La chute du géant japonais des semi-conducteurs de puissance

En mars 2026, l'industrie japonaise des semi-conducteurs de puissance a connu deux annonces majeures en l'espace de quelques jours, susceptibles de bouleverser la configuration du secteur.

Le 2 mars, le « Nikkan Kogyo Shimbun » a révélé que Mitsubishi Electric était en pourparlers avec Toshiba pour une restructuration de leurs activités de semi-conducteurs de puissance ; seulement quatre jours plus tard, le « Nihon Keizai Shimbun » a publié une autre grande nouvelle : le géant des pièces automobiles DENSO a officiellement présenté une offre publique d'achat complète pour le fabricant de semi-conducteurs ROHM, pour un montant pouvant atteindre 1,3 trillion de yens (environ 83 milliards de dollars), établissant ainsi un record récent de fusion-acquisition dans l'industrie japonaise des semi-conducteurs.

Suite à cette annonce, le marché a réagi de manière très divisée. Certains soutiennent que cela pourrait marquer le début d'une ère d'intégration du secteur des semi-conducteurs de puissance au Japon ; d'autres analystes restent sceptiques : cette démarche d’EPCO (DENSO) est-elle une stratégie à long terme ou simplement une opération à prix élevé pour s’emparer d’un fardeau difficile ?

Quoi qu’il en soit, ces deux événements pointent vers une même réalité : les contradictions structurelles accumulées depuis longtemps dans l’industrie japonaise des semi-conducteurs de puissance éclatent simultanément. Ce royaume technologique, autrefois dominant mondialement, se trouve aujourd’hui contraint de chercher de nouvelles voies face à des pressions internes et externes.

Les années glorieuses : l’âge d’or des semi-conducteurs de puissance japonais

Il y a vingt ans, c’était l’époque la plus brillante des semi-conducteurs de puissance japonais.

Contrairement aux puces logiques ou de stockage, peu visibles du grand public, les semi-conducteurs de puissance sont indispensables dans la civilisation industrielle, servant de commutateurs électriques. De moteurs industriels à la traction des trains à grande vitesse, en passant par les climatiseurs domestiques ou les modules de conversion d’énergie pour véhicules électriques, tout ce qui concerne la gestion et la transformation de l’énergie électrique en dépend.

Pour une île dont la dépendance aux importations énergétiques atteint 90 %, ces héros invisibles, capables d’améliorer considérablement l’efficacité énergétique, ne concernent pas seulement la compétitivité industrielle, mais revêtent aussi une importance stratégique cruciale.

Selon le classement mondial des semi-conducteurs de puissance d’Omdia en 2021, cinq entreprises japonaises figuraient dans le top 10 : Mitsubishi Electric (4e), Fuji Electric (5e), Toshiba (6e), Renesas Electronics (9e), ROHM (10e), représentant ensemble plus de 20 % du marché mondial.

Ces chiffres traduisent la richesse technologique accumulée sur un demi-siècle et le poids de la chaîne d’approvisionnement japonaise. Ces cinq acteurs ont construit des barrières technologiques solides dans des composants clés comme l’IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) ou le MOSFET, grâce à un contrôle qualité précis et une réponse extrême aux besoins de personnalisation, gagnant ainsi la confiance des clients industriels et automobiles mondiaux.

Le gouvernement japonais nourrit également de grands ambitions : le projet stratégique de 2024 prévoit d’augmenter la part de marché mondiale des entreprises japonaises de 20 % à 40 % d’ici 2030, en faisant des semi-conducteurs de puissance un nouveau moteur de croissance pour l’industrie japonaise. Le ministère de l’Économie, du Commerce et de l’Industrie (METI) a lancé des subventions importantes — 70,5 milliards de yens pour Fuji Electric et DENSO, 129,4 milliards pour ROHM et Toshiba — témoignant de cette volonté.

Mais alors que le plan est à son apogée, la réalité commence à évoluer à contre-courant à une vitesse visible à l’œil nu.

