c DRAM工艺节点月产能提升至约15万片，用于HBM4的量产。

美光虽然份额相对较小，但增速惊人。2026财年第三季度（截至5月31日），美光营收达414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%，调整后每股收益25.11美元，同比增长1,215%。美光HBM4 12层产品量产爬坡速度达到HBM3E 12层版本的两倍，公司已累计交付超过10亿美元的HBM4收入。美光管理层判断，HBM供需紧张将持续至2027年以后。

整体DRAM市场方面，三星仍保持着综合优势。2026年第一季度，三星DRAM营收达373.2亿美元，环比增长93.4%，市占率38.5%排名第一；SK海力士营收279.8亿美元，环比增长62.5%，市占率28.8%。这一对比清晰地表明：SK海力士的市值超越并非建立在整体DRAM市场的全面压倒之上，而是源于HBM这一高利润细分市场的绝对统治力所带来的估值溢价。

HBM产业链上的投资机会

HBM的超级周期正在沿产业链自上而下传导，为不同环节的投资标的创造了差异化机会。

第一梯队：三大存储原厂。 SK海力士、三星电子与美光科技凭借技术垄断和产能稀缺，赚取了产业链中的绝大部分超额利润，毛利率突破70%甚至80%。这三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。

第二梯队：先进封装与封测。 HBM产能扩张直接拉动了先进封装需求。A股市场中，长电科技、通富微电、华天科技等封测龙头被市场资金聚焦。此外，半导体设备企业如北方华创、中微公司也受益于全球存储扩产带来的资本开支上行。

第三梯队：国内存储芯片与材料企业。 在全球DRAM与NAND供应持续紧张的背景下，国内存储芯片厂商迎来了国产替代的窗口期，兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等受到市场关注。6月以来，A股算力硬件概念股平均上涨19.05%。

第四梯队：HBM设备与材料。 包括HBM设备（万润、弘塑）、封测（力成、京元电）以及AI服务器（广达、纬创、纬颖）等细分环节。

加密行业的映射：HBM与数字资产的间接关联

对于加密行业从业者与投资者而言，HBM的景气周期同样值得关注——虽然HBM与加密资产分属不同赛道，但两者之间存在清晰的逻辑传导链条。

首先，AI算力基础设施的扩张直接推动了对GPU的需求，而GPU正是HBM的最大采购方。英伟达作为全球最大的HBM采购方，其芯片的产能与出货节奏直接影响着HBM的供需平衡。加密 mining 行业作为GPU的重要下游市场之一，同样受到这一供应链动态的间接影响——当AI算力需求挤占GPU产能时，加密 mining 硬件的获取成本与难度随之上升。

其次，HBM三巨头的股价表现已成为衡量AI基础设施投资热度的风向标。2026年6月，Gate正式上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT在平台内交易美光、三星电子、SK海力士等主流证券市场的股票与ETF资产。这意味着加密投资者可以通过这一通道，直接参与HBM超级周期的投资机会。

截至2026年6月26日，比特币报价约59,592美元，较2025年10月的历史高点126,223美元已下跌超过52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市场整体承压的背景下，HBM产业链的独立景气周期为投资者提供了跨资产类别的配置视角——传统半导体硬件的结构性短缺与超额利润，与加密资产的周期波动形成了某种程度的对冲关系。

结语：HBM不是泡沫，是物理定律

HBM的火热并非资本市场凭空制造的题材。它的底层逻辑建立在三个不可回避的物理与产业现实之上：AI模型参数量的指数级增长对内存带宽提出了刚性需求；TSV 3D堆叠工艺的复杂性使得产能释放天然缓慢；而全球具备HBM量产能力的企业仅有SK海力士、三星与美光三家。

这不是一个可以无限复制的故事。生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍。一座2nm晶圆厂的建设成本已超250亿美元。这些数字背后是实实在在的物理约束与资本门槛——它们构成了HBM供给端最坚固的护城河，也决定了这一轮“内存黄金时代”的持续时间不会短暂。

