DRAM atinge novo recorde histórico: o primeiro ETF de memória pura do mundo realiza um aumento de quase 150% no ano?

2 de abril de 2026, o primeiro fundo negociado em bolsa (ETF) com tema de investimento em chips de memória puramente em memória — Roundhill Memory ETF (código de negociação: DRAM) — foi oficialmente listado na bolsa Cboe BZX. Após apenas dois meses de operação, o preço deste ETF subiu de aproximadamente 28 dólares no lançamento para mais de 50 dólares, com um aumento acumulado de quase 150%, e o seu valor sob gestão ultrapassou os 10 mil milhões de dólares, tornando-se um dos ETFs de crescimento mais rápido de sempre. Em 2 de junho de 2026, o preço de negociação mais recente do DRAM foi de 68 USD, com uma variação de 7,6% nas últimas 24 horas.

Este crescimento explosivo do ETF não é um evento isolado, mas sim um reflexo concentrado da expansão global da infraestrutura de IA no mercado de capitais. Os chips de memória que ele acompanha estão atualmente na fase mais crítica de gargalo na expansão do poder de processamento de IA.

Por que um ETF que entrou em funcionamento há apenas dois meses pode tornar-se o produto de crescimento mais rápido a nível global?

Doze anos em dois meses — Marco de crescimento do ETF DRAM

O DRAM percorreu, em cerca de dois meses, o caminho de crescimento de escala que normalmente levaria vários anos para um ETF tradicional. A sua força de explosão não se deve apenas à subida do preço no mercado secundário — de 28 dólares na emissão para mais de 50 dólares, um aumento já bastante atrativo — mas também à velocidade de entrada de capital, que superou as expectativas.

De acordo com dados públicos, o DRAM ultrapassou 1 mil milhões de dólares em ativos sob gestão em apenas 10 dias após a listagem, e mais de 50 mil milhões de dólares em 25 dias. Esta velocidade quebrou recordes existentes, tornando-o o produto mais rápido na história dos ETFs a atingir 100 mil milhões de dólares em ativos sob gestão. Até ao final de maio de 2026, o AUM do fundo estabilizou-se em cerca de 103 mil milhões de dólares, com fluxos de fundos semanais continuamente positivos.

Este forte interesse de capital reflete o reconhecimento do mercado pela direção de investimento diferenciada de “tema de memória pura”. Em comparação com ETFs tradicionais de semicondutores, como SOXX ou SMH, que cobrem amplamente chips lógicos, fabricação de dispositivos e outros segmentos, o DRAM limita estritamente o seu âmbito de investimento ao setor de chips de memória e armazenamento, oferecendo uma exposição mais concentrada e pura à infraestrutura de IA.

Por que os chips de memória se tornaram o gargalo mais crítico na expansão do poder de processamento de IA?

Para compreender o desempenho do preço do DRAM, primeiro é necessário responder a uma questão central: qual é o papel dos chips de memória na arquitetura de poder de processamento de IA?

O aumento do poder de processamento de IA depende não só da evolução contínua de chips de cálculo como GPUs, mas também da eficiência na transmissão de dados entre processadores e armazenamento. A memória de alta largura de banda (HBM) é um componente fundamental nas placas aceleradoras de IA, enquanto o DRAM e a memória NAND desempenham funções de suporte na operação de sistemas de servidores e no acesso a grandes volumes de dados.

Atualmente, a escassez de fornecimento de HBM, DRAM e NAND deve persistir até após 2026, impulsionada pela explosiva demanda de memória de alto desempenho para aplicações de IA, enquanto a oferta enfrenta múltiplos obstáculos tecnológicos que dificultam a rápida expansão da produção. Especificamente, o aumento do tamanho das partículas nos processos de fabricação de HBM reduz o número de chips que podem ser cortados de uma única wafer, limitando a elasticidade de fornecimento; a introdução de litografia por luz ultravioleta extrema (EUV) nos processos avançados de fabricação de DRAM também restringe a velocidade de aumento da capacidade.

O calcanhar de Aquiles do poder de processamento de IA — o cenário de escassez de chips de memória

Ao mesmo tempo que a oferta é limitada, a demanda continua a acelerar. O relatório mais recente do JPMorgan elevou significativamente as previsões para o mercado global de armazenamento de 2026 a 2028, estimando que o seu valor total atingirá 1,7 triliões de dólares em 2028. A Micron confirmou que toda a sua capacidade de produção de HBM para 2026 já está reservada, fortalecendo significativamente a sua capacidade de precificação. A SK Hynix detém cerca de 60% do mercado de HBM, tornando-se um suporte chave para o ecossistema de IA da Nvidia.

Quais são as características de composição das posições de ETFs com tema de memória pura: qual é o grau de concentração e como se distribuem os riscos?

A alta concentração do ETF DRAM não é uma falha de design, mas uma consequência inevitável do seu posicionamento temático. Atualmente, o ETF possui 20 componentes, com as três maiores posições — SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology — representando cerca de 70% do peso total, sendo que a SK Hynix sozinha representa aproximadamente 27% a 28%.

