Intel envisage d'adopter une architecture d'alimentation double face dans son procédé de 1,4 nm afin de rattraper TSMC et Samsung.

BlockBeats informe que, le 5 juillet, Intel envisage d'adopter une architecture utilisant simultanément l'alimentation par la face avant et la face arrière dans son processus ultra-fin de 1.4 nm, afin de rattraper ses concurrents. Selon des sources de l'industrie, Intel prévoyait initialement d'utiliser la technologie d'alimentation dédiée par la face arrière PowerDirect dans son processus de base 14A à 1.4 nm, mais pour le processus suivant 14A2, il envisage d'introduire l'architecture Dual side utilisant à la fois la face avant et la face arrière.

Intel a précédemment annoncé son plan, affirmant qu'il augmentera la densité de puces de 1.3 fois sur le processus 14A par rapport au 18A ; l'objectif du processus 14A est un pas de M0 d'environ 28 nm, tandis que le processus 14A2 pourrait, grâce à une amélioration semi-nodale, pousser le pas de M0 à 21 nm. Tout en maintenant le réseau d'alimentation par la face arrière comme principal, Intel réaffectera une partie du câblage métallique de la face avant pour des usages d'alimentation auxiliaire et de signaux d'horloge (Clock), afin de compenser le manque de marge de puissance causé par la réduction d'échelle et les limitations d'exposition.

Le processus 14A d'Intel est prévu pour entrer en production de risque en 2028, puis en production de masse en 2029. Intel doit publier la version 0.9 du kit de conception de processus (PDK) du processus 14A auprès des clients externes en octobre de cette année, et obtenir des commandes fermes de grands clients sans usine (fabless) dans les 18 mois suivants. En comparaison, TSMC a déjà prévu de livrer de véritables produits finis A14 à 1.4 nm en 2028, et Samsung Electronics prévoit également de commercialiser en 2027 un procédé amélioré SF2Z de 2 nm utilisant la technologie d'alimentation par la face arrière.