高盛等多家投行给出的结论高度一致：这场“内存荒”绝非短期脉冲，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。对于投资者而言，理解HBM不仅是为了把握一个投资赛道，更是为了理解AI时代底层基础设施的运行逻辑——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是喂饱算力的那条“数据管道”。

FAQ

1. HBM和传统内存有什么区别？

HBM通过TSV硅通孔技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，实现远超传统DDR内存的带宽密度。传统内存为平面布局，数据传输通道有限；HBM的接口宽度可达2,048位，单堆栈带宽突破2 TB/s。HBM主要面向AI训练、高性能计算等带宽密集型场景，而传统内存更适用于通用计算与消费电子。

2. 为什么HBM产能这么紧张？

三大原因：第一，生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍；第二，TSV工艺与先进封装的良率爬坡缓慢，设备交付周期长；第三，全球仅三家厂商具备量产能力，2026年产能已全部售罄。三重约束叠加，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。

3. HBM相关股票有哪些？

三大存储原厂：SK海力士（000660.KS）、三星电子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵盖先进封装（长电科技、通富微电、华天科技）、半导体设备（北方华创、中微公司）、存储芯片（兆易创新、北京君正）等环节。

4. HBM的高毛利能持续多久？

三大原厂毛利率已突破70%甚至80%。美光管理层判断HBM供需紧张将持续至2027年以后。高盛预计供应短缺将持续至2028年。只要AI基础设施资本开支不减速，HBM的高毛利周期就有望延续。

5. 加密投资者如何参与HBM行情？

Gate已上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT交易美光、三星电子、SK海力士等股票与ETF资产。此外，HBM的供需变化将沿GPU产业链传导至加密资产挖矿设备领域，为跨资产配置提供间接的参考信号。22 июня 2026 года на фондовом рынке Южной Кореи наступил исторический момент: цена акций SK Hynix (000660.KS) в ходе торгов выросла до 2,95 млн вон, а рыночная капитализация достигла 208,1 трлн вон, впервые превзойдя Samsung Electronics (005930.KS) с её 207,3 трлн вон, тем самым был побит рекорд Samsung, которая 26 лет подряд занимала первое место на южнокорейском рынке по капитализации. За этой вехой стоит перестройка индустрии чипов памяти, движимая генеративным ИИ. А ключевым героем этой перестройки является HBM (High Bandwidth Memory — память с высокой пропускной способностью).

За последние два года почти все обсуждения вычислительных мощностей ИИ вращались вокруг GPU. Чипы Nvidia пользуются повышенным спросом, передовые производственные мощности TSMC загружены до предела — эти истории уже не раз рассказывали. Но под сиянием GPU затягивается ещё один, более скрытый и более критический узкий участок — HBM. Без достаточного объёма высокоскоростной памяти даже самые мощные вычислительные чипы будут простаивать.

В 2026 году HBM превращается из узкой категории полупроводниковой промышленности в стратегически дефицитный ресурс, определяющий скорость расширения инфраструктуры ИИ. Эта статья системно разберёт, почему HBM становится «золотой памятью» эпохи ИИ, с четырёх сторон: технический принцип, рыночная логика, конкурентная структура и инвестиционные объекты.

Технический принцип HBM: 3D-революция для преодоления «стены памяти»

Чтобы понять, почему HBM так важен, нужно вернуться к фундаментальной проблеме: в современных вычислительных архитектурах разрыв в скорости между процессором и памятью постоянно увеличивается. Вычислительная скорость CPU или GPU удваивается каждые 18–24 месяца, но скорость роста пропускной способности памяти значительно отстаёт. Это противоречие называют «стеной памяти» (Memory Wall): как бы ни была мощна вычислительная мощность, если данные не могут быть вовремя доставлены, чип просто простаивает в ожидании.

