Зарабатывая почти 400 миллионов в день, от убытка в 36,6 миллиарда до четвертого места в мире, IPO компании Changxin Technology возобновлено

17 мая, ChangXin Technology обновила свою проспект эмиссии для IPO на научно-техническом сегменте, возобновив проверку листинга.

Самые яркие данные в проспекте — чистая прибыль за первый квартал 2026 года в размере 33,012 миллиарда юаней, что примерно составляет 4 миллиарда юаней в день.

Прибыль за один квартал, приходящаяся на материнскую компанию, уже примерно в 13 раз превышает всю годовую прибыль 2025 года в 1,875 миллиарда юаней.

Три гиганта уступили место на общем рынке

DRAM — самый популярный тип памяти в области чипов хранения данных, а также наиболее быстро растущий сегмент в текущем ценовом росте. Согласно данным TrendForce, в первом квартале 2026 года контрактные цены на DRAM были скорректированы вверх до 93%–98% по сравнению с предыдущим периодом, а движущей силой этого ценового взрыва является HBM — память с высокой пропускной способностью.

Быстрое расширение инфраструктуры AI стимулирует спрос на DRAM в одной стандартной AI-серверной машине достигать 8–10 раз по сравнению с обычным сервером, а для высокопроизводительных хранилищ, таких как HBM, темпы роста спроса значительно превышают показатели общего DRAM.

Samsung, SK Hynix и Micron — три крупнейших игрока на мировом рынке DRAM — перераспределили значительную часть своих мощностей по передовым узлам производства с общего DRAM на HBM. HBM по сути тоже является слоеным видом DRAM, но с более передовым технологическим процессом и более высокой маржой, при этом SK Hynix демонстрирует операционную рентабельность до 72%.

Прямой ценой этого переключения мощностей стало серьезное дефицитное предложение на массовые типы DRAM, такие как DDR4 и DDR5.

Центр мониторинга цен при Государственном комитете по развитию и реформам в феврале этого года подтвердил, что с сентября 2025 по февраль 2026 года мировой рынок памяти продолжает испытывать дефицит, а в январе этого года цены на DRAM достигли рекордных с 2016 года уровней.

Ключевым моментом является то, что линии производства HBM требуют длительного времени на переключение, и к 2025 году три гиганта уже практически полностью сосредоточили свои мощности на HBM, а к 2026 году запасы HBM будут распроданы заранее, и в краткосрочной перспективе это невозможно изменить. Ожидается, что во втором квартале цены на контрактный DRAM останутся на уровне роста 58%–60% по сравнению с предыдущим периодом.

Основной доход компании ChangXin Technology формируется за счет массового DRAM, а бизнес HBM отсутствует. Прибыль этого цикла обусловлена тем, что три гиганта активно уступают часть рынка общего DRAM, чтобы получить более высокую прибыль от HBM.

Мировой четвертый по масштабам производитель мощностей

В этом ценовом взрыве ChangXin Technology достигла значительных успехов благодаря следующим ключевым условиям: почти полная загрузка мощностей, покрытие основных стандартных спецификаций продукции, а также наличие клиентов — ведущих отечественных облачных провайдеров.

На сегодняшний день компания имеет три завода по производству DRAM на 12-дюймовых пластинах в Хефее и Пекине, что делает ее четвертым по величине производителем в мире и лидером в Китае. Согласно проспекту, коэффициент использования мощностей вырос с 87,06% в 2023 году до 95,73% в 2025 году, что свидетельствует о почти полном использовании производственных линий.

В 2025 году доля доходов от DDR-серии составила 31,87%, при этом основной рост обеспечен DDR5, а доля LPDDR — 66,43%, с преобладанием LPDDR5/5X.

В 2025 году валовая прибыльность DDR-серии составила 41,89%, LPDDR — 37,25%, а общая валовая прибыльность бизнеса — 41,02%. В 2023 году валовая прибыльность DDR-серии была отрицательной — 108,76%, что ясно показывает эффект ценового роста.

За период 2023–2025 годов выручка компании составила 9,087 миллиарда, 24,178 миллиарда и 61,799 миллиарда юаней соответственно, с совокупным среднегодовым ростом 160,78%. В первой половине 2026 года прогнозируется выручка в диапазоне 1100–1200 миллиардов юаней, а чистая прибыль — 50–57 миллиардов юаней.

Доля рынка по данным продаж DRAM за четвертый квартал 2025 года — 7,67%, а три крупнейших производителя занимают более 90% мирового рынка, из них Samsung — 36,6%, SK Hynix — 32,9%, Micron — 22,9%.

В первом квартале 2026 года чистая прибыль материнской компании составила 24,762 миллиарда юаней, что уступает только Samsung (около 215 миллиардов юаней), SK Hynix (около 183,7 миллиарда юаней) и Micron (около 93,9 миллиарда юаней) среди ведущих производителей памяти.

Ценовой драйвер прибыли

Текущий рост прибыли в основном обусловлен ценами в отрасли, а не фундаментальной оптимизацией структуры затрат.

DRAM — типичная индустрия с высокими капитальными затратами, где основная статья расходов — амортизация оборудования. Согласно проспекту, в 2025 году амортизационные расходы достигли 24,68 миллиарда юаней, что в 2,3 раза больше, чем в 2023 году.

