Samsung annonce que le rendement des HBM dépasse les 70% ! Le CTO Song Jae-hyuk annonce que les DRAM de nouvelle génération rattrapent leur retard et chassent SK Hynix.

Le géant sud-coréen des semi-conducteurs Samsung Electronics a franchi une nouvelle étape dans sa course à la mémoire à large bande passante (HBM). Selon un rapport exclusif du média sud-coréen Financial News, Song Jae-hyeok, directeur technique (CTO) de la division DS de Samsung Electronics, a révélé lors d'une réunion interne de gestion le 30 juin que le taux de rendement des tests de fiabilité de la 7e génération de HBM (HBM4E) a dépassé 70 %, se rapprochant du seuil de 80 % considéré comme « mature » par l'industrie.
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Résumé des points clés

• Le CTO de Samsung Electronics, Song Jae-hyeok, a révélé que le taux de rendement des tests de fiabilité de la 7e génération de HBM (HBM4E) a atteint plus de 70 %, se rapprochant du seuil de 80 % de « rendement mature » de l'industrie.
• Samsung a débuté la production de masse du HBM4 pour la première fois en février de cette année, a dévoilé les spécifications du produit à 12 couches du HBM4E fin mai et a expédié des échantillons. Les ventes de HBM4 ont déjà dépassé 1,2 milliard de dollars.
• Le procédé DRAM de prochaine génération D1d (7e génération au niveau 10 nm) devrait passer l'approbation de préparation à la production (PRA) en novembre et sera utilisé pour le HBM5 et les produits suivants.

Samsung Electronics a présenté un chiffre qui a fait briller les yeux du monde extérieur. Selon un rapport exclusif du média financier sud-coréen Financial News, Song Jae-hyeok, directeur technique de la division DS de Samsung, a confirmé lors d'une réunion interne de gestion le 30 juin que la mémoire à large bande passante de 7e génération HBM4E en cours de développement a déjà un taux de rendement des tests de fiabilité supérieur à 70 %, et que le développement a pratiquement dépassé la phase de sprint final.

Le taux de rendement des tests de fiabilité du HBM4E a déjà atteint un niveau supérieur à 70 %, et le procédé DRAM de prochaine génération au niveau 10 nm de 7e génération (D1d) bénéficie d'un avantage par rapport aux concurrents.

HBM4 en production de masse depuis seulement 4 mois, les ventes dépassent déjà 1,2 milliard de dollars

Le rythme de Samsung dans le domaine du HBM s'est nettement accéléré au cours du dernier semestre. L'entreprise a débuté la production de masse de la 6e génération HBM4 en février de cette année, a dévoilé fin mai les spécifications techniques du produit à 12 couches du HBM4E et a expédié des échantillons à ses principaux clients, devenant ainsi le premier fabricant du secteur à fournir des échantillons de HBM4E. À la fin du mois, les ventes de HBM4 de Samsung avaient déjà dépassé 1,2 milliard de dollars.

Pour Samsung, qui est encore en phase de rattrapage, présenter des chiffres de vente réels est bien plus convaincant que n'importe quel slogan technique. Quant au procédé D1d de prochaine génération, Samsung prévoit de le faire approuver via la préparation à la production (PRA) en novembre, et il sera appliqué au HBM5 et aux produits suivants.

Les grosses commandes de Nvidia sont toujours entre les mains de SK Hynix

Pour comprendre pourquoi Samsung est si pressé de divulguer ses chiffres de rendement, il faut d'abord comprendre ce qu'est le secteur du HBM. Le HBM (mémoire à large bande passante) est une mémoire rapide empilée à côté des accélérateurs IA. Pour que les GPU de Nvidia puissent faire fonctionner l'IA, ils comptent sur elle pour alimenter rapidement les données. C'est l'un des composants les plus recherchés et les plus rentables de ce super-cycle de l'IA.

Le problème est que ce marché est depuis longtemps dominé par SK Hynix. Par le passé, SK Hynix détenait environ 70 % de parts dans la fourniture de HBM3E à Nvidia. À l'ère du HBM4, qui accompagne l'accélérateur IA de nouvelle génération de Nvidia, Vera Rubin, les estimations de la chaîne d'approvisionnement indiquent que SK Hynix détient encore environ 60 à 70 %, Samsung environ 25 à 30 %, et Micron comble le reste. Samsung pousse le rendement du HBM4E vers le haut et accélère les expéditions de HBM4 pour réduire l'écart avec SK Hynix et reprendre davantage de commandes à Nvidia.

Questions fréquentes

Qu'est-ce que le HBM4E ? Que signifie un rendement de 70 % chez Samsung ?

Le HBM4E est la 7e génération de mémoire à large bande passante (HBM), empilée à côté des accélérateurs IA pour alimenter rapidement les GPU en données. Le taux de rendement fait référence à la proportion de produits fonctionnels. Le rendement des tests de fiabilité du HBM4E de Samsung atteint 70 %, se rapprochant du seuil de 80 % considéré comme mature par l'industrie, ce qui indique que la qualité de production de masse s'approche d'un niveau permettant une expédition à grande échelle.

Samsung a-t-il rattrapé SK Hynix dans le domaine du HBM ?

Il est toujours en train de rattraper. SK Hynix domine depuis longtemps la fourniture de HBM à Nvidia, détenant environ 70 % de parts pour le HBM3E. Pour le HBM4 (accompagnant le Vera Rubin de Nvidia), Samsung détient environ 25 à 30 %. Samsung améliore le rendement du HBM4E et accélère les expéditions de HBM4 précisément pour réduire l'écart avec SK Hynix et obtenir davantage de commandes de Nvidia.