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SK Hynix prévoit de commencer la production en série de NAND de 375 couches d'ici la fin de l'année, le remplacement du tungstène par du molybdène pourrait contribuer à améliorer les performances

金色财经_
Gold Financial reports that on June 11, according to South Korean tech media 《THEELEC》, SK Hynix has completed production verification of the next-generation V10 series 375-layer 3D NAND flash memory, and is advancing the production line transition, aiming to achieve mass production through upgrades of existing factories by 2026, challenging Samsung Electronics' leading position in ultra-high stacking technology. The biggest highlight of this technological iteration is the material innovation in the metal wiring layer, replacing some word lines from traditional tungsten with molybdenum. As 3D NAND advances beyond 600 layers, molybdenum materials are expected to become the core key in the era of ultra-high stacking.
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