Les deux géants chinois de la mémoire investissent et mettent 63 milliards pour accroître leur capacité de production, tandis que Changxin Storage augmente brutalement sa capacité DDR5 grâce à une méthode « artisanale » de type « forge de la ferraille ».

長鑫存儲與長江存儲合計砸下 630 億人民幣擴產，長鑫預計 2026 年底月產能衝上 35 萬片，逼近美光同期 37,5 萬片的預估產能。為全球 DRAM 與 NAND 供需版圖投下變數。
（前情提要：三星與SK海力士砸2 000 兆韓元蓋晶圓廠！豪賭未來10年記憶體，光州成最大贏家）
（背景補充：HBM 記憶體已佔 AI 晶片 63% 成本，海力士、三星、美光坐收算力定價權）

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• 沒有 EUV，就用蠻力繞過
• 直逼美光的產能算術？
• 錢流向哪，格局就往哪偏

中國兩大記憶體製造商，雖然因為美國制裁拿不到最先進設備、但又想在 AI 伺服器需求爆發的這一輪吃到份額，於是長鑫存儲聯手長江存儲，擬合計砸下 630 億人民幣的資本支出採購產線。

沒有 EUV，就用蠻力繞過

長鑫存儲面前那道紅線，叫 EUV 曝光機，也就是能在晶圓上刻出更精細電路的高階微影設備，這是美國制裁鎖得最死的一環。沒有它，先進製程理論上寸步難行，這也是過去幾年外界一度認定中國記憶體永遠追不上國際三大廠的主因。

長鑫存儲的解法很土：改用舊型 DUV 設備，疊加多重曝光技術，簡單來說就是同一片晶圓重複曝光多次，用步驟數換取精細度的土法煉鋼。代價是良率壓力與更高的單片成本，不過換來的卻是它最想要的東西：能出貨的產品。

目前這條產線已開始供應主打 AI 需求的 DDR5（8000 MT/s）與 LPDDR5X 記憶體模組，直接切進最缺貨的市場。這也解釋了長鑫存儲為何敢在成本偏高的情況下持續擴產：它賭的是需求端願意為供給埋單。而 12 個月就能建成無塵室的效率，正是這套蠻力打法能跑起來的底氣，別人還在打地基、跑環評、等交期，長鑫存儲已經在跑機臺良率了，時間差本身就是一種產能優勢。

直逼美光的產能算術？

分析師指出，若計畫如期完成，2026 年底長鑫存儲 DRAM 月產能將逼近 35 萬片，對比美光（Micron）同期預估的 37,5 萬片，差距不到一成。

NAND 這條戰線同樣沒閒著。長江存儲滿載後的總月產能預估突破 17 萬片，這個數字背後，是武漢兩座晶圓廠目前約 15 萬片的月產能，再加上正在裝機測試、預計 2026 年下半年量產的第三期擴產。

把兩條線疊在一起看：DRAM 貼身逼近、NAND 悄悄墊高，中國記憶體雙雄一個聲勢浩大、一個悶頭猛幹，切入點不同，但都朝同一個方向收斂，把原本由三星、SK 海力士、美光瓜分的全球儲存晶片份額，試著一片一片挖過來。

錢流向哪，格局就往哪偏

這波擴產真正撬動的，是設備供應鏈。中國半導體設備本土採購率，白話說就是國產設備佔整體採購金額的比例，目前僅約 23,2%，代表超過七成仍靠進口。

但單是長鑫存儲 2026 年的採購，預估就能為本土供應商帶來近 100 億人民幣新業務，先用市場養供應商，再讓供應商反過來墊高良率，進口依賴的比例或會逐年被壓低，本土化這條曲線一旦啟動就很難回頭。

同時，中國政府正推動長鑫存儲把 DRAM 技術 IP，也就是製程專利與工藝訣竅，轉移給福建晉華、昇維旭與長江存儲子公司新芯，短期為緩解國內短缺，長期是為叩關歐盟甚至美國市場預作準備。技術分散到多家廠商，制裁單點打擊的效果就被稀釋。

當然，這盤棋從來不是中國一方在下：三星電子、SK 海力士、美光同步加碼資本支出，SEMI（國際半導體產業協會）預測全球半導體設備市場將從 2024 年的 1 166 億美元衝上 2027 年的 1 556 億美元，餅本身也正在變大。

時間拉長點，這波擴產真正的殺傷力不在短期出貨量，而在於一旦長鑫存儲把良率與成本壓到可規模化的水準，全球記憶體的定價權就會出現第二個聲音，足以讓對手在下一次報價會議上多想一秒，重新盤算庫存與擴產的節奏。