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Mon plan d’opérations sur SK hynix et SanDisk

Récemment, le Bitcoin est de nouveau entré dans une phase de forte volatilité, et beaucoup d’entre vous ont commencé à revenir sur les marchés actions. S’il faut citer les titres qui attirent le plus l’attention, SK hynix et Samsung Electronics sont incontournables. Je suis davantage optimiste quant aux perspectives de SK hynix et, du côté des actions américaines, je prévois également de prendre une position sur SanDisk. Aujourd’hui, Xiao Caishen va donc parler de ces deux titres : qu’en penser et comment les acheter ?

I. Commençons par examiner l’évolution de SK hynix

L’action coréenne SK hynix a connu quatre séances consécutives de baisse récemment, le marché s’inquiétant de l’intensification de la concurrence dans les HBM, des ventes continues des investisseurs étrangers et du ralentissement du rythme de hausse des prix au comptant des mémoires. Le 16 septembre, elle a bondi de 4,08 % en une seule séance, à la faveur de la double annonce de discussions avec Intel pour construire une usine aux États-Unis et de la conclusion d’un accord salarial avec le syndicat. Elle a clôturé à 1 759 000 wons sud-coréens, mettant fin à quatre séances de baisse. La structure du marché révèle toutefois une divergence nette : les institutions sud-coréennes ont massivement acheté ce jour-là, tandis que les investisseurs étrangers et les particuliers ont vendu simultanément. Le rebond a donc été principalement porté par le soutien des capitaux domestiques, avec une confrontation intense entre acheteurs et vendeurs à court terme.

Sur le plan fondamental, SK hynix reste le leader mondial des HBM, avec une part de 50 % du marché des HBM au deuxième trimestre. Les HBM4 sont déjà produits en série, et l’entreprise poursuit l’augmentation de ses capacités au second semestre ; les échantillons de HBM4E ont déjà été livrés aux clients. Elle a également signé des contrats d’approvisionnement pluriannuels avec de grands fournisseurs de services cloud, avec une mise à disposition des capacités selon la demande, ce qui réduit le risque d’une offre excédentaire à court terme. Les scénarios d’inférence de l’IA continuent de stimuler la demande de DRAM pour serveurs et de SSD d’entreprise, et la logique de soutien des fondamentaux à moyen et long terme n’est pas remise en cause. Les pressions à court terme sont toutefois tout aussi claires : la montée rapide en puissance des capacités HBM de Samsung pèse sur les anticipations de marges du secteur ; le caractère cyclique du secteur des mémoires est marqué, et les fluctuations des prix au comptant des DRAM et des NAND peuvent rapidement modifier les anticipations de bénéfices. À cela s’ajoutent les variations du won, les flux de capitaux étrangers et les fluctuations de l’indice KOSPI, ce qui signifie que l’amplitude des variations du cours sera nettement supérieure à celle de l’ADR coté aux États-Unis.

Niveaux clés de support et de résistance👉

Premier support à court terme : 1 690 000 wons, ancien cours de clôture et ligne de partage à court terme pour cette correction. Si le cours revient sur ce niveau et se stabilise avec une baisse des volumes, cela signifie que la structure haussière à court terme est préservée et qu’une opportunité d’achat sur repli peut être observée ; en cas de cassure accompagnée d’une hausse des volumes, le rebond actuel sera invalidé et le marché poursuivra sa baisse.

Support majeur à moyen terme : 1 620 000 wons, importante zone de concentration des positions dans le cadre de cette correction. Si l’indice KOSPI ou le secteur des semi-conducteurs connaît une correction systémique, ce niveau constituera la ligne défensive des haussiers à moyen terme ; après une cassure confirmée, la logique de hausse actuelle devra être réévaluée.

Première résistance à court terme : 1 820 000 wons, borne supérieure de la récente zone de fluctuation, niveau où le rebond précédent a rencontré plusieurs obstacles. Ce n’est qu’en s’établissant au-dessus de 1 820 000 wons avec une hausse des volumes qu’un nouvel espace de progression pourra s’ouvrir.

Résistance majeure à moyen terme : 2 100 000~2 180 000 wons, zone d’anciennes positions prises au piège lors de la consolidation. Elle se situe assez loin du cours actuel et, pour la franchir, il faudra des catalyseurs majeurs tels que des résultats du troisième trimestre supérieurs aux attentes, une hausse des prix des HBM ou de nouvelles commandes importantes de grands groupes étrangers. Le plus haut historique de l’année, à 2 987 000 wons, sera difficile à tester en une seule fois à court terme.

II. Mon plan d’opérations sur SK hynix et SanDisk

✅ Plan d’opérations sur SK hynix

1. Opportunités d’entrée en position longue

Opportunité à court terme : si le cours revient autour de 1 690 000 wons, cesse de baisser sur le graphique en chandeliers avec une diminution des volumes et ne casse pas ce niveau avec une hausse des volumes, il sera possible de prendre progressivement de petites positions longues ;

2. Objectifs de prise de bénéfices

Première prise de bénéfices : autour de 1 820 000 wons, réduire la position de moitié et réaliser une partie des gains latents ;

Deuxième prise de bénéfices : dans la zone de 2 100 000~2 180 000 wons, à l’arrivée dans la zone de forte résistance à moyen terme, clôturer intégralement la position longue de moyen terme afin d’éviter la pression vendeuse des positions prises au piège à des niveaux élevés.

3. Paramètres de stop-loss

Position longue de court terme : après l’entrée, sortir si le cours casse durablement les 1 660 000 wons ;

Position de moyen terme : stop-loss sans condition si le cours casse durablement les 1 590 000 wons, et suspension de la stratégie haussière actuelle.

✅ Plan d’opérations sur SanDisk

Après sa cotation indépendante, SanDisk est une pure valeur liée à la mémoire flash NAND. Sa logique fondamentale repose sur la demande de SSD de grande capacité des centres de données dédiés à l’IA, qui stimule la hausse des prix de la NAND ; toutefois, le caractère cyclique du secteur de la NAND est plus marqué que celui des HBM, la durée des hausses de prix est plus incertaine et la faiblesse de la demande de mémoire flash des consommateurs constitue un frein durable.

1. Opportunité d’entrée en position longue : privilégier l’attente d’un repli pour se positionner et refuser de poursuivre la hausse à des niveaux élevés. Si le cours se stabilise dans la zone de 1 500-1 510 dollars après un repli, prendre progressivement position ; en cas de correction profonde, 1 440 dollars constituera un support clé à moyen terme, permettant de renforcer une deuxième fois.

2. Objectifs de prise de bénéfices

Première prise de bénéfices : autour de 1 640 dollars, réduire la position de moitié ;

Deuxième prise de bénéfices : 1 740-1 750 dollars (zone cible des institutions), sortir intégralement.

3. Paramètres de stop-loss : entrée à court terme : stop-loss si le cours casse durablement les 1 480 dollars ; position de moyen terme : sortir avec un stop-loss si le cours casse durablement les 1 430 dollars.

Quels titres négociez-vous récemment, les amis ? Pensez-vous que les mensonges de Xiao Caishen vous sont utiles ? Parlons-en dans les commentaires !
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Commentaire
ThisIsTranslateContent:
il y a une heure
En attendant que la Fed distribue les cartes 👀
0Voir l'original
HighAmbition
il y a 2 heures
Première révision
Quelle marge de hausse reste-t-il ?
0Voir l'original