La dixième génération de NAND+SiC+substrat en verre, Samsung Electronics, dont l'activité principale s'améliore, veut relancer le « moteur de croissance future »

Au cours des dernières années, au milieu d’une concurrence féroce sur le marché de la DRAM et de l’HBM, de nombreuses nouvelles activités de semi-conducteurs de Samsung Electronics ont été mises en suspens.
Et avec la stabilisation des principales activités de mémoire, la société pourrait relancer ses efforts pour la prochaine génération de semi-conducteurs.

Selon ETNews, la division DS de Samsung Electronics discute de la reprise de la recherche et du développement ainsi que des investissements pour la prochaine génération de semi-conducteurs.
Il est rapporté que l’accent de ces discussions porte sur le calendrier des investissements dans la R&D et les installations, y compris la prochaine génération de NAND Flash, les semi-conducteurs à base de composés et les substrats.

Une source proche du dossier a révélé que Samsung Electronics partage des informations sur le développement technologique et les investissements dans les installations avec ses partenaires.
La société estime que sa compétitivité fondamentale dans le domaine de la mémoire a été restaurée à un certain niveau, et commence donc à relancer l’innovation pour ses moteurs de croissance futurs.
Il est prévu que certains plans clés pour de nouvelles activités soient finalisés très bientôt.

Dans un contexte où l’industrie de l’intelligence artificielle connaît une croissance florissante, quelles directions Samsung considère-t-elle comme ses moteurs de croissance futurs ?

La 10ème génération de NAND “V10”

L’année dernière, Samsung Electronics avait prévu de construire une ligne de production de NAND de dixième génération (V10) au premier semestre de cette année, et de commencer la production en série au second semestre.
Cependant, à ce jour, les commandes d’achat n’ont pas encore été officiellement lancées.

Selon les rapports, Samsung Electronics a relancé ses investissements dans le V10, c’est-à-dire la NAND à 400 couches.
En raison de l’augmentation significative du nombre de couches, les trous de passage pour l’échange de signaux entre les unités de stockage empilées verticalement doivent être plus profonds.
Pour cela, Samsung Electronics adoptera une technologie de gravure à basse température, qui est actuellement en phase finale de sélection du fournisseur d’équipements de gravure à basse température.

De plus, le V10 utilisera également le collage “W2W” entre les wafers, et introduira une technologie de traitement laser pour la découpe précise des wafers.
Cette technologie vise à améliorer la performance et le taux de rendement de la NAND en utilisant une méthode de découpe qui minimise la production de particules étrangères et n’affecte pas les microcircuits.

GaN et SiC

Une autre nouvelle activité que Samsung Electronics relance concerne les semi-conducteurs à base de composés, notamment le Gallium Nitride (GaN) et le Carbure de Silicium (SiC).
Déjà en 2023, Samsung Electronics avait commencé à se transformer vers la production de GaN et SiC pour maximiser l’efficacité de ses lignes de fabrication de semi-conducteurs de 8 pouces.

Il est rapporté que Samsung Electronics a entamé des discussions avec certains partenaires concernant l’extension des équipements nécessaires à la production de SiC.
Des experts du secteur prévoient que Samsung commencera à établir une chaîne d’approvisionnement cette année, avec un prototype de ligne de production pilote prévu pour 2027, et une production en série de SiC débutant en 2028.

Des sources indiquent que Samsung Electronics a commencé à promouvoir activement ses activités GaN et SiC, et les considère comme des axes stratégiques importants.

Substrats en verre

Selon les rapports, Samsung Electronics cherche à accélérer la diffusion et l’application des substrats en verre en collaborant avec plusieurs entreprises de la chaîne d’approvisionnement des substrats.

Les substrats en verre sont un type de substrat d’emballage, qui présentent des avantages uniques dans des applications à haute densité d’interconnexion et de transmission de signaux à haute fréquence.
Un expert a déclaré : « Samsung Electronics contacte plusieurs fournisseurs pour comparer et analyser les performances et la qualité des substrats en verre. »
Il a ajouté : « Selon nos informations, ils coordonnent soigneusement une stratégie de diversification de la chaîne d’approvisionnement pour promouvoir l’introduction des substrats en verre. »

Par ailleurs, SoCAMM, un module de mémoire à faible consommation d’énergie en pleine émergence, pourrait également devenir un point focal pour Samsung Electronics.
Il est rapporté que Samsung Electronics produit à grande échelle le SoCAMM2 pour des applications d’intelligence artificielle telles que Nvidia, et prévoit d’augmenter l’offre pour répondre à la demande future.

(Source : Caixin)