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A tecnologia de “memória flash quântica” inventada no nosso país construiu com sucesso uma estrutura “uniﬁcada” em que o dreno-canal-fonte estão em coplanaridade, observando pela primeira vez, de forma nítida em ambiente de temperatura ambiente, o comportamento não volátil de armazenamento de um único eletrão

2026-07-17 01:45:29

Geração de resumo em curso

Notícias da Mars Finance: a equipa de Zhou Peng-Liu Chun Sen do laboratório nacional chave de “Circuitos Integrados e Micro/Nano Electrónica” e do “Instituto de Inovação de Circuitos Integrados e Micro/Nano Electrónica” da Universidade Fudan publicou uma grande conquista na revista Science, na madrugada de 17 de Julho, hora de Pequim. A tecnologia por eles inventada, “Quantum Flash”, construiu com sucesso uma estrutura “de retorno à unidade” (de réplica comum) de dreno-canal-fonte coplanares, observando pela primeira vez, de forma nítida, o comportamento de armazenamento não volátil de um único electrão num ambiente à temperatura ambiente (27℃). Este feito não só rompeu totalmente o entendimento tradicional de que “o armazenamento de um único electrão não pode ser realizado”, como também criou um novo sistema teórico para o armazenamento quântico de um único electrão, estabelecendo uma base teórica essencial para a revolução do poder de computação na era da IA. O estudo aumentou a densidade de informação do armazenamento de carga até ao limite teórico, alcançando “um electrão, um bit”, e forneceu também uma nova base tecnológica para o desenvolvimento de memórias de alta densidade orientadas às necessidades de Inteligência Artificial Geral (AGI). Actualmente, a equipa já interligou de forma sistemática todo o fluxo desde os materiais de base, inovação de dispositivos, até à integração em chips de alta gama e aplicações: “破晓” concretizou uma quebra no desempenho de velocidade de acesso e leitura/escrita, “归壹” resolveu o limite de densidade, e “长缨” concluiu a validação de um protótipo de chip compatível com o processo de silício CMOS existente. (The Paper)

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