Je me suis récemment concentré sur le secteur de la mémoire, et j'ai constaté que beaucoup de gens ne comprennent pas vraiment la logique derrière. Ce sont tous des actions liées à la mémoire, mais leur position dans la chaîne d'approvisionnement est totalement différente, et leurs modes de profit sont aussi très variés.



Pour faire une classification simple, l'industrie de la mémoire se divise en trois niveaux. En haut de la chaîne, il y a les leaders qui produisent directement les puces — comme Nanya Technology, Winbond, Macronix —, ils ont la plus grande flexibilité de profit, mais aussi la volatilité la plus forte, et ils sont les plus influencés par le cycle économique. Au milieu, il y a les entreprises qui contrôlent les circuits intégrés et les modules, comme Phison, TeamGroup, leur avantage concurrentiel vient de l’intégration logicielle, et leurs profits sont plutôt plus stables. En haut, il y a les trois géants mondiaux — Micron, Samsung, SK Hynix —, qui détiennent plus de 94 % du marché mondial de la DRAM, et ont le pouvoir de fixation des prix.

J’ai récemment remarqué un phénomène : lorsque ces grands acteurs internationaux investissent massivement dans la capacité de production de HBM pour l’IA, les fabricants taïwanais peuvent en profiter pour recevoir de nombreuses commandes de transfert. C’est pourquoi cette année, la performance des actions liées au concept DDR5 est particulièrement à surveiller.

En parlant de volatilité, les actions de mémoire sont vraiment dans un cycle éternel — pénurie → expansion de la capacité → surproduction → chute des prix → réduction de la production → nouvelle pénurie. Ce cycle se répète tous les quelques années. Selon la dernière prévision de Nomura, au deuxième trimestre cette année, les prix de la DRAM et du NAND ont respectivement augmenté de 51 % et 50 % en glissement mensuel, bien plus que les 6 % et 20 % initialement prévus.

Pourquoi cette volatilité si forte ? Il y a principalement trois raisons. Premièrement, c’est une industrie très cyclique, impossible à éviter. Deuxièmement, construire une usine de mémoire coûte plusieurs milliards de dollars, et si le moment d’investissement est mal choisi, la capacité produite peut arriver sur le marché alors que la demande a déjà changé. Troisièmement, le marché mondial de la mémoire est très concentré, quelques entreprises décident du cycle de prix entier.

Si vous cherchez des actions américaines, Micron est celle que je préfère. C’est la seule entreprise aux États-Unis capable de produire à grande échelle de la DRAM et du NAND. Avec l’expansion continue de la capacité de HBM, la rentabilité s’améliore nettement. SK Hynix est aussi une bonne option, c’est le leader mondial en livraison de HBM, avec HBM3e et HBM4 déjà en production, bénéficiant directement de la demande explosive pour la puissance de calcul IA.

Du côté du marché taïwanais, Nanya Technology est la cible la plus purement axée sur la DRAM. Elle se concentre sur la fabrication de DRAM, et l’application de l’IA est devenue un moteur principal de croissance, avec des produits de mémoire IA personnalisés qui commencent à contribuer aux revenus. Winbond adopte une stratégie de niche, en se concentrant sur la DRAM spéciale et le NOR Flash, avec une présence stable dans l’électronique grand public, l’industrie et le secteur automobile, avec une volatilité de profit relativement faible. Phison est l’une des entreprises avec la plus haute pureté en NAND Flash, et la pénurie d’offre de NAND reste proche de 20 %, combinée à la demande quasi illimitée de stockage de données liée à l’IA, il est difficile à court terme de changer cette situation de sous-approvisionnement.

Ce qui rend le concept DDR5 particulièrement intéressant, c’est la rapide pénétration de cette norme. Lann Technology se concentre sur la mémoire DDR5 et les puces de tampon HBM, et détient une position de quasi-monopole dans ce domaine, avec un potentiel de croissance très clair.

Pour la stratégie de trading, je recommande deux approches. Si vous avez une tolérance au risque élevée, faites du trading de swing — commencez à accumuler lentement au creux du cycle, puis sortez progressivement lorsque les prix montent fortement et que l’enthousiasme du marché devient excessif. La tendance des prix de la mémoire est toujours à la hausse, et la pénurie d’offre à court terme est difficile à résoudre, donc détenir des actions de fabricants et de modules a encore un potentiel de hausse.

Si votre tolérance au risque est faible, attendez que les actions de mémoire chutent profondément avant d’entrer. La caractéristique cyclique de la mémoire est que les chutes sont souvent très profondes, et le creux du cycle est généralement le meilleur moment pour entrer. Surveillez trois choses : l’évolution des contrats de DRAM, le moment où les stocks dans la chaîne d’approvisionnement commencent à diminuer après avoir atteint un sommet, et si les principaux fabricants réduisent leurs investissements en capital.

Pour finir, je tiens à souligner que les actions de mémoire ne sont pas fondamentalement des actions de croissance stable, mais plutôt des actifs de trading cyclique. Il ne s’agit pas de trouver une entreprise à détenir en permanence, mais de savoir à quel stade du cycle économique on se trouve. Les actions de mémoire qui ont beaucoup chuté lors de la dernière baisse sont devenues des stars cette fois grâce à la pénurie d’offre liée à l’IA. La mémoire, c’est une question de rythme, pas d’entreprise en soi.

Si vous ne suivez pas encore ce secteur, c’est le bon moment pour commencer. Ouvrez un compte démo, passez quelques semaines à observer l’évolution des contrats de DRAM, à suivre les résultats financiers et les investissements des principaux fabricants, et à pratiquer l’évaluation du stade actuel du cycle mémoire. Une fois que vous maîtriserez mieux le cycle, vous pourrez envisager d’investir avec de petites sommes en réel.
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