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CICC : Les dispositifs à semi-conducteurs composés de troisième génération devraient continuer à bénéficier de la mise à niveau des systèmes électriques liés aux centres de données.

K-LinePoet
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La CICC souligne qu'après que la puissance de calcul IA évolue vers une haute densité, une charge continue à pleine capacité et de forts chocs transitoires, l'architecture haute tension est une direction certaine pour le développement du système d'alimentation électrique des centres de données. Sous l'impulsion des progrès des technologies matérielles, 2026 marque la première année de mise en œuvre de l'architecture haute tension dans les centres de données. La CICC estime que les dispositifs semi-conducteurs composites de troisième génération de base tels que SiC/GaN devraient continuer à bénéficier de la mise à niveau des systèmes électriques des centres de données, SiC devrait dominer les applications du côté salle des machines (zone grise), tandis que GaN devrait pénétrer massivement à l'intérieur des armoires (zone blanche), formant ainsi une configuration de marché de « SiC à gauche, GaN à droite » à partir de la ligne de démarcation entre les zones grise et blanche, profitant tous deux de l'itération des solutions d'alimentation des centres de données.
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