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MarsBitNews
La nouvelle mémoire NAND flash résistante aux radiations est 30 fois plus performante que la mémoire flash traditionnelle
Georgia Institute of Technology aux États-Unis a développé un nouveau type de mémoire flash ferroelectrique NAND, utilisant un matériau d'oxyde d'hafnium compatible avec la technologie en silicium, doté de propriétés ferroelectriques auto-polarisantes et réversibles. Cette mémoire flash possède une forte capacité de traitement des tâches d'IA, une résistance aux radiations 30 fois supérieure à celle des mémoires flash traditionnelles, et peut supporter jusqu'à 1 million de rads lors des tests, ce qui équivaut à 100 millions d'expositions aux rayons X. L'article a été publié dans Nano Letters, montrant le potentiel d'application dans le stockage d'informations, la détection, l'IA et les puces à faible consommation d'énergie.
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