Reavaliação da memória sob desequilíbrio estrutural do HBM: observando a mudança de ciclo de armazenamento de IA através da forte volatilidade da Micron

Na primeira semana de junho de 2026, o setor global de semicondutores passou por uma reavaliação de valor intensa, embora não caótica. Desta vez, o foco do mercado concentrou-se na cadeia de memória — este elo crucial na infraestrutura de computação de IA, que conecta o passado ao futuro. De Wall Street a Seul, de centros de dados de IA a linhas de produção de smartphones, o desequilíbrio estrutural do HBM (memória de alta largura de banda) funciona como uma linha condutora, conectando a oscilação em V da Micron (MU), as vendas sincronizadas dos dois maiores gigantes sul-coreanos, e uma profunda mudança no ciclo de armazenamento que está em andamento.

Em 4 de junho, a Broadcom divulgou seus resultados do segundo trimestre. Lucro por ação de 2,44 dólares, receita de 22,2 bilhões de dólares, ambos superando as expectativas do mercado. No entanto, o mercado de capitais não olha apenas para o passado, mas precifica o futuro. A Broadcom prevê uma receita de chips de IA de 16 bilhões de dólares no terceiro trimestre, abaixo da expectativa geral de 17,2 bilhões; a orientação de receita anual de chips de IA é de 56 bilhões de dólares, também abaixo dos 57,6 bilhões previstos. Essa diferença se propagou rapidamente por toda a cadeia de IA, levando o índice de semicondutores de Filadélfia a cair 5,45%. Como o elo mais direto na cadeia de valor da computação de IA, o setor de chips de armazenamento sofreu o impacto mais forte nesta rodada de vendas.

Ao redor do desequilíbrio estrutural do HBM, partindo do movimento da Micron, desmembramos a lógica de diferenciação entre oferta e demanda, analisamos se a queda sincronizada da SK Hynix e Samsung indica um ponto de inflexão no ciclo, e discutimos como a nova funcionalidade de negociação de ações da Gate pode oferecer aos investidores uma nova via para participar dessa mudança de ciclo de armazenamento.

Desequilíbrio estrutural do HBM: um mercado onde a curva de oferta e a curva de demanda deixam de se cruzar

Na economia clássica, as curvas de oferta e demanda se equilibram em um determinado preço. Mas, em 2026, as curvas do mercado de HBM estão se tornando quase paralelas.

Lado da oferta: a capacidade do HBM3e é limitada por tecnologia

Até o primeiro trimestre de 2026, as três principais fabricantes — SK Hynix, Samsung Electronics e Micron — estavam praticamente com capacidade de produção de HBM esgotada. Isso não é uma flutuação temporária devido a uma demanda crescente, mas uma característica estrutural do processo de fabricação de HBM.

Segundo a EE Times, a área de wafer consumida pelo HBM3e é cerca de três vezes maior que a do DDR5 padrão. Isso ocorre porque o HBM usa chips de maior tamanho e empilhamento vertical, e a taxa de rendimento na pilha vertical aumenta a demanda por capacidade de wafer. Com a produção de wafers limitada por equipamentos e construção de fábricas, cada wafer alocado ao HBM significa uma redução na capacidade disponível para LPDDR5X ou DDR5 padrão. A EE Times cita analistas da IDC, dizendo que isso é um jogo de soma zero.

As três fabricantes estão acelerando a conversão ou expansão de suas linhas de NAND e a capacidade de TSV para suportar a fabricação de HBM de alta geração, mas o ritmo de expansão não acompanha o ritmo de implantação da infraestrutura de IA. A Micron estima que sua margem bruta no segundo trimestre de 2026 será de 68% — uma orientação que reflete o forte poder de precificação do HBM e explica por que os recursos de capacidade continuam a se direcionar para produtos de nível IA.

Lado da demanda: smartphones e eletrônicos de consumo estão sendo “expulsos”

A rigidez estrutural na oferta tem seu contraponto na rápida contração da demanda por eletrônicos de consumo. Pesquisa da Counterpoint Research prevê que, em 2026, as vendas globais de smartphones podem cair cerca de 14%.

Mas essa queda não é simplesmente uma demanda fraca, e sim uma consequência direta do deslocamento de capacidade do HBM. Como a capacidade de wafers é priorizada para HBM e DRAM de nível IA, os fabricantes de smartphones enfrentam gargalos na aquisição de memórias móveis como LPDDR5X. A análise da TechCrunch aponta que o principal dilema dos fabricantes de smartphones em 2026 é que a velocidade de avanço do desempenho do SoC supera o crescimento da largura de banda de armazenamento, e os modelos topo de linha continuam a demandar LPDDR5X ou até LPDDR6, mas esses processos avançados ainda estão em fase de melhoria de rendimento, dificultando atender à demanda de mercado.

