HBM : « Mémoire dorée » sous le goulot d'étranglement de la puissance de calcul de l'IA, le marché explose de 58 % et la logique d'investissement en 2026

2026年6月22日，韩国资本市场迎来历史性一刻——SK海力士（000660.KS）盘中股价涨至295万韩元，市值触及208.1万亿韩元，首次超越三星电子（005930.KS）的207.3万亿韩元，打破了三星连续26年稳坐韩国市值头把交椅的纪录。这一里程碑的背后，是一场由生成式AI驱动的存储芯片产业权力重构。而这场重构的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。

Le 22 juin 2026, le marché des capitaux sud-coréen a connu un moment historique : l'action SK Hynix (000660.KS) a grimpé à 295 millions de wons en cours de séance, avec une capitalisation boursière atteignant 208 100 milliards de wons, dépassant pour la première fois les 207 300 milliards de wons de Samsung Electronics (005930.KS) et brisant le record de Samsung qui occupait la première place de la capitalisation boursière en Corée pendant 26 ans consécutifs. Derrière cette étape se trouve une restructuration du pouvoir de l'industrie des puces mémoire, alimentée par l'IA générative. Et le protagoniste central de cette restructuration est précisément la HBM (High Bandwidth Memory).

过去两年间，几乎所有关于AI算力的讨论都围绕着GPU展开。英伟达的芯片供不应求、台积电的先进制程产能满载，这些故事已被反复讲述。但在GPU的光环之下，一个更为隐蔽、也更为关键的瓶颈正在悄然收紧——HBM。没有足够的高带宽内存，再强大的算力芯片也只能空转。

Au cours des deux dernières années, presque toutes les discussions sur la puissance de calcul de l'IA ont tourné autour des GPU. Les puces de Nvidia sont en pénurie, la capacité de production des procédés avancés de TSMC est saturée — ces histoires ont été racontées maintes et maintes fois. Mais sous le halo des GPU, un goulot d'étranglement plus discret et plus crucial se resserre silencieusement : la HBM. Sans suffisamment de mémoire à haute bande passante, même les puces de calcul les plus puissantes ne peuvent que tourner à vide.

2026年，HBM正从半导体产业的一个细分品类，跃升为决定AI基础设施扩张速度的战略性稀缺资源。本文将从技术原理、市场逻辑、竞争格局与投资标的四个维度，系统拆解HBM为何成为AI时代的“黄金内存”。

En 2026, la HBM passe d'une sous-catégorie de l'industrie des semi-conducteurs à une ressource rare stratégique qui détermine la vitesse d'expansion de l'infrastructure de l'IA. Cet article décortiquera systématiquement pourquoi la HBM devient la « mémoire en or » de l'ère de l'IA, sous quatre angles : principes techniques, logique de marché, paysage concurrentiel et cibles d'investissement.

HBM技术原理：破解“内存墙”的3D堆叠革命

Principe technique de la HBM : la révolution de l'empilement 3D pour briser le « mur de la mémoire »

要理解HBM为何如此重要，首先需要回到一个基础问题：现代计算架构中，处理器与存储器之间的速度差距正在不断拉大。CPU或GPU的计算速度每18至24个月翻一番，但内存的带宽提升速度却远远跟不上。这一矛盾被称为“内存墙”（Memory Wall）——算力再强，如果数据无法及时送达，芯片只能空转等待。

Pour comprendre pourquoi la HBM est si importante, il faut d'abord revenir à une question fondamentale : dans les architectures informatiques modernes, l'écart de vitesse entre le processeur et la mémoire ne cesse de se creuser. La vitesse de calcul des CPU ou des GPU double tous les 18 à 24 mois, mais l'augmentation de la bande passante de la mémoire est loin de suivre. Cette contradiction est appelée le « mur de la mémoire » (Memory Wall) — aussi puissante que soit la puissance de calcul, si les données ne peuvent pas être acheminées à temps, la puce ne peut que tourner à vide en attendant.

