SanDisk revela patente de arquitetura de armazenamento e computação 3D: colaboração hierárquica entre HBM e NAND

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Notícias da Mars Finance 22 de junho: A SanDisk revelou recentemente uma patente que mostra uma arquitetura de empilhamento 3D baseada em grãos de armazenamento CBA: integrar chips de cálculo como GPU ou aceleradores de IA diretamente acima das unidades de armazenamento lógico NAND/CMOS, colocando-os em uma camada intermediária, com chips HBM empilhados ao redor. Dentre eles, o HBM é responsável pelo acesso de alta largura de banda e baixa latência, enquanto a camada NAND assume tarefas de leitura/gravação de grande capacidade e armazenamento.
Este design visa aliviar o problema de limitação de capacidade do HBM (aproximadamente 32–64GB por empilhamento). Anteriormente, a SanDisk propôs a arquitetura HBF, empilhando verticalmente NAND via TSV, com capacidade de até 4TB, aumentando de 8 a 16 vezes em relação ao HBM, mas ainda enfrentando desafios de latência e complexidade na integração do sistema.
Em comparação com o DRAM, o NAND possui maior capacidade e menor custo, mas acesso mais lento. A nova arquitetura, por meio de empilhamento 3D em camadas, realiza uma combinação perfeita de ambos. (Titanium Garage)
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