Toshiba lance le MOSFET de puissance à canal N 80V TPM1R408RH utilisant le procédé U-MOS11-H.

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Toshiba lance le MOSFET de puissance à canal N 80V TPM1R408RH utilisant le processus U-MOS11-H
Selon Jin10, Toshiba a annoncé le 30 juin le lancement du TPM1R408RH, un MOSFET à canal N de 80 V fabriqué avec sa technologie de processus U-MOS11-H de dernière génération. Le nouveau composant cible les alimentations à découpage dans les centres de données IA et les stations de base de télécommunications. Les expéditions ont commencé immédiatement après l'annonce.
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