Três gigantes e distribuição geográfica — Visão geral da concentração de posições do ETF DRAM

A soma das ações sul-coreanas no ETF é de aproximadamente 52% a 55% (principalmente SK Hynix e Samsung Electronics), enquanto as ações americanas representam cerca de 32% a 35% (principalmente Micron Technology). O restante está distribuído em Taiwan (cerca de 7% a 8%), Japão (cerca de 3% a 4%) e outras regiões. Essa concentração geográfica reflete também a distribuição regional da capacidade de produção de chips de memória global: empresas sul-coreanas dominam os segmentos de HBM e DRAM, enquanto a Micron, dos EUA, também ocupa uma posição importante em DRAM e NAND, e empresas de Taiwan como Nanya Technology e Winbond são componentes complementares na carteira.

Como está a evolução da demanda de memória, de HBM a DDR5, e que mudanças estruturais estão ocorrendo na lógica de expansão?

Nos últimos dois anos, a atenção do mercado para a memória tem se concentrado principalmente na HBM, pois ela é o componente direto das placas de aceleração de IA. No entanto, à medida que as aplicações de IA evoluem do treinamento para a inferência e a era dos agentes inteligentes, a estrutura de demanda por memória está passando por mudanças profundas.

De HBM a DDR5 — Evolução da lógica de demanda de memória de IA

O UBS, no seu relatório mais recente, aponta que a estrutura de demanda subjacente à indústria de IA já começou a mudar. Em 2023, a maior parte da demanda por grandes modelos vinha do treinamento; entre 2024 e 2025, o foco do mercado está se deslocando para a inferência; e a partir de 2026, a indústria está acelerando a entrada na era dos agentes inteligentes — IA que não só responde a perguntas, mas também planeja, executa tarefas e utiliza ferramentas, o que implica um crescimento exponencial no consumo de recursos de armazenamento.

Dentro deste novo quadro, o DDR5 está ganhando destaque. Os agentes inteligentes requerem grande participação de CPUs na coordenação de tarefas, gerenciamento de estado e chamadas de ferramentas, sendo que o armazenamento mais fundamental para CPUs é o DDR5. O UBS acredita que, nos próximos anos, o maior aumento de demanda virá do DDR5, e não do HBM. O JPMorgan também apoia essa previsão, elevando a previsão de demanda de memória de servidores de 2026 a 2028 em 5% a 22%, sendo que mais de 60% desse incremento virá de IA.

Isso indica que a estrutura de demanda por memória coberta pelo ETF de DRAM está evoluindo de uma “única categoria” para uma “multiplicidade de pontos de crescimento” — com o HBM mantendo-se forte, o DDR5 acelerando sua adoção, e SSDs empresariais expandindo-se rapidamente sob a demanda de inferência de IA. O JPMorgan estima que o mercado de SSDs empresariais ultrapassará 500 exabytes em 2026, representando 43% do total de demanda por NAND.

Como a performance das três maiores fabricantes de memória sustenta o valor das posições do ETF?

A razão pela qual a carteira de posições do DRAM continua a atrair atenção do mercado é que o crescimento de desempenho das suas empresas componentes já se afastou do padrão de “oscilações cíclicas” tradicionais, entrando numa trajetória de crescimento impulsionada por demandas estruturais.

Visão geral do desempenho das três maiores fabricantes de memória

O relatório mais recente da SK Hynix mostra que a receita aumentou 198% em relação ao ano anterior, e o lucro líquido cresceu 165%, com a administração também elevando as previsões de desempenho futuro. A Micron viu sua receita trimestral saltar de cerca de 8 mil milhões de dólares para mais de 23 mil milhões. A Samsung Electronics, com sua vantagem de capacidade em HBM e DDR5, já viu uma valorização de mais de 160% no ano.

Importa notar que o valor de mercado dessas três empresas ultrapassou a marca de 1 trilião de dólares, tornando-se os principais alvos de infraestrutura de IA no mercado global de capitais. Dados da Bloomberg indicam que o lucro líquido da Micron deve passar de 8,5 mil milhões de dólares em 2025 para 66,8 mil milhões em 2026, podendo atingir cerca de 120 mil milhões de dólares em 2027. Se essas previsões se concretizarem, o potencial de crescimento de lucros na carteira do ETF de DRAM permanece bastante visível.

No entanto, do ponto de vista de avaliação, as expectativas otimistas do mercado já estão bastante incorporadas. Atualmente, o PER futuro da Micron e da SanDisk é de aproximadamente 10 vezes, mas essa avaliação baseia-se na premissa de lucros contínuos. Dados históricos mostram que, no pico do ciclo, o PER da Micron chegou a 46 vezes, e o da SanDisk a 58 vezes, indicando que a atual expansão de avaliação reflete mais expectativas de crescimento de lucros do que uma bolha de avaliação.

Como verificar a continuidade do ciclo superlativo? Quais riscos devem ser considerados?