HBM正是为解决这一瓶颈而生。它是一种高性能内存架构，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并使用穿透硅通孔（TSV）技术实现芯片之间的高速互联。简单来说，传统内存是将DRAM芯片平铺在电路板上，数据通过有限的引脚传输；而HBM将DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装，再通过数千条微细通道同时传输数据，带宽远超传统DDR内存。

La HBM est précisément conçue pour résoudre ce goulot d'étranglement. Il s'agit d'une architecture mémoire haute performance qui empile verticalement plusieurs puces DRAM et utilise la technologie de traversée de silicium par vias (TSV) pour réaliser des interconnexions à haute vitesse entre les puces. En termes simples, la mémoire traditionnelle dispose les puces DRAM à plat sur la carte de circuit, les données étant transmises via un nombre limité de broches ; la HBM, quant à elle, encapsule les puces DRAM verticalement comme des « tours empilées », puis transmet les données simultanément via des milliers de canaux microscopiques, offrant une bande passante bien supérieure à celle de la mémoire DDR traditionnelle.

HBM的独特设计使其拥有前所未有的带宽密度。以最新的HBM4为例，JEDEC于2025年4月发布的官方规范显示，HBM4的接口宽度翻倍至2,048位，单堆栈带宽可达每秒2 TB。三星量产的HBM4采用12层堆叠方案，单颗堆栈基础容量36 GB，引脚传输速率13 Gbps，单堆栈总带宽可达3.3 TB/s。

La conception unique de la HBM lui confère une densité de bande passante sans précédent. Prenons l'exemple de la dernière HBM4 : les spécifications officielles publiées par la JEDEC en avril 2025 montrent que la largeur d'interface de la HBM4 double pour atteindre 2 048 bits, et la bande passante par pile peut atteindre 2 To par seconde. La HBM4 de Samsung en production de masse adopte une configuration d'empilement à 12 couches, avec une capacité de base de 36 Go par pile, un taux de transmission de broches de 13 Gbps, et une bande passante totale par pile pouvant atteindre 3,3 To/s.

正是这种“高带宽+低功耗”的特性，使HBM成为AI训练与推理场景中不可替代的核心组件。大语言模型动辄数千亿参数，每一次前向与反向传播都需要在处理器与内存之间交换海量数据——只有HBM能够提供足够的带宽来支撑这一过程。

C'est précisément cette caractéristique de « haute bande passante + faible consommation d'énergie » qui fait de la HBM un composant central irremplaçable dans les scénarios d'entraînement et d'inférence de l'IA. Les grands modèles de langage comptent souvent des centaines de milliards de paramètres, et chaque propagation avant et arrière nécessite d'échanger des données massives entre le processeur et la mémoire — seule la HBM peut fournir la bande passante suffisante pour soutenir ce processus.

市场爆发：从134亿到546亿美元的跳跃

Explosion du marché : un bond de 13,4 à 54,6 milliards de dollars

HBM市场的扩张速度，正在重新定义整个存储芯片行业的增长曲线。

La vitesse d'expansion du marché de la HBM redéfinit la courbe de croissance de l'ensemble de l'industrie des puces mémoire.

根据Stratistics MRC的数据，2026年全球HBM市场规模预计将达到134亿美元，并在预测期内以34.1%的复合年增长率成长，到2034年有望达到1,410亿美元。而另一组来自SEMI的数据更为激进——SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成份额。

Selon les données de Stratistics MRC, la taille du marché mondial de la HBM devrait atteindre 13,4 milliards de dollars en 2026 et croître à un taux de croissance annuel composé de 34,1 % sur la période de prévision, pour atteindre 141 milliards de dollars d'ici 2034. Un autre ensemble de données de SEMI est encore plus agressif — Feng Li, président de SEMI Chine, a indiqué lors du SEMICON China 2026 que la taille du marché de la HBM en 2026 augmenterait de 58 % pour atteindre 54,6 milliards de dollars, représentant près de 40 % du marché de la DRAM.

