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Le taux de rendement du HBM4E de Samsung dépasse 70% ; le développement de la septième génération de mémoire IA entre dans une phase stable.

金色财经_
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金色财经 rapporte que, le 1er juillet, le directeur technique et directeur de l'Institut des semi-conducteurs de Samsung Electronics a déclaré lors d'une réunion interne d'exploitation du département DS (Device Solutions) que le taux de rendement des tests de fiabilité du HBM4E avait dépassé 70 %. L'industrie considère généralement un taux supérieur à 80 % comme le seuil de « rendement mature » indiquant un processus stable, alors que le HBM4E est encore en phase de test de fiabilité ; un niveau supérieur à 70 % est considéré comme le signe que le processus de développement est officiellement entré dans une phase stable. Par ailleurs, lors de la même occasion, il a révélé que la prochaine génération de procédé DRAM de septième génération à 10 nanomètres (D1d) avait déjà pris un avantage concurrentiel sur ses rivaux en termes de compétitivité technique, et qu'il prévoyait d'achever la certification de préparation à la production (PRA) en novembre de cette année.
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