За период 2023–2025 годов капитальные затраты составляли 43,7 миллиарда, 71,2 миллиарда и 49,7 миллиарда юаней соответственно. К концу 2025 года накопленные убытки достигли 36,65 миллиарда юаней, что связано с высокими амортизационными расходами на ранних этапах масштабного строительства.

Характерной чертой циклической индустрии с тяжелыми активами является то, что при высоких ценах после покрытия фиксированных затрат практически вся дополнительная прибыль превращается в чистую прибыль, что создает высокий рычаг. При снижении цен прибыль быстро исчезает, поскольку фиксированные затраты не уменьшаются.

Исторически каждая волна перенасыщения мощностей у трех гигантов приводила к крупным убыткам всей отрасли. Убытки ChangXin Technology в 2022–2024 годах — прямое следствие предыдущего нисходящего цикла.

Эксперты прогнозируют, что текущий цикл может продлиться до середины 2027 года, поскольку структурное давление на переход с общего DRAM на HBM сохраняется, а три крупнейших производителя сохраняют сдержанность в расширении мощностей общего DRAM.

Однако после 2027 года, если спрос на AI-серверы снизится или три гиганта пересмотрят свои стратегии по расширению мощностей, баланс спроса и предложения может снова нарушиться.

Расширение мощностей и технологические стратегии в рамках цикла

Выбор времени для повторного запуска IPO имеет четкую логику: цикл благоприятен, у компании есть свободный денежный поток, а окно оценки на рынке открыто.

Планируется привлечь 29,5 миллиардов юаней — второй по объему финансирования за всю историю для научно-технического сегмента — средства пойдут на модернизацию производственных линий по выпуску памяти на 7,5 миллиарда, на технологическое обновление DRAM — 13 миллиардов, и на передовые исследования — 9 миллиардов юаней. Основная цель — расширение мощностей, повышение технологического уровня и развитие HBM.

Текущий технологический процесс — 16 нм, при отсутствии EUV-литографов, технологический прогресс остается одним из ключевых ограничений, и разрыв с Samsung и SK Hynix по 12 нм и ниже все еще сохраняется.

Рост производства DDR5 обусловлен технологической итерацией, и к 2026 году доля DDR5 на мировом рынке ChangXin достигла 3,97%. HBM — это продуктовая линейка с наибольшим технологическим разрывом и самой высокой маржой. Samsung и SK Hynix уже запустили массовое производство, Micron — в процессе.

На данный момент ChangXin сосредоточена на массовом производстве DDR4, DDR5 и LPDDR, а образцы HBM3 уже поставляются внутренним клиентам, таким как Huawei. Однако планируется начать массовое производство в конце 2026 года на фабрике в Шанхае, что отстает от передовых технологий отрасли примерно на 2–3 поколения.

TrendForce прогнозирует, что к 2027 году доля HBM в общем доходе от DRAM в мире увеличится с примерно 12% в 2024 году до более 35%. Производители, не способные выпускать HBM, будут терять долю на рынке с высоким ростом.

Это также объясняет, почему в привлечении средств выделено 9 миллиардов юаней на развитие передовых технологий — превращение финансирования рынка в инвестиции в технологический прогресс является одной из ключевых причин повторного запуска IPO именно сейчас.

От участника цикла к глобальному конкуренту

На сегодняшний день отрасль все еще находится в цикле подъема, а ChangXin при полном использовании мощностей и высоких ценах продолжает получать прибыль. После реализации планов по расширению мощностей, этот период станет наиболее уязвимым для рисков снижения цикла.

Omdia прогнозирует, что к 2030 году глобальный рынок DRAM достигнет 571 миллиарда долларов США при среднем годовом CAGR 30,56%, а общий объем рынка продолжит расти, что усилит конкуренцию.

Массовый рынок — это зрелая сфера, тогда как HBM и высокопроизводительные хранилища для AI — это области с высокой добавленной стоимостью. Успех ChangXin в масштабировании HBM3/3E до 2028 года станет ключевым фактором для долгосрочной конкурентоспособности компании.

Глобальный рынок DRAM контролируется тремя иностранными компаниями более тридцати лет, и эта стабильность обусловлена не технологическими проблемами, а высокими требованиями к капиталу, технологической базе и глубине цепочки поставок.

С момента основания в Хефее, когда государственные активы через Hefei Urban Construction получили косвенное участие, компания постоянно участвовала в индустриальных инвестициях. Сегодня, занимая четвертое место в мире и входя в топ-четыре по чистой прибыли за квартал, такие достижения — результат долгосрочных усилий.

Краткосрочная высокая прибыльность связана с циклом, однако для поддержания этой прибыли необходимы постоянные инвестиции в производственные мощности и технологии за последние десять лет.

Для китайской индустрии хранения данных вход в глобальную конкуренцию — лишь первый шаг. Для достижения высокотехнологичных сегментов хранения необходимо дальнейшее прорывное развитие, и именно это определит будущее компании.

Этот IPO — не только источник финансирования, но и важный этап для перехода ChangXin к следующему уровню конкуренции.