两组数据口径不同，但指向同一个结论：HBM正以远超传统半导体品类的速度扩张。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球半导体市场总规模将达到9,750亿美元。而存储器2026年同比增长约250%，市场规模突破8,000亿美元。HBM正是存储器板块中增长最快、利润率最高的细分赛道。

Les deux ensembles de données diffèrent dans leurs méthodologies, mais convergent vers la même conclusion : la HBM se développe à un rythme bien supérieur à celui des catégories traditionnelles de semi-conducteurs. L'Organisation mondiale des statistiques du commerce des semi-conducteurs (WSTS) prévoit que la taille totale du marché mondial des semi-conducteurs atteindra 975 milliards de dollars en 2026. La mémoire, quant à elle, enregistrera une croissance d'environ 250 % en glissement annuel en 2026, avec une taille de marché dépassant les 800 milliards de dollars. La HBM est précisément le secteur le plus dynamique et le plus rentable du segment de la mémoire.

这一增长的核心驱动力来自AI基础设施的持续扩张。2026年全球AI基础设施支出将达到4,500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%。AI模型正从训练阶段向推理和代理式AI演进，这意味着对高性能存储的需求不仅没有放缓，反而在持续扩大。

Le moteur principal de cette croissance provient de l'expansion continue de l'infrastructure de l'IA. En 2026, les dépenses mondiales en infrastructure de l'IA atteindront 450 milliards de dollars, dont la part de la puissance de calcul d'inférence dépasse pour la première fois 70 %. Les modèles d'IA passent de la phase d'entraînement à l'inférence et à l'IA agentive, ce qui signifie que la demande de mémoire haute performance non seulement ne ralentit pas, mais continue de s'étendre.

供需失衡：产能售罄与结构性缺口

Déséquilibre offre-demande : capacité de production épuisée et déficit structurel

与市场规模同步攀升的，是日益严峻的供需失衡。

Parallèlement à la hausse de la taille du marché, le déséquilibre entre l'offre et la demande devient de plus en plus grave.

尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增或可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%至60%。2025年HBM缺口率达45%，2026年依旧维持43.5%的高位。机构测算显示，2026年全球DRAM供需缺口约7%、HBM缺口约6%，且紧缺态势持续加剧，2027年DRAM与HBM缺口将扩大至9%。

Bien que les trois fabricants originaux — Samsung, SK Hynix et Micron — aient consacré 70 % de leur nouvelle capacité ou capacité réaffectable à la HBM, le déficit de capacité de production de la HBM reste élevé, entre 50 % et 60 %. Le taux de déficit de la HBM était de 45 % en 2025 et reste à un niveau élevé de 43,5 % en 2026. Selon les estimations des institutions, l'écart global entre l'offre et la demande de DRAM dans le monde sera d'environ 7 % en 2026, et celui de la HBM d'environ 6 %, et la pénurie s'aggrave, avec un écart qui devrait passer à 9 % pour la DRAM et la HBM d'ici 2027.

更值得关注的是，三大原厂2026年的全部HBM产能早已经被下游客户全年锁定，不少核心客户甚至已将产能锁定至2028年。美光管理层在2026财年第三季度财报中公开确认，公司仅能满足客户实际需求的约50%至66%。高盛预计，存储市场供应短缺情况将持续至2028年。

Plus notable encore, toute la capacité de production de HBM des trois fabricants originaux pour 2026 a déjà été entièrement réservée par les clients en aval pour l'année entière, et de nombreux clients clés ont même verrouillé leur capacité jusqu'en 2028. La direction de Micron a publiquement confirmé dans son rapport financier du troisième trimestre de l'exercice 2026 que l'entreprise ne pouvait répondre qu'à environ 50 à 66 % de la demande réelle des clients. Goldman Sachs prévoit que la pénurie d'approvisionnement du marché de la mémoire se poursuivra jusqu'en 2028.

