🚨 Rapport le plus récent de Citrini Research : La révolution de la mémoire AI remplaçant la DRAM par Flash

L'acquisition par AMD de MEXT optimise la performance du stockage flash, se rapprochant de la DRAM, Apple promeut la solution « LLM in a Flash » côté terminal — deux géants agissent simultanément, ce n'est pas une coïncidence, c'est un signal que l'architecture de la mémoire AI est en train de subir une migration structurelle.
Une seule donnée clé suffit : le coût du flash n'est que de 1/55 de celui de la DRAM. *HBM représente déjà 25 % de la capacité de production de la DRAM, la pression de la « taxe mémoire » atteint un point critique. Grâce à l'optimisation du contrôleur, l'empilement NAND et l'ajustement du mode d'unité, le Flash devient une véritable alternative à la capacité et à la bande passante AI en périphérie. C'est aussi la base théorique derrière la forte hausse récente des actions de stockage, représentées par SanDisk ($SNDK ).
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L'essence de cette logique n'est pas « le flash remplace la DRAM », mais plutôt que le niveau de mémoire pour l'inférence AI est en train d'être reconstruit.
Les caches KV à basse fréquence, les poids du modèle, les données côté terminal, peuvent descendre du coûteux HBM/DRAM vers le niveau NAND Flash/SSD. Le Flash ne remplace pas le HBM, mais il prend en charge le besoin de débordement en capacité — la demande de stockage AI est si grande qu'une architecture multi-niveaux doit coexister.
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Quatre niveaux de transmission des bonnes nouvelles :
① Fabricants de NAND (le plus direct)
NAND à haute capacité, SSD d'entreprise, NAND QLC sont la voie la plus pure.
Actions américaines : SNDK, WDC, MU, Kioxia
Pureté logique : SNDK / WDC / Kioxia > MU
② Contrôleurs SSD (le plus durable)
Ce qui rapproche vraiment le Flash de l'expérience mémoire, ce sont les contrôleurs, le firmware, l'optimisation de l'architecture NVMe — pas seulement la hausse des prix des particules.
Actions américaines : SIMO, MRVL
Actions taïwanaises : Phison
③ Interconnexion haute vitesse CXL / PCIe
Les données déplacées du Flash vers l'unité de calcul, le canal lui-même a de la valeur.
Actions américaines : ALAB, RMBS, CRDO
④ Mise à niveau du stockage AI côté terminal
Apple LLM in a Flash : les poids du modèle résident dans la mémoire flash de l'iPhone/Mac, favorisant la migration du stockage terminal de 256 Go à 1 To, augmentant la demande centrale en NAND.
Bénéficiés : MU, Samsung, Kioxia, Phison
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Correspondance avec le marché A :
Le plus direct → Jiangbolong, Baiwei Storage, Demingli
Noyau de la mise à niveau de l'architecture → Lankei Technology (CXL + interface mémoire)
Plateforme nationale → GigaDevice, Beijing Junzheng
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Deux conclusions :
Elasticité à court terme : SNDK, WDC, SIMO, Phison, Jiangbolong, Baiwei Storage
Certitude à moyen et long terme : MU, MRVL, ALAB, Lankei Technology