L’impact de la Chine : une double pression sur le marché final et la chaîne d’approvisionnement

Les difficultés de l’industrie japonaise des semi-conducteurs de puissance ne peuvent être comprises sans prendre en compte la variable chinoise. Ces cinq dernières années, la Chine a exercé une double pression : la disparition du marché final et la montée en puissance de la chaîne d’approvisionnement.

Commençons par le marché final. Les véhicules électriques (VE) constituent le principal domaine d’application pour les semi-conducteurs de puissance, notamment les dispositifs en carbure de silicium (SiC). Les entreprises japonaises espéraient profiter de la boom de la demande mondiale liée à l’électrification, mais la réalité est que la pénétration des VE au Japon reste inférieure à 10 %, bien loin des plus de 60 % en Chine.

Les entreprises japonaises profondément liées à Toyota, Honda et autres constructeurs locaux, comme ROHM, Mitsubishi Electric ou Fuji Electric, ont basé leur expansion en capacité de SiC sur l’hypothèse d’une électrification rapide de l’industrie automobile japonaise. Quand cette hypothèse s’effondre, le retour sur investissement des investissements massifs s’allonge indéfiniment.

Passons à la chaîne d’approvisionnement.

D’abord, les composants en silicium comme l’IGBT et le MOSFET. L’IGBT, composant clé des semi-conducteurs de puissance, est essentiel dans le système électrique de trois parties d’un VE : moteur, gestion électronique et batterie. C’est aussi un produit à forte valeur ajoutée dont Mitsubishi Electric et Fuji Electric ont longtemps détenu une position dominante sur le marché mondial des modules IGBT.

L’émergence mondiale des véhicules électriques et des onduleurs photovoltaïques a bouleversé la dynamique concurrentielle de l’industrie IGBT. Les fabricants locaux chinois, comme CRRC Times Electric, StarPower, BYD Semiconductor ou CR Micro, ont rapidement émergé grâce à la demande de ces deux marchés.

Par ailleurs, la Chine a développé un modèle intégré « composants + modules + systèmes complets », avec des acteurs comme BYD Semiconductor qui produisent à la fois des puces IGBT, des modules de puissance et des systèmes de propulsion électrique, répondant aux exigences systémiques de l’ère des véhicules électriques. À l’inverse, les entreprises japonaises, dépendantes d’un marché industriel à croissance lente et conservatrices dans leur expansion vers le marché automobile, ont vu leur avance freinée par des coûts de fabrication élevés et une chaîne d’approvisionnement prudente, laissant peu à peu la place aux acteurs chinois.

Pour le MOSFET et l’IGBT, la situation est similaire : dans les applications de faible à moyen voltage (électronique grand public, variateurs industriels, contrôle domestique), les fabricants chinois, grâce à une meilleure maîtrise des coûts et une demande plus large, ont déjà dépassé les Japonais, notamment avec des parts de marché combinées supérieures à 10 % pour des acteurs comme CR Micro ou Silan Microelectronics. Le marché traditionnel des MOSFET japonais de milieu et bas voltage est désormais largement conquis par la Chine.

On peut dire que, sur la ligne de front des composants en silicium, les fabricants japonais ont reculé du combat pour la simple préservation de parts de marché vers une position de niche dans les modules haut de gamme et les applications industrielles spécialisées.

Concernant le carbure de silicium, la chaîne de valeur se divise en deux segments : la fabrication des substrats (wafers), très difficile, où la maîtrise du taux de rendement est cruciale ; et la fabrication des dispositifs, qui consiste à réaliser la photolithographie et l’emballage sur ces substrats. La force historique des entreprises japonaises réside dans la fabrication des dispositifs, notamment ROHM, qui a longtemps représenté le sommet mondial en intégration verticale pour ses MOSFET SiC.

Mais le vrai défi est le substrat, pièce maîtresse de toute la chaîne. La production de substrats SiC coûte 30 à 40 % du total, et la faible coût de l’électricité en Chine a permis aux fabricants locaux de s’imposer rapidement. Entre 2022 et 2025, Tianyu Advanced et Tianke Heda ont connu une croissance fulgurante, passant de simples concurrents à des leaders du marché.