这种供需失衡并非短期脉冲，而是由多重结构性力量共同驱动的结果。需求端，AI模型的参数规模持续膨胀、推理需求的崛起构成了刚性支撑；供给端，TSV工艺的复杂性、先进封装的良率爬坡、以及设备交付周期等物理约束，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。国际投行普遍认为，HBM供不应求是至少三年级别的产业趋势。

Ce déséquilibre offre-demande n'est pas une impulsion à court terme, mais le résultat de multiples forces structurelles. Du côté de la demande, l'expansion continue de la taille des paramètres des modèles d'IA et l'essor de la demande d'inférence constituent un soutien rigide ; du côté de l'offre, la complexité du procédé TSV, la montée en cadence des rendements de l'encapsulation avancée et les contraintes physiques telles que les délais de livraison des équipements font que la libération de capacité supplémentaire ne pourra pas se produire avant 2028-2029 au plus tôt. Les banques d'investissement internationales estiment largement que la pénurie de HBM est une tendance industrielle d'au moins trois ans.

三巨头争霸：SK海力士、三星与美光的权力游戏

La lutte des trois géants : le jeu de pouvoir de SK Hynix, Samsung et Micron

HBM市场的竞争格局，正形成以SK海力士、三星电子与美光科技为核心的寡头结构。

Le paysage concurrentiel du marché de la HBM prend la forme d'une structure oligopolistique centrée sur SK Hynix, Samsung Electronics et Micron Technology.

SK海力士是目前HBM市场的绝对领先者。TrendForce数据显示，在2026年全球HBM生产位元占比中，SK海力士约占50%，三星约占28%，美光约占22%。Counterpoint Research的预测则更为细化，预计SK海力士2026年在HBM4市场的占有率约为54%，三星为28%，美光约为18%。这一领先地位直接反映在资本市场——SK海力士2026年第一季度营收达52.58万亿韩元，同比增长198%、环比增长60%，单季营收首次突破50万亿韩元。瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元，经营利润达286万亿韩元。

SK Hynix est actuellement le leader incontesté du marché de la HBM. Selon les données de TrendForce, SK Hynix représente environ 50 % de la part des bits de production mondiale de HBM en 2026, Samsung environ 28 % et Micron environ 22 %. Les prévisions de Counterpoint Research sont plus détaillées, estimant que la part de marché de SK Hynix dans le segment HBM4 en 2026 sera d'environ 54 %, celle de Samsung de 28 % et celle de Micron d'environ 18 %. Cette position de leader se reflète directement sur le marché des capitaux : au premier trimestre 2026, SK Hynix a réalisé un chiffre d'affaires de 52 580 milliards de wons, en hausse de 198 % sur un an et de 60 % par rapport au trimestre précédent, dépassant pour la première fois les 50 000 milliards de wons en un seul trimestre. UBS prévoit que le chiffre d'affaires total de SK Hynix en 2026 sera de 355 100 milliards de wons, avec un bénéfice d'exploitation de 286 000 milliards de wons.

三星则在经历HBM3E认证和供货节奏的波折后，正借助HBM4实现强势反攻。2026年2月12日，三星在韩国忠南天安园区完成HBM4的全球首发并启动大规模量产出货，仅约四个月后累计销售额便突破10亿美元，成为全球存储行业内首家达成这一里程碑的厂商。若以6月底为统计节点，HBM4累计销售额预计将超过12亿美元。三星计划在2026年底前将1c DRAM工艺节点月产能提升至约15万片，用于HBM4的量产。

Samsung, après avoir traversé des péripéties avec la certification et le rythme de livraison de la HBM3E, lance une contre-offensive vigoureuse grâce à la HBM4. Le 12 février 2026, Samsung a effectué le lancement mondial de la HBM4 sur son site de Cheonan, dans la province du Chungcheong du Sud, et a commencé la production de masse à grande échelle. En seulement quatre mois, les ventes cumulées ont dépassé 1 milliard de dollars, faisant de Samsung le premier fabricant mondial de mémoire à atteindre cette étape. Si l'on prend fin juin comme point de référence, les ventes cumulées de la HBM4 devraient dépasser 1,2 milliard de dollars. Samsung prévoit d'augmenter la capacité mensuelle de son nœud de procédé DRAM 1c à environ 150 000 tranches d'ici fin 2026, pour la production en masse de la HBM4.

