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Sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
O primeiro ETF temático do mundo focado exclusivamente em chips de memória, com gestão ativa e forte investimento em três gigantes do setor de armazenamento: Micron, SK Hynix e Samsung Electronics. O foco está em DRAM, memória flash NAND e HBM (memória de alta largura de banda), beneficiando-se diretamente do aumento da demanda por poder computacional em IA e armazenamento de servidores.
Como comprar e utilizar Roundhill Memory ETF (DRAM)
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Troca de moeda fiduciária
Informações básicas e de mercado de Roundhill Memory ETF (DRAM)
Fundamentos
Como funciona o negócio de chips de memória da Micron (MU)? Uma análise dos sistemas de memória DRAM, NAND e IA.Principiante
Atualização abrangente do ciclo de equipamentos de processo de IA: uma análise da cadeia de abastecimento sul-coreana e da estrutura de investimento da Wonik IPSPrincipiante
O papel da SK Hynix na cadeia de abastecimento de IA: desde a NVIDIA até ao ecossistema de centros de dadosIntermediário
Análise de mercado
Porque Está a Goldman Sachs a Apostar num Aumento de Mais 44 % da HBM no Próximo Ano?O inquérito de opinião sobre o mercado de DRAM realizado pela Goldman Sachs em junho mantém-se moderadamente positivo. A empresa reviu em alta, de forma significativa, a sua previsão para o crescimento do preço do HBM da Samsung em 2027, passando de 14 % para 44 %, e sublinha que ainda existe potencial para uma valorização adicional.2026-07-01

HBM vs. DRAM: Porque Dependem os Grandes Modelos de IA Destas Tecnologias?Este artigo analisa a revolução dos chips de armazenamento sob três perspetivas: arquitetura técnica, eficiência de largura de banda e dinâmicas de mercado. Apresenta ainda as estratégias de investimento impulsionadas pelo aumento exponencial da capacidade computacional da inteligência artificial e oferece um guia completo para negociar ações de empresas de chips de armaz2026-06-30

Estratégia de Investimento em Semicondutores Após os Resultados da Micron: Como Escolher entre HBM, DRAM e NAND?Este artigo analisa a lógica de configuração e os limites de risco de três tipos de chips de memória: HBM, DRAM e NAND.2026-06-25

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