HBM создан именно для решения этого узкого места. Это высокопроизводительная архитектура памяти, в которой несколько чипов DRAM вертикально укладываются друг на друга, а между ними используется технология сквозных кремниевых переходов (TSV) для высокоскоростного соединения. Проще говоря, традиционная память размещает чипы DRAM горизонтально на плате, и данные передаются через ограниченное количество выводов; HBM же упаковывает чипы DRAM вертикально, как «пирамиду», а затем передаёт данные одновременно через тысячи микроскопических каналов, обеспечивая гораздо более высокую пропускную способность, чем традиционная DDR-память.

Уникальная конструкция HBM обеспечивает беспрецедентную плотность пропускной способности. Например, в последней спецификации HBM4, опубликованной JEDEC в апреле 2025 года, ширина интерфейса увеличена вдвое до 2048 бит, а пропускная способность одного стека может достигать 2 ТБ/с. Коммерческая версия HBM4 от Samsung использует 12-слойную укладку, базовая ёмкость одного стека составляет 36 ГБ, скорость передачи по выводам — 13 Гбит/с, общая пропускная способность одного стека может достигать 3,3 ТБ/с.

Именно эти характеристики — высокая пропускная способность и низкое энергопотребление — делают HBM незаменимым ключевым компонентом для обучения и вывода моделей ИИ. Крупные языковые модели оперируют сотнями миллиардов параметров, каждый прямой и обратный проход требует обмена огромными объёмами данных между процессором и памятью — только HBM может обеспечить достаточную пропускную способность для поддержки этого процесса.

Взрыв рынка: скачок с 13,4 до 54,6 миллиардов долларов

Скорость расширения рынка HBM переопределяет кривую роста всей индустрии чипов памяти.

Согласно данным Stratistics MRC, в 2026 году глобальный рынок HBM, по оценкам, достигнет 13,4 миллиарда долларов, а в прогнозный период будет расти с совокупным годовым темпом роста 34,1%, достигнув к 2034 году 141 миллиарда долларов. Другие данные от SEMI ещё более агрессивны: Фэн Ли, президент SEMI China, на SEMICON China 2026 отметила, что в 2026 году рынок HBM вырастет на 58% до 54,6 миллиарда долларов, составляя почти 40% рынка DRAM.

Методологии двух наборов данных различаются, но оба указывают на один вывод: HBM расширяется гораздо быстрее, чем традиционные полупроводниковые категории. Всемирная организация статистики полупроводников (WSTS) прогнозирует, что в 2026 году общий объём мирового рынка полупроводников достигнет 975 миллиардов долларов. При этом рынок памяти в 2026 году вырастет примерно на 250% в годовом исчислении, превысив 800 миллиардов долларов. HBM — это самый быстрорастущий и самый прибыльный сегмент рынка памяти.

Основной движущей силой этого роста является постоянное расширение инфраструктуры ИИ. В 2026 году глобальные расходы на инфраструктуру ИИ достигнут 450 миллиардов долларов, причём доля вычислительных мощностей для вывода впервые превысит 70%. Модели ИИ эволюционируют от этапа обучения к этапу вывода и агентного ИИ, что означает, что спрос на высокопроизводительную память не замедляется, а наоборот, продолжает расти.

Дисбаланс спроса и предложения: распроданные мощности и структурный дефицит

Одновременно с ростом рынка усиливается и всё более серьёзный дисбаланс спроса и предложения.

Хотя три основных производителя — Samsung, SK Hynix и Micron — уже направили 70% новых или перераспределяемых мощностей на HBM, дефицит мощностей HBM по-прежнему составляет от 50% до 60%. В 2025 году уровень дефицита HBM составлял 45%, а в 2026 году он остаётся на высоком уровне в 43,5%. По расчётам аналитических агентств, в 2026 году глобальный разрыв между спросом и предложением DRAM составит около 7%, HBM — около 6%, причём напряжённость продолжает усиливаться, а к 2027 году разрыв DRAM и HBM увеличится до 9%.

Что ещё более примечательно, все мощности HBM трёх основных производителей на 2026 год уже давно законтрактованы клиентами на весь год, а многие ключевые клиенты даже заблокировали мощности до 2028 года. Руководство Micron в отчёте за третий квартал 2026 финансового года публично подтвердило, что компания может удовлетворить только около 50–66% реального спроса клиентов. Goldman Sachs прогнозирует, что дефицит предложения на рынке памяти продлится до 2028 года.