美光虽然份额相对较小，但增速惊人。2026财年第三季度（截至5月31日），美光营收达414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%，调整后每股收益25.11美元，同比增长1,215%。美光HBM4 12层产品量产爬坡速度达到HBM3E 12层版本的两倍，公司已累计交付超过10亿美元的HBM4收入。美光管理层判断，HBM供需紧张将持续至2027年以后。

Bien que la part de marché de Micron soit relativement faible, sa croissance est fulgurante. Au troisième trimestre de l'exercice 2026 (clos le 31 mai), Micron a réalisé un chiffre d'affaires de 41,46 milliards de dollars, en hausse de 346 % sur un an, avec une marge brute de 84,9 % et un bénéfice par action ajusté de 25,11 dollars, en hausse de 1 215 % sur un an. La montée en cadence de la production du produit HBM4 à 12 couches de Micron est deux fois plus rapide que celle de la version à 12 couches de la HBM3E, et la société a déjà livré plus d'un milliard de dollars de revenus de HBM4. La direction de Micron estime que la tension offre-demande de la HBM se poursuivra au-delà de 2027.

整体DRAM市场方面，三星仍保持着综合优势。2026年第一季度，三星DRAM营收达373.2亿美元，环比增长93.4%，市占率38.5%排名第一；SK海力士营收279.8亿美元，环比增长62.5%，市占率28.8%。这一对比清晰地表明：SK海力士的市值超越并非建立在整体DRAM市场的全面压倒之上，而是源于HBM这一高利润细分市场的绝对统治力所带来的估值溢价。

Sur le marché global de la DRAM, Samsung conserve toujours un avantage global. Au premier trimestre 2026, le chiffre d'affaires DRAM de Samsung a atteint 37,32 milliards de dollars, en hausse de 93,4 % en glissement trimestriel, avec une part de marché de 38,5 %, se classant premier ; SK Hynix a réalisé un chiffre d'affaires de 27,98 milliards de dollars, en hausse de 62,5 % en glissement trimestriel, avec une part de marché de 28,8 %. Cette comparaison montre clairement que le dépassement de la capitalisation boursière de SK Hynix ne repose pas sur une domination écrasante de l'ensemble du marché de la DRAM, mais sur la prime de valorisation découlant de sa domination absolue dans le segment très rentable de la HBM.

HBM产业链上的投资机会

Opportunités d'investissement dans la chaîne de valeur de la HBM

HBM的超级周期正在沿产业链自上而下传导，为不同环节的投资标的创造了差异化机会。

Le super-cycle de la HBM se propage de haut en bas de la chaîne de valeur, créant des opportunités différenciées pour les cibles d'investissement à différents maillons.

第一梯队：三大存储原厂。 SK海力士、三星电子与美光科技凭借技术垄断和产能稀缺，赚取了产业链中的绝大部分超额利润，毛利率突破70%甚至80%。这三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。

Premier échelon : les trois fabricants de mémoire d'origine. SK Hynix, Samsung Electronics et Micron Technology, grâce à leur monopole technologique et à la rareté de leur capacité de production, captent la grande majorité des bénéfices excédentaires de la chaîne de valeur, avec des marges brutes dépassant 70 %, voire 80 %. Ces trois sociétés sont les bénéficiaires les plus directs et les plus centraux du cycle haussier de la HBM.

第二梯队：先进封装与封测。 HBM产能扩张直接拉动了先进封装需求。A股市场中，长电科技、通富微电、华天科技等封测龙头被市场资金聚焦。此外，半导体设备企业如北方华创、中微公司也受益于全球存储扩产带来的资本开支上行。

Deuxième échelon : encapsulation avancée et test. L'expansion de la capacité de production de la HBM stimule directement la demande d'encapsulation avancée. Sur le marché des actions A, les leaders de l'encapsulation et des tests tels que JCET, Tongfu Microelectronics et Huatian Technology attirent l'attention des capitaux du marché. En outre, les entreprises d'équipements semi-conducteurs comme NAURA Technology Group et AMEC bénéficient de la hausse des dépenses d'investissement liée à l'expansion de la production de mémoire dans le monde.