Aujourd’hui, la configuration mondiale du marché des substrats SiC a été totalement bouleversée. Tianke Heda détient environ 17,3 % de parts de marché mondiale, Tianyu Advanced environ 17,1 %, leur total dépassant un tiers du marché mondial. La capacité annuelle de wafers conducteurs de Tianyu à Shanghai atteint 300 000 pièces, avec un objectif à long terme de 960 000 ; Tianke Heda, implantée à Pékin, Jiangsu et Shenzhen, prévoit 250 000 wafers en 2024. La clé est que Tianyu a déjà lancé la production en série de wafers de 8 pouces, et développe des wafers de 12 pouces, augmentant la capacité de plus de 40 % par wafer.

Les coûts ont également atteint des niveaux incroyables : le coût de production des wafers SiC chinois est environ 60 % inférieur à celui des importations. Par exemple, un wafer SiC de 6 pouces coûte environ 18 000 yens (120 dollars), contre environ 40 000 yens (270 dollars) pour un équivalent japonais. Cette différence de coût rend toute entreprise japonaise dépendante des importations vulnérable face à une concurrence chinoise.

Si la Chine a déjà pris une avance sur le substrat, la course sur le dispositif SiC se resserre à une vitesse visible.

La fabrication de dispositifs SiC exige une précision extrême, notamment pour l’etching, l’implantation ionique ou l’oxydation, où la maîtrise des défauts est plus rigoureuse que pour le silicium. Il y a trois ans, on estimait que la différence technologique entre la Chine et le Japon ou l’Europe était de 3 à 5 ans ; aujourd’hui, grâce à la montée en puissance chinoise, certains produits sont à moins de 3 ans, voire 2-3 ans pour certains segments.

Les chiffres indiquent qu’en 2024, le marché chinois des dispositifs SiC atteindra environ 20 milliards de yuans, avec une croissance annuelle de 50 %, et dépassera 40 milliards en 2028. La part de marché chinoise dans le monde des dispositifs SiC est passée de 7,1 % en 2022 à environ 13,4 % en 2024.

Pour les fabricants japonais, la difficulté principale dans la course au SiC n’est pas seulement la montée en puissance chinoise sur le dispositif, mais aussi la contradiction inhérente au modèle vertical intégré dans un contexte de compétition accrue.

Les entreprises japonaises, fières du modèle IDM (fabrication intégrée verticale), contrôlent toute la chaîne, du substrat à l’emballage. Ce modèle, autrefois un avantage stratégique en raison de ses barrières technologiques élevées et de la faible concurrence, devient aujourd’hui un fardeau face à la montée en puissance de la spécialisation et des coûts faibles des acteurs chinois, qui attaquent simultanément les deux extrémités : substrats et dispositifs.

Par exemple, dans le cas de ROHM, la perte nette prévue pour 2025 est de 50 milliards de yens, dont 30 milliards liés à la dépréciation des équipements — conséquence d’une surcapacité suite à une expansion excessive, puis à un ralentissement de la demande. La capacité d’utilisation est tombée en dessous de 30 %, ce qui aggrave le coût fixe par wafer, rendant la rentabilité encore plus difficile.

Les blessures internes : fragmentation et coopération factice

Les pressions extérieures sont fortes, mais la véritable faiblesse japonaise réside dans une fragmentation interne extrême. Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Toshiba, ROHM, DENSO — cinq géants aux stratégies différentes, ne détiennent pas plus de 5 % de parts de marché chacun, tout en se percevant mutuellement comme des concurrents. Leur volonté de coopération est forte en paroles, mais en pratique, elle est très limitée.

L’exemple de ROHM et Toshiba illustre bien cette situation. En 2023, ROHM a investi 300 milliards de yens dans la privatisation de Toshiba, ce qui a été perçu comme une étape vers une alliance complémentaire : la technologie de puces pour véhicules électriques de ROHM, combinée à l’expérience de Toshiba dans les composants industriels, pourrait former un tandem capable de rivaliser avec les géants européens.

