Les médias sud-coréens rapportent que le fabricant chinois de mémoires CXMT teste actuellement une ligne pilote de DRAM liée à Hefei, dans le but de produire des DRAM haute performance sans utiliser la lithographie EUV.

La DRAM liée est une technologie qui consiste à fabriquer les matrices de cellules de mémoire et les circuits périphériques sur des plaquettes distinctes, puis à les assembler par collage. Cette approche permet de produire des DRAM ultra-denses en utilisant uniquement la lithographie DUV (ultraviolet profond) combinée à des techniques de multi-patterning, évitant ainsi le besoin d'équipements EUV.

Samsung Electronics développe sa propre DRAM liée sous le projet « B1b », et SK Hynix progresse également sur une technologie similaire. Cependant, les médias sud-coréens avertissent que des évaluations suggèrent que CXMT pourrait déjà être en avance sur ses concurrents sud-coréens, à la fois en termes de maîtrise de cette technologie et de rapidité de développement.