第三梯队：国内存储芯片与材料企业。 在全球DRAM与NAND供应持续紧张的背景下，国内存储芯片厂商迎来了国产替代的窗口期，兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等受到市场关注。6月以来，A股算力硬件概念股平均上涨19.05%。

Troisième échelon : entreprises chinoises de puces mémoire et de matériaux. Dans le contexte de la tension persistante de l'offre mondiale de DRAM et de NAND, les fabricants chinois de puces mémoire bénéficient d'une fenêtre de substitution nationale, et des sociétés comme GigaDevice, Ingenic Semiconductor, Dongxin Semiconductor et Puya Semiconductor attirent l'attention du marché. Depuis juin, les actions du concept de matériel de calcul de l'IA sur le marché A ont augmenté en moyenne de 19,05 %.

第四梯队：HBM设备与材料。 包括HBM设备（万润、弘塑）、封测（力成、京元电）以及AI服务器（广达、纬创、纬颖）等细分环节。

Quatrième échelon : équipements et matériaux pour la HBM. Cela comprend les équipements HBM (Wanrun, Hongsu), l'encapsulation et les tests (Powertech Technology, King Yuan Electronics) et les serveurs AI (Quanta Computer, Wistron, Wiwynn) parmi d'autres segments spécifiques.

加密行业的映射：HBM与数字资产的间接关联

Mappage de l'industrie crypto : le lien indirect entre la HBM et les actifs numériques

对于加密行业从业者与投资者而言，HBM的景气周期同样值得关注——虽然HBM与加密资产分属不同赛道，但两者之间存在清晰的逻辑传导链条。

Pour les professionnels et les investisseurs de l'industrie crypto, le cycle haussier de la HBM mérite également l'attention — bien que la HBM et les actifs cryptographiques appartiennent à des secteurs différents, il existe une chaîne logique de transmission claire entre les deux.

首先，AI算力基础设施的扩张直接推动了对GPU的需求，而GPU正是HBM的最大采购方。英伟达作为全球最大的HBM采购方，其芯片的产能与出货节奏直接影响着HBM的供需平衡。加密 mining 行业作为GPU的重要下游市场之一，同样受到这一供应链动态的间接影响——当AI算力需求挤占GPU产能时，加密 mining 硬件的获取成本与难度随之上升。

Premièrement, l'expansion de l'infrastructure de calcul de l'IA stimule directement la demande de GPU, et les GPU sont les plus grands acheteurs de HBM. Nvidia, en tant que plus grand acheteur mondial de HBM, voit la capacité de production et le rythme de livraison de ses puces affecter directement l'équilibre offre-demande de la HBM. L'industrie du minage de crypto-monnaies, en tant que l'un des principaux marchés en aval des GPU, est également indirectement affectée par cette dynamique de la chaîne d'approvisionnement — lorsque la demande de calcul de l'IA empiète sur la capacité des GPU, le coût et la difficulté d'obtention du matériel de minage augmentent.

其次，HBM三巨头的股价表现已成为衡量AI基础设施投资热度的风向标。2026年6月，Gate正式上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT在平台内交易美光、三星电子、SK海力士等主流证券市场的股票与ETF资产。这意味着加密投资者可以通过这一通道，直接参与HBM超级周期的投资机会。

Deuxièmement, la performance boursière des trois géants de la HBM est devenue un indicateur de la chaleur des investissements dans l'infrastructure de l'IA. En juin 2026, Gate a officiellement lancé une fonction de trading d'actions réelles, permettant aux utilisateurs de trader directement des actions et des ETF de marchés boursiers traditionnels comme Micron, Samsung Electronics et SK Hynix en utilisant des USDT sur la plateforme. Cela signifie que les investisseurs crypto peuvent participer directement aux opportunités d'investissement du super-cycle de la HBM via ce canal.

