Южная Корея и Япония представили проекты вертикальной архитектуры HBM, чтобы увеличить пропускную способность памяти для ИИ на 80%
На конференции IEEE/JSAP VLSI 2026 исследовательские команды из UNIST (Южная Корея) и Токийского университета (Япония) независимо объявили о двух новых архитектурах высокопропускной памяти (HBM) — V-Die и MOSAIC. Они переводят чипы DRAM из горизонтальной в вертикальную ориентацию, чтобы улучшить тепловыделение и устранить «узкие места» памяти в AI-чипах. Архитектура UNIST V-Die поворачивает чипы DRAM на 90 градусов и размещает их вертикально с помощью сквозных кремниевых переходов (TSV), освобож
GateNews·07-13 05:17