Les deux ont lancé une production conjointe et annoncé en 2024 une coopération approfondie en R&D, ventes et achats. Mais deux ans plus tard, cette coopération est toujours au point mort, et des sources indiquent que ROHM a abandonné en privé tout effort de collaboration au-delà de la production conjointe.

Les raisons sont simples, mais difficiles à résoudre. Un employé expérimenté d’un grand fabricant japonais explique que la survie de l’entreprise dépend fortement de sa capacité à répondre aux besoins spécifiques des clients, et que la protection des technologies propriétaires est presque instinctive. Même envers ses clients, la prudence est de mise, alors face à la concurrence, c’est encore plus difficile.

Le manque de confiance constitue la première barrière à une intégration profonde. La seconde est l’absence d’un leader clair : toutes les entreprises ont des parts de marché proches, avec des avantages différents, et aucune ne veut faire le premier pas pour céder. Selon des experts, au Japon, personne n’est prêt à admettre qu’il est celui qui sera racheté.

Ce combat individuel, où chacun préfère être le chef plutôt que le suiveur, n’est pas spécifique aux semi-conducteurs de puissance. On se souvient notamment de l’échec de la tentative de fusion entre Honda et Nissan, qui s’est soldée par un échec après quelques mois, face à la vague d’électrification. Les deux géants avaient voulu créer le troisième plus grand constructeur mondial, mais les désaccords sur le contrôle, la valorisation et la gouvernance ont rapidement fait échouer le projet, qui a été abandonné pour une coopération plus lâche.

Un autre point à noter est la signature d’un protocole d’accord entre Toshiba et Tianyu Advanced pour la fourniture de wafers, qui a rendu la relation entre ROHM et Toshiba plus complexe — même si Toshiba a ensuite abandonné cette coopération. Cela montre que chaque entreprise poursuit ses propres stratégies, et que l’alliance japonaise dans le secteur des semi-conducteurs reste plus une vision politique qu’une réalité opérationnelle.

Par ailleurs, le cycle du marché s’est fortement dégradé en 2024-2025, réduisant encore la volonté et la capacité des entreprises à se restructurer. ROHM a enregistré en 2025 une perte nette de 50 milliards de yens, sa première en 12 ans, et son plan d’expansion du SiC, initialement de 280 milliards de yens sur trois ans, a été réduit à 150 milliards, avec une baisse de 36 % des investissements.

Renesas Electronics a connu une situation encore plus critique : elle avait versé 2 milliards de dollars d’acompte à Wolfspeed pour sécuriser ses approvisionnements en wafers SiC, mais Wolfspeed a fait faillite, entraînant une perte record de 175,3 milliards de yens au premier semestre 2025.

Quant à Mitsubishi Electric, elle a reporté indéfiniment l’extension de son usine de wafers SiC à Kumamoto, et son ambitieux plan d’investissement de 300 milliards de yens sur cinq ans a été fortement réduit.

L’audace d’EPCO : une acquisition stratégique ou une prise de risque ?

Dans ce contexte, la proposition d’acquisition de ROHM par DENSO a brisé le silence. Après la signature d’un accord de principe en mai 2025, puis une augmentation de participation à environ 5 % en juillet, et enfin une offre publique d’achat en février 2026, DENSO ne semble pas considérer ROHM comme une simple cible financière, mais comme un levier stratégique pour sa transition vers un fournisseur de systèmes et de semi-conducteurs.

Pour comprendre la motivation de DENSO, il faut regarder du côté du groupe Toyota. Le président de DENSO, Shinjiro Shin, a annoncé lors du salon japonais de la mobilité en 2025 que l’entreprise lancerait d’ici 2029 un nouveau calculateur de bord intégrant des semi-conducteurs haute performance conçus pour résister à des environnements extrêmes. La sous-entendue est que DENSO ne veut plus rester un simple assembleur de pièces, mais veut maîtriser toute la chaîne, de la conception à la fabrication, pour devenir un pilier clé de la stratégie électrique de Toyota.