截至2026年6月26日，比特币报价约59,592美元，较2025年10月的历史高点126,223美元已下跌超过52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市场整体承压的背景下，HBM产业链的独立景气周期为投资者提供了跨资产类别的配置视角——传统半导体硬件的结构性短缺与超额利润，与加密资产的周期波动形成了某种程度的对冲关系。

Au 26 juin 2026, le Bitcoin s'échangeait à environ 59 592 dollars, en baisse de plus de 52 % par rapport à son sommet historique de 126 223 dollars en octobre 2025. L'Ethereum a également faibli pour atteindre environ 1 510 dollars. Dans le contexte général de pression sur le marché crypto, le cycle haussier indépendant de la chaîne de valeur de la HBM offre aux investisseurs une perspective de répartition entre classes d'actifs — la pénurie structurelle et les bénéfices excédentaires du matériel semi-conducteur traditionnel créent une sorte de relation de couverture avec les fluctuations cycliques des actifs cryptographiques.

结语：HBM不是泡沫，是物理定律

Conclusion : la HBM n'est pas une bulle, c'est une loi de la physique

HBM的火热并非资本市场凭空制造的题材。它的底层逻辑建立在三个不可回避的物理与产业现实之上：AI模型参数量的指数级增长对内存带宽提出了刚性需求；TSV 3D堆叠工艺的复杂性使得产能释放天然缓慢；而全球具备HBM量产能力的企业仅有SK海力士、三星与美光三家。

L'engouement pour la HBM n'est pas un thème fabriqué de toutes pièces par le marché des capitaux. Sa logique sous-jacente repose sur trois réalités physiques et industrielles incontournables : la croissance exponentielle du nombre de paramètres des modèles d'IA impose une demande rigide en bande passante mémoire ; la complexité du procédé d'empilement 3D TSV rend la libération de capacité naturellement lente ; et seules trois entreprises dans le monde — SK Hynix, Samsung et Micron — disposent de la capacité de production en masse de la HBM.

这不是一个可以无限复制的故事。生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍。一座2nm晶圆厂的建设成本已超250亿美元。这些数字背后是实实在在的物理约束与资本门槛——它们构成了HBM供给端最坚固的护城河，也决定了这一轮“内存黄金时代”的持续时间不会短暂。

Ce n'est pas une histoire qui peut être reproduite indéfiniment. La capacité de tranches nécessaire à la production de la HBM est environ 3 à 4 fois supérieure à celle de la DRAM traditionnelle. Le coût de construction d'une usine de tranches de 2 nm dépasse déjà 25 milliards de dollars. Ces chiffres cachent des contraintes physiques et des barrières de capital bien réelles — elles constituent le fossé le plus solide du côté de l'offre de la HBM et déterminent que la durée de cette « ère d'or de la mémoire » ne sera pas brève.

高盛等多家投行给出的结论高度一致：这场“内存荒”绝非短期脉冲，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。对于投资者而言，理解HBM不仅是为了把握一个投资赛道，更是为了理解AI时代底层基础设施的运行逻辑——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是喂饱算力的那条“数据管道”。

Les conclusions de Goldman Sachs et de plusieurs autres banques d'investissement sont très cohérentes : cette « pénurie de mémoire » n'est en aucun cas une impulsion à court terme, et la pénurie structurelle de la HBM, où l'offre ne répond pas à la demande, durera au moins jusqu'en 2028. Pour les investisseurs, comprendre la HBM n'est pas seulement une question de saisir une piste d'investissement, mais aussi de comprendre la logique de fonctionnement de l'infrastructure sous-jacente de l'ère de l'IA — au sommet de la pyramide de la puissance de calcul, ce qui manque le plus souvent n'est pas la puissance de calcul elle-même, mais le « pipeline de données » qui alimente cette puissance de calcul.