Os fabricantes de smartphones enfrentam uma escolha difícil entre aumentar os preços ou reduzir as entregas. Algumas marcas optam por repassar o aumento do custo de memória ao consumidor, o que, por sua vez, reduz a demanda por troca de aparelhos, criando um ciclo de retração de demanda. Os preços de contratos de memória móvel dobraram em 2025 e continuam a subir na primeira metade de 2026, comprimindo ainda mais as margens de lucro de modelos de entrada e intermediários.

Essa diferenciação entre oferta e demanda é o núcleo do “desequilíbrio estrutural” — não uma escassez total, mas uma má alocação de recursos.

Observando a forte oscilação da MU, as divergências na precificação do mercado

O sinal inicial dessa rodada de ajustes foi em 4 de junho. No mercado Nasdaq, a Micron Technology (MU) caiu 7,74% em um único dia, fechando a 996 dólares. Apesar de ainda estar próxima do marco de mil dólares no fechamento, a ação recuou rapidamente do pico histórico de 1.089,29 dólares atingido em 3 de junho.

Em 5 de junho, a queda se intensificou. A MU atingiu um mínimo de 864,01 dólares, uma retração de mais de 20% em relação ao pico anterior. No fechamento do dia, ficou em 864,01 dólares, uma queda de 13,25%, com volume de negociação de 76,7 milhões de ações — aproximadamente o dobro da média diária. Dados do Dow Jones Market mostram que a capitalização de mercado da MU evaporou cerca de 94,24 bilhões de dólares nesse dia.

A tendência de queda se estendeu aos mercados asiáticos nos dias seguintes. Em 8 de junho, o índice KOSPI da Coreia caiu 8,8% na abertura, acionando o mecanismo de limite de queda e suspendendo as negociações por 20 minutos. No fechamento, a Samsung Electronics caiu 10,18%, fechando a 295.500 won; a SK Hynix caiu 7,68%, fechando a 1.911.000 won. Considerando o fechamento de 5 de junho, a SK Hynix e Samsung tiveram quedas de 9,92% e 6,40%, respectivamente. Na mesma data, a Samsung atingiu um mínimo de 327.500 won, e a SK Hynix, 2.093.000 won, ambos abaixo de níveis psicológicos importantes.

Por outro lado, a reversão também foi rápida. Em 8 de junho, a MU fechou a 949,28 dólares, uma recuperação de 9,87% no dia, recuperando boa parte das perdas. Nos dias 9 e 10 de junho, a ação continuou a se recuperar, estabilizando-se entre 950 e 980 dólares. Em 15 de junho de 2026, a MU fechou a 973,40 dólares, ainda cerca de 10,6% abaixo do pico de 3 de junho, mas essa trajetória em V demonstra a divergência na avaliação do mercado para a ação.

Samsung e SK Hynix também apresentaram movimentos intra-dia em 12 de junho, com o KOSPI subindo mais de 8% em um momento, mas as altas se reduziram para menos de 8% e 4%, respectivamente. Em 15 de junho, a Samsung fechou a 319.000 won e a SK Hynix, a 1.985.000 won, recuperando-se dos mínimos, mas ainda abaixo dos níveis pré-queda.

O motor principal dessa dinâmica é a interpretação divergente do desequilíbrio estrutural do HBM pelo mercado. Os pessimistas veem a queda como prenúncio de uma bolha de hardware de IA, com a demanda por smartphones desmoronando e as orientações da Broadcom abaixo do esperado; os otimistas acreditam que o cenário de oferta apertada de HBM permanece, e a queda de preços é uma reação emocional que oferece oportunidade de compra.

Mudança de ciclo de armazenamento de IA: de HBM3e para HBM4 na transição geracional

2026 é um ano-chave na transição entre gerações de HBM. Na evolução tecnológica, o HBM3e ainda domina o consumo ao longo do ano, enquanto o HBM4 começa a contribuir com receitas. A NVIDIA elevou as exigências para o novo platform Rubin, que requer HBM4, levando as três fabricantes principais a atrasar seus processos de validação. A Samsung, com vantagem em processos avançados e desempenho de chips, deve liderar a certificação; a SK Hynix, após revisões, deve manter uma participação significativa graças à sua base de parcerias; a Micron está um pouco mais atrasada.

A TrendForce aponta que, com a expansão da capacidade de TSV nas fábricas na Coreia e Taiwan, a produção de HBM4 deve acelerar na segunda metade de 2026, mas o consumo de HBM3e continuará predominante ao longo do ano. Isso faz de 2026 um ano de coexistência de duas gerações, onde o ritmo tecnológico de cada fabricante influenciará sua fatia de mercado e avaliação.

