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🚨Les médias coréens rapportent que la CXMT chinoise teste actuellement une ligne de production pilote pour la DRAM liée à Hefei, visant à produire une DRAM haute performance sans utiliser la lithographie EUV.
La DRAM liée est une technologie dans laquelle la matrice de cellules mémoire et les circuits périphériques sont fabriqués sur des plaquettes distinctes, puis liées ensemble. Cette approche permet de produire une DRAM ultra-haute densité en utilisant uniquement la lithographie ultraviolette profonde (DUV) avec multi-patterning, éliminant ainsi le besoin d'outils EUV.
Samsung Electronics développe sa propre DRAM liée dans le cadre du projet « B1b », tandis que SK hynix poursuit une technologie similaire. Cependant, les médias coréens avertissent qu'il existe des évaluations suggérant que CXMT pourrait actuellement avoir une longueur d'avance sur ses concurrents coréens, tant au niveau de la technologie elle-même que de la vitesse de développement.