Этот дисбаланс спроса и предложения не является краткосрочным импульсом; он обусловлен сочетанием множества структурных факторов. Со стороны спроса: постоянный рост числа параметров моделей ИИ и рост потребностей в выводе обеспечивают жёсткую поддержку. Со стороны предложения: сложность процесса TSV, медленный рост выхода годных при передовой упаковке, а также физические ограничения, такие как сроки поставки оборудования, означают, что новые мощности начнут поступать не раньше 2028–2029 годов. Международные инвестиционные банки в целом полагают, что превышение спроса над предложением на HBM — это отраслевая тенденция продолжительностью не менее трёх лет.

Битва трёх гигантов: игра власти между SK Hynix, Samsung и Micron

Конкурентная структура рынка HBM формируется как олигополия, ядром которой являются SK Hynix, Samsung Electronics и Micron Technology.

SK Hynix в настоящее время является абсолютным лидером на рынке HBM. По данным TrendForce, в 2026 году доля SK Hynix в мировом производстве HBM в битах составит около 50%, Samsung — около 28%, Micron — около 22%. Прогноз Counterpoint Research ещё более детальный: ожидается, что в 2026 году доля SK Hynix на рынке HBM4 составит около 54%, Samsung — 28%, Micron — около 18%. Это лидерство напрямую отражается на рынке капитала: выручка SK Hynix в первом квартале 2026 года достигла 52,58 трлн вон, что на 198% больше, чем в прошлом году, и на 60% по сравнению с предыдущим кварталом, впервые превысив 50 трлн вон за квартал. UBS прогнозирует общую выручку SK Hynix в 2026 году в 355,1 трлн вон, а операционную прибыль — в 286 трлн вон.

Samsung, пережив трудности с сертификацией HBM3E и поставками, совершает мощное контрнаступление с помощью HBM4. 12 февраля 2026 года Samsung осуществила глобальный дебют HBM4 на своём заводе в Чхонане, провинция Чхуннам, и начала массовое производство и отгрузку; всего через четыре месяца совокупный объём продаж превысил 1 миллиард долларов, что сделало Samsung первым в мире производителем памяти, достигшим этой вехи. Если взять за точку отсчёта конец июня, совокупный объём продаж HBM4, как ожидается, превысит 1,2 миллиарда долларов. Samsung планирует к концу 2026 года увеличить ежемесячную производственную мощность на техпроцессе 1c DRAM примерно до 150 000 пластин для массового производства HBM4.

Хотя доля Micron относительно невелика, её темпы роста поразительны. В третьем квартале 2026 финансового года (закончившемся 31 мая) выручка Micron составила 41,46 миллиарда долларов, что на 346% больше, чем в прошлом году, валовая маржа — 84,9%, скорректированная прибыль на акцию — 25,11 доллара, что на 1215% больше, чем в прошлом году. Скорость наращивания производства 12-слойного HBM4 от Micron вдвое превышает скорость HBM3E 12-слойной версии; компания уже поставила HBM4 на сумму более 1 миллиарда долларов. Руководство Micron считает, что напряжённость со спросом и предложением HBM сохранится и после 2027 года.

На общем рынке DRAM Samsung сохраняет комплексное преимущество. В первом квартале 2026 года выручка Samsung от DRAM достигла 37,32 миллиарда долларов, увеличившись на 93,4% по сравнению с предыдущим кварталом, с долей рынка 38,5%, заняв первое место; выручка SK Hynix составила 27,98 миллиарда долларов, увеличившись на 62,5%, с долей рынка 28,8%. Это сравнение ясно показывает: превосходство SK Hynix по рыночной капитализации основано не на тотальном доминировании на всём рынке DRAM, а на абсолютном господстве в высокоприбыльном сегменте HBM, что привело к премии в оценке.

