SK hynix начала строительство завода по производству HBM в штате Индиана стоимостью более 4 млрд долларов; запуск производства запланирован на 2029 год.
SK Hynix 27 мая по местному времени провела церемонию закладки первого камня на территории Университета Пердью в Уэст-Лафайетте, штат Индиана. В проект будет инвестировано более 4 миллиардов долларов, а предприятие станет первым в США производственным объектом для памяти с высокой пропускной способностью (HBM). Массовое производство HBM следующего поколения планируется начать во второй половине 2029 года. Проект призван укрепить цепочку поставок полупроводников для ИИ в США за счёт интеграции ко
LucasBennett·08-27 23:38