Qualquer ativo que experimente um crescimento explosivo de curto prazo precisa responder a uma questão fundamental: esse crescimento pode ser sustentado? Para o DRAM, três fatores determinarão a sua trajetória de médio prazo:

Sustentabilidade do investimento de capital. As quatro grandes empresas de nuvem e plataformas — Amazon, Meta, Alphabet e Microsoft — preveem que, em 2026, os seus gastos de capital em infraestrutura de IA alcançarão até 725 mil milhões de dólares. Algumas dessas empresas estão a aumentar a dívida para sustentar esse ritmo de investimento; se o crescimento do investimento de capital desacelerar, as perspetivas de lucros e os preços das ações dessas empresas de chips serão impactados diretamente.

Risco de ponto de inflexão na ciclo de preços da memória. Embora os preços contratuais de DRAM e NAND ainda estejam em alta, a indústria de memória é altamente cíclica. A TrendForce prevê que, no primeiro trimestre de 2026, os preços contratuais tradicionais de DRAM podem subir entre 55% e 60% em relação ao trimestre anterior, refletindo uma sensibilidade elevada às condições de oferta e procura. Se o crescimento da procura diminuir ou a capacidade de oferta começar a ser liberada, uma queda de preços a níveis elevados poderá comprimir significativamente os lucros das empresas de memória que dependem fortemente de preços.

O efeito de dupla face da concentração de posições. Com cerca de 70% do peso concentrado em três empresas, qualquer notícia negativa sobre essas empresas afetará diretamente o valor líquido do ETF. Além disso, a forte dependência do mercado sul-coreano expõe o fundo a riscos cambiais e de políticas regionais.

O JPMorgan admite que as ações de armazenamento ainda estão a ser negociadas com um desconto relativamente ao seu valor de lucros, devido às dúvidas do mercado sobre a capacidade de manter a participação de valor de armazenamento. No entanto, a instituição acredita que a IA trouxe uma nova estrutura de demanda, tornando obsoleta a avaliação cíclica tradicional. Trata-se, essencialmente, de uma questão que requer tempo para ser validada: entre o “ponto de inflexão estrutural” e o “pico cíclico”, o mecanismo de avaliação do mercado ainda não atingiu um consenso.

Resumo

A nova máxima histórica do DRAM é, na sua essência, um reflexo concentrado da onda de investimento em infraestrutura de IA no mercado de capitais. Este ETF, com a sua posição diferenciada de “memória pura” e o desempenho das empresas componentes, conseguiu uma rápida expansão de escala em pouco tempo. Por trás disso está a lógica estrutural de que os chips de memória representam o gargalo central do poder de processamento de IA — com a escassez de HBM, a aceleração da procura por DDR5 e a expansão contínua de SSDs empresariais, formando um sistema de múltiplas camadas de demanda.

No entanto, riscos de concentração, pontos de inflexão na avaliação de preços e a sustentabilidade das avaliações permanecem como variáveis. O otimismo embutido nos preços atuais determinará a evolução futura do ETF no mercado. Para os investidores, compreender a lógica estrutural do DRAM e as restrições cíclicas é fundamental para avaliar o valor desta ferramenta de investimento emergente.

Perguntas frequentes

O que é um ETF de DRAM e qual é o seu tema de investimento?

O DRAM é um ETF de gestão ativa, lançado pela Roundhill Investments, sendo o primeiro do mundo com tema exclusivo de memória. Foi listado na bolsa Cboe BZX dos EUA em 2 de abril de 2026. O fundo investe pelo menos 80% do seu património líquido em empresas de chips de memória e armazenamento, com foco em HBM, DRAM, NAND flash, distinguindo-se de ETFs tradicionais de semicondutores com cobertura mais ampla.

Quais são as principais posições do ETF de DRAM e qual é o grau de concentração?

Atualmente, o ETF possui cerca de 20 componentes, com as três maiores posições sendo SK Hynix (aproximadamente 28%), Samsung Electronics (aproximadamente 21%) e Micron Technology (incluindo ações e derivados, cerca de 26%), representando juntas cerca de 70% a 75% do peso total.

Qual foi o principal fator que impulsionou o aumento de quase 150% no valor do DRAM?

O fator principal é a expansão da demanda estrutural por chips de memória devido à expansão do poder de processamento de IA. A escassez de HBM, devido à limitação na capacidade de produção, e a crescente procura por DDR5 e SSDs empresariais, impulsionada pela inferência de IA, elevaram as perspetivas de lucros e as avaliações das empresas de memória.

Quais riscos devem ser considerados ao investir no ETF de DRAM?

Principais riscos incluem: (1) alta concentração em três empresas, com impacto direto de notícias negativas; (2) forte ciclicidade do setor de memória, com possíveis pontos de inflexão de preços; (3) desaceleração dos investimentos de capital em infraestrutura de IA, afetando a procura de memória; (4) dependência do mercado sul-coreano, com riscos cambiais e políticos.

Qual é a taxa de despesa e o método de gestão do ETF?

O ETF de DRAM é de gestão ativa, com uma taxa de despesa de 0,65%. A equipa de gestão realiza reequilíbrios trimestrais, ajustando as ponderações com base na participação de mercado e receita das empresas no setor de memória e armazenamento, com uma restrição de peso máximo de 25% por empresa.