Инвестиционные возможности в цепочке создания стоимости HBM

Суперцикл HBM передаётся сверху вниз по цепочке создания стоимости, создавая дифференцированные возможности для объектов инвестирования на разных этапах.

Первый эшелон: три основных производителя памяти. SK Hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, благодаря технологической монополии и дефициту мощностей, получают львиную долю сверхприбыли в цепочке, с валовой маржой, превышающей 70% и даже 80%. Эти три компании являются самыми прямыми и ключевыми бенефициарами бума HBM.

Второй эшелон: передовая упаковка и тестирование. Расширение мощностей HBM напрямую стимулирует спрос на передовую упаковку. На A-фондовом рынке такие лидеры упаковки и тестирования, как JCET (长电科技), Tongfu Microelectronics (通富微电) и Huatian Technology (华天科技), привлекают внимание рыночного капитала. Кроме того, компании по производству полупроводникового оборудования, такие как NAURA Technology Group (北方华创) и AMEC (中微公司), также выигрывают от роста капитальных затрат, вызванного глобальным расширением производства памяти.

Третий эшелон: отечественные чипы памяти и материалы. На фоне сохраняющегося дефицита предложения DRAM и NAND в мире отечественные производители чипов памяти получили окно для импортозамещения. GigaDevice (兆易创新), Ingenic Semiconductor (北京君正), Dosilicon (东芯股份) и Puya Semiconductor (普冉股份) находятся в центре внимания рынка. С июня акции концепции вычислительного оборудования для ИИ на A-фондовом рынке выросли в среднем на 19,05%.

Четвёртый эшелон: оборудование и материалы для HBM. Сюда входят такие сегменты, как оборудование для HBM (Wanrun (万润), Hongsu (弘塑)), упаковка и тестирование (Powertech Technology (力成), King Yuan Electronics (京元电)), а также AI-серверы (Quanta Computer (广达), Wistron (纬创), Wiwynn (纬颖)).

Отражение в криптоиндустрии: косвенная связь между HBM и цифровыми активами

Для участников и инвесторов криптоиндустрии цикл подъёма HBM также заслуживает внимания — хотя HBM и криптоактивы относятся к разным сферам, между ними существует чёткая логическая цепочка передачи.

Во-первых, расширение инфраструктуры ИИ напрямую стимулирует спрос на GPU, а GPU являются крупнейшим покупателем HBM. Nvidia, как крупнейший в мире покупатель HBM, своим производством чипов и темпами отгрузки напрямую влияет на баланс спроса и предложения HBM. Крипто-майнинг, как один из важных рынков сбыта GPU, также косвенно подвержен влиянию этой динамики цепочки поставок — когда спрос на вычислительные мощности ИИ оттягивает на себя производство GPU, стоимость и сложность получения оборудования для крипто-майнинга возрастают.

Во-вторых, динамика акций трёх гигантов HBM стала барометром инвестиционной активности в инфраструктуру ИИ. В июне 2026 года Gate официально запустил функцию торговли реальными акциями, позволяющую пользователям напрямую торговать на платформе акциями и ETF основных фондовых рынков, таких как Micron, Samsung Electronics и SK Hynix, используя USDT. Это означает, что криптоинвесторы могут через этот канал напрямую участвовать в инвестиционных возможностях суперцикла HBM.

По состоянию на 26 июня 2026 года биткоин котировался примерно на уровне 59 592 долларов, что более чем на 52% ниже исторического максимума в 126 223 доллара, достигнутого в октябре 2025 года. Эфириум также ослаб до около 1 510 долларов. На фоне общего давления на крипторынок независимый цикл подъёма цепочки создания стоимости HBM предоставляет инвесторам перспективу для распределения между классами активов: структурный дефицит и сверхприбыль в традиционном полупроводниковом оборудовании образуют своего рода хеджирование по отношению к циклическим колебаниям криптоактивов.

