$DRAM continue de susciter un vif intérêt sur le marché, l’intensification de l’activité de trading soulignant l’attention croissante portée au secteur de la mémoire.

Je surveillerai de près les volumes, l’évolution des prix et la dynamique du marché afin de détecter les signes du prochain mouvement majeur.

Morgan Stanley : la capacité chinoise de production de DRAM et de NAND atteindra 50 millions de plaquettes d’ici 2028, bouleversant l’offre mondialeSelon Morgan Stanley, les fabricants chinois de mémoires, notamment Changxin et Yangtze Memory, sont en passe de modifier fondamentalement la dynamique de l’offre mondiale de semi-conducteurs d’ici 2028. Le rapport prévoit que la capacité mensuelle de production de plaquettes de DRAM de Changxin passera de 18 millions d’unités en 2025 à 50 millions d’ici 2028, ce qui pourrait lui permettre de capter 15 % des expéditions mondiales de bits de DRAM et de dépasser Micron pour devenir le troisième fournisseur mondial de DRAM. Alors que la demande liée à l’IA en 2026-2027 et les contraintes de production de HBM pourraient absorber la nouvelle capacité chinoise, 2028 marquera un tournant critique. À mesure que Changxin augmentera sa production et que les nouvelles usines de Yangtze Memory entreront progressivement en activité, parallèlement aux ajouts de capacité des fournisseurs mondiaux existants, le secteur de la mémoire pourrait faire face à d’importantes tensions entre l’offre et la demande. Morgan Stanley prévoit que le marché pourrait passer d’une pénurie de 15 à 17 % en 2027 à une éventuelle surabondance si la croissance de la demande ralentit, ce qui transformerait fondamentalement la structure des bénéfices et la discipline tarifaire du secteur.