FAQ

FAQ

1. HBM和传统内存有什么区别？

1. Quelle est la différence entre la HBM et la mémoire traditionnelle ?

HBM通过TSV硅通孔技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，实现远超传统DDR内存的带宽密度。传统内存为平面布局，数据传输通道有限；HBM的接口宽度可达2,048位，单堆栈带宽突破2 TB/s。HBM主要面向AI训练、高性能计算等带宽密集型场景，而传统内存更适用于通用计算与消费电子。

La HBM empile verticalement plusieurs puces DRAM via la technologie de vias traversants en silicium (TSV), réalisant une densité de bande passante bien supérieure à celle de la mémoire DDR traditionnelle. La mémoire traditionnelle a une disposition plane avec des canaux de transmission de données limités ; la HBM peut atteindre une largeur d'interface de 2 048 bits et une bande passante par pile dépassant 2 To/s. La HBM est principalement destinée aux scénarios à forte consommation de bande passante comme l'entraînement de l'IA et le calcul haute performance, tandis que la mémoire traditionnelle est plus adaptée à l'informatique générale et à l'électronique grand public.

2. 为什么HBM产能这么紧张？

2. Pourquoi la capacité de production de la HBM est-elle si tendue ?

三大原因：第一，生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍；第二，TSV工艺与先进封装的良率爬坡缓慢，设备交付周期长；第三，全球仅三家厂商具备量产能力，2026年产能已全部售罄。三重约束叠加，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。

Trois raisons principales : premièrement, la capacité de tranches nécessaire à la production de la HBM est environ 3 à 4 fois supérieure à celle de la DRAM traditionnelle ; deuxièmement, la montée en cadence des rendements du procédé TSV et de l'encapsulation avancée est lente, et les délais de livraison des équipements sont longs ; troisièmement, seuls trois fabricants dans le monde ont une capacité de production en masse, et toute la capacité de 2026 est déjà épuisée. La combinaison de ces trois contraintes fait que la libération de capacité supplémentaire ne pourra pas se produire avant 2028-2029 au plus tôt.

3. HBM相关股票有哪些？

3. Quelles sont les actions liées à la HBM ?

三大存储原厂：SK海力士（000660.KS）、三星电子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵盖先进封装（长电科技、通富微电、华天科技）、半导体设备（北方华创、中微公司）、存储芯片（兆易创新、北京君正）等环节。

Les trois fabricants de mémoire d'origine : SK Hynix (000660.KS), Samsung Electronics (005930.KS), Micron Technology (MU.O). Les concepts HBM sur le marché A comprennent l'encapsulation avancée (JCET, Tongfu Microelectronics, Huatian Technology), les équipements semi-conducteurs (NAURA Technology Group, AMEC), les puces mémoire (GigaDevice, Ingenic Semiconductor) et d'autres maillons.

4. HBM的高毛利能持续多久？

4. Combien de temps la marge brute élevée de la HBM peut-elle durer ?

三大原厂毛利率已突破70%甚至80%。美光管理层判断HBM供需紧张将持续至2027年以后。高盛预计供应短缺将持续至2028年。只要AI基础设施资本开支不减速，HBM的高毛利周期就有望延续。

Les marges brutes des trois fabricants originaux ont déjà dépassé 70 %, voire 80 %. La direction de Micron estime que la tension offre-demande de la HBM se poursuivra au-delà de 2027. Goldman Sachs prévoit que la pénurie d'approvisionnement se poursuivra jusqu'en 2028. Tant que les dépenses d'investissement dans l'infrastructure de l'IA ne ralentissent pas, le cycle de marge brute élevée de la HBM devrait se poursuivre.

5. 加密投资者如何参与HBM行情？

5. Comment les investisseurs crypto peuvent-ils participer au cycle de la HBM ?

Gate已上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT交易美光、三星电子、SK海力士等股票与ETF资产。此外，HBM的供需变化将沿GPU产业链传导至加密资产挖矿设备领域，为跨资产配置提供间接的参考信号。

Gate a déjà lancé une fonction de trading d'actions réelles, permettant aux utilisateurs de trader directement des actions et des ETF de Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, etc., en utilisant des USDT. En outre, les changements dans l'offre et la demande de HBM se transmettront le long de la chaîne de valeur des GPU jusqu'au secteur des équipements de minage de crypto-monnaies, fournissant un signal de référence indirect pour la répartition entre classes d'actifs.