Para investidores, essa mudança de ciclo não é simplesmente uma “melhora de mercado” ou “declínio”, mas uma diferenciação interna. Os contratos de compra de HBM por centros de dados de IA são firmados em acordos de longo prazo, com alta previsibilidade. Por outro lado, a demanda de eletrônicos de consumo é mais incerta. O analista da Morgan Stanley, Shawn Kim, afirma que o ciclo atual de chips ainda está em fase de aceleração, com revisões de lucros para cima, e que a continuidade desse ciclo pode superar as expectativas do mercado.

Lançamento do trading de ações na Gate: participando de MU e Samsung com USDT

Durante a forte volatilidade do setor de memória, a Gate lançou oficialmente, em junho de 2026, uma funcionalidade de negociação de ações, oferecendo uma nova via para participação nos mercados de ações dos EUA e de Hong Kong. A Gate Stocks permite negociar ações e ETFs principais usando USDT, incluindo NYSE, NASDAQ e mais de 1.000 ações listadas na Bolsa de Hong Kong.

Para investidores interessados na cadeia de memória, a Gate Stocks oferece acesso direto à negociação de Micron (MU), Samsung Electronics (SSNLF) e ETFs que rastreiam o mercado coreano. Além disso, a plataforma lançou contratos perpétuos de ações, com liquidação em USDT, e tokens de ETFs alavancados que cobrem os principais setores de tecnologia e semicondutores.

A diferenciação principal do trading de ações na Gate está em três pontos:

Configuração de portfólio cruzado sob uma conta única. Os usuários não precisam abrir contas em corretoras separadas; com uma única conta na Gate, podem gerenciar simultaneamente seus ativos em criptomoedas e ações tradicionais.

Liquidação em USDT elimina fricções cambiais. Tradicionalmente, a troca de dólares ou dólares de Hong Kong por ações exige conversões cambiais, com custos e baixa eficiência. A Gate permite negociar diretamente em USDT, e dividendos e ações corporativas são pagos em USDT, reduzindo a barreira de entrada.

Investimento fracionado com baixo custo. A plataforma permite negociar a partir de 0,01 ações, aproximadamente 10 dólares em USDT, possibilitando que investidores de varejo participem de ações blue-chip com pouco capital.

Após atualizar o aplicativo Gate para a versão 8.23.5 ou superior, os usuários podem acessar “TradFi—Ações” para começar a negociar. A plataforma integra um sistema de níveis VIP, permitindo taxas de negociação a partir de 0,023% para usuários qualificados.

Conclusão

A rodada de ajustes no setor de memória na primeira semana de junho de 2026 foi atribuída pelo mercado a uma “liquidação concentrada após a congestão de negociações de IA”. Dados indicam sinais de saída de capital: até 5 de junho, investidores estrangeiros venderam cerca de 27 trilhões de won sul-coreanos (aproximadamente 196 bilhões de dólares) em seis dias de negociação, sendo que apenas a SK Hynix teve uma venda líquida de cerca de 12 bilhões de dólares.

Porém, a lógica subjacente a essa rodada de ajuste não é simplesmente uma fuga de capital. O desequilíbrio estrutural do HBM — capacidade de oferta bloqueada por produtos de nível IA, demanda de eletrônicos de consumo sendo pressionada — é uma contradição de médio a longo prazo. Enquanto os acordos de compra de centros de dados de IA permanecerem firmes, e enquanto a taxa de consumo de wafers de HBM3e não mudar, esse desequilíbrio persistirá. No curto prazo, variáveis como riscos geopolíticos, ajustes nas taxas de juros macroeconômicas, e o efeito de captação de liquidez de IPOs gigantes como SpaceX continuarão a gerar volatilidade no setor de memória.

Para investidores de visão de médio a longo prazo, a mudança de ciclo de armazenamento em 2026 não é um sinal de recessão simples, mas uma transição de um ciclo antigo dominado por DRAM geral para um novo ciclo liderado por HBM e armazenamento dedicado a IA. Nesse processo, os movimentos de preço de MU, Samsung e SK Hynix dependerão cada vez mais de sua posição na árvore tecnológica do HBM, e não mais do ciclo tradicional de memória. A nova funcionalidade de negociação de ações na Gate permite que investidores participem de forma integrada, usando USDT, na descoberta de preços desses ativos essenciais de IA, ao mesmo tempo em que mantêm flexibilidade na alocação em criptomoedas.

Cada ajuste intenso do mercado é uma reconstrução da lógica de precificação. Compreender o desequilíbrio estrutural do HBM é entender a chave para a transição do ciclo de armazenamento de IA.