Заключение: HBM — это не пузырь, а физический закон

Ажиотаж вокруг HBM не является искусственно созданной темой на рынке капитала. Его основная логика основана на трёх неоспоримых физических и отраслевых реалиях: экспоненциальный рост числа параметров моделей ИИ создаёт жёсткий спрос на пропускную способность памяти; сложность 3D-укладки с использованием TSV делает расширение мощностей естественно медленным; а во всём мире только три компании — SK Hynix, Samsung и Micron — способны на массовое производство HBM.

Это не история, которую можно бесконечно воспроизводить. Для производства HBM требуется в 3–4 раза больше мощностей по пластинам, чем для традиционного DRAM. Строительство завода по производству чипов по техпроцессу 2 нм уже обходится более чем в 25 миллиардов долларов. За этими цифрами стоят реальные физические ограничения и капитальные барьеры — они образуют самый прочный ров со стороны предложения HBM и определяют, что этот «золотой век памяти» не будет коротким.

Выводы Goldman Sachs и ряда других инвестиционных банков едины: этот «голод по памяти» — отнюдь не краткосрочный импульс, структурный дефицит HBM с превышением спроса над предложением продлится как минимум до 2028 года. Для инвесторов понимание HBM — это не просто возможность уловить инвестиционный тренд, а способ понять логику работы базовой инфраструктуры эпохи ИИ: на вершине пирамиды вычислительных мощностей самым дефицитным часто оказывается не сама вычислительная мощность, а тот самый «канал передачи данных», который её питает.

FAQ

1. В чём разница между HBM и традиционной памятью?

HBM с помощью технологии сквозных кремниевых переходов (TSV) вертикально укладывает несколько чипов DRAM, достигая гораздо более высокой плотности пропускной способности, чем традиционная DDR-память. Традиционная память имеет плоскостную компоновку с ограниченными каналами передачи данных; HBM может иметь ширину интерфейса до 2048 бит, а пропускная способность одного стека превышает 2 ТБ/с. HBM в основном ориентирован на сценарии с интенсивным использованием пропускной способности, такие как обучение ИИ и высокопроизводительные вычисления, в то время как традиционная память больше подходит для общих вычислений и потребительской электроники.

2. Почему мощности HBM так ограничены?

Три основные причины: первая — для производства HBM требуется в 3–4 раза больше мощностей по пластинам, чем для традиционного DRAM; вторая — медленный рост выхода годных при процессе TSV и передовой упаковке, а также длительные сроки поставки оборудования; третья — во всём мире только три производителя способны на массовое производство, и на 2026 год все мощности уже распроданы. Сочетание этих трёх ограничений приводит к тому, что новые мощности начнут поступать не раньше 2028–2029 годов.

3. Какие акции связаны с HBM?

Три основных производителя памяти: SK Hynix (000660.KS), Samsung Electronics (005930.KS), Micron Technology (MU.O). Концепции A-фондового рынка, связанные с HBM, охватывают передовую упаковку (JCET (长电科技), Tongfu Microelectronics (通富微电), Huatian Technology (华天科技)), полупроводниковое оборудование (NAURA Technology Group (北方华创), AMEC (中微公司)), чипы памяти (GigaDevice (兆易创新), Ingenic Semiconductor (北京君正)) и другие звенья.

4. Как долго продлится высокая валовая маржа HBM?

Валовая маржа трёх основных производителей уже превысила 70% и даже 80%. Руководство Micron считает, что напряжённость со спросом и предложением HBM сохранится и после 2027 года. Goldman Sachs прогнозирует, что дефицит предложения продлится до 2028 года. Пока капитальные затраты на инфраструктуру ИИ не замедлятся, цикл высокой валовой маржи HBM, вероятно, продолжится.

5. Как криптоинвесторы могут участвовать в бума HBM?

Gate уже запустил функцию торговли реальными акциями, позволяющую пользователям напрямую торговать акциями и ETF таких компаний, как Micron, Samsung Electronics и SK Hynix, используя USDT. Кроме того, изменения в спросе и предложении HBM будут передаваться по цепочке создания стоимости GPU в сферу оборудования для майнинга криптоактивов, предоставляя косвенные сигналы для кросс-классового распределения активов.