ROHM est le candidat idéal pour réaliser cette ambition. En étant l’un des rares fabricants à avoir intégré verticalement la fabrication de dispositifs en SiC, avec une part de marché d’environ 14 % pour le SiC, il détient la technologie clé des MOSFET SiC pour les onduleurs de VE. En intégrant ROHM, DENSO pourrait combler ses lacunes en puces logiques et analogiques, construire une chaîne d’approvisionnement complète, et se prémunir contre des ruptures comme la faillite de Wolfspeed.

Mais le marché réagit différemment. Dès l’annonce, le titre DENSO a chuté de près de 5,6 %, et les investisseurs expriment leurs doutes : la reprise d’une entreprise en perte depuis 12 ans, avec une faible utilisation des capacités, est-elle une opération réaliste ? La structure client de ROHM, qui sert principalement plusieurs fournisseurs automobiles de premier rang, constitue aussi un risque : si ROHM rejoint DENSO, d’autres fournisseurs pourraient se tourner vers des alternatives non concurrentes, ce qui pourrait entraîner une perte de clients.

Une réaction en chaîne plus complexe concerne la gestion de la relation entre DENSO, ROHM, Fuji Electric et Toshiba. La valeur de 1,3 trillion de yens soulève de nombreux enjeux de compromis.

SiC et GaN : la guerre de troisième génération

L’acquisition de ROHM par DENSO est en réalité une nouvelle étape dans la bataille de la troisième génération de semi-conducteurs. Mais il faut noter que le carbure de silicium n’est pas la seule ligne de front face à la Chine : le nitrure de gallium (GaN) joue aussi un rôle clé.

Les logiques de compétition entre SiC et GaN diffèrent. Le GaN, adapté aux tensions inférieures à 1000 V, concurrence le SiC dans les applications de chargeurs de véhicules électriques, onduleurs embarqués, etc. La technologie GaN permet d’obtenir des dispositifs environ trois fois plus petits pour des performances équivalentes, ce qui, dans un contexte de baisse continue des coûts, confère à ces composants un avantage prix important.

En Chine, la montée en puissance de InnoGaN, filiale de InnoLight, est particulièrement remarquable. La société a réussi à lancer la production en série de wafers GaN de 8 pouces, une étape considérée comme cruciale, et est devenue le premier fabricant IDM à produire à cette échelle. Fin 2024, sa capacité mensuelle atteindra 13 000 wafers, avec un objectif de 70 000 en cinq ans. Elle couvre toute la gamme de tension de 15 V à 1200 V, pour des applications allant de la recharge rapide à l’alimentation de centres de données, véhicules électriques ou Lidar.

Pourquoi la Chine a-t-elle pris du retard dans le GaN ? La réponse remonte à 2015-2018, lorsque les fabricants japonais ont concentré leurs efforts sur l’expansion du SiC et la préservation de leur avantage dans l’IGBT et les MOSFET à superjonction. À cette époque, le GaN était principalement utilisé dans la recharge rapide (faible puissance, faible valeur) et les stations de base radio, ce qui ne correspondait pas à la stratégie japonaise centrée sur l’automobile et l’industrie haut de gamme.

Ce choix semblait alors judicieux, mais le marché a rapidement évolué. La pénétration du GaN dans la recharge rapide a dépassé 65 %, puis s’est étendue aux alimentations de centres de données, aux chargeurs embarqués, aux Lidar, et même aux infrastructures d’IA. En 2025, Nvidia a annoncé intégrer des composants GaN dans ses systèmes d’alimentation en courant continu 800 V, avec des partenaires comme InnoGaN, Infineon, Texas Instruments ou Navitas, marquant la transition du GaN du marché grand public à celui des infrastructures de calcul.

Les fabricants japonais ont pris du retard, notamment Sumitomo Chemical, qui investit dans le développement de wafers GaN, mais à un rythme et une échelle encore inférieurs à InnoGaN ; ROHM, qui a déjà lancé des produits, mais avec une gamme limitée ; Mitsubishi Chemical, qui prévoit de produire en masse des dispositifs GaN à un coût inférieur de dix fois à celui des méthodes traditionnelles, mais la production en série reste à venir.

Plus important encore, la compétition dans le secteur GaN ne se limite pas à la technologie : la couverture du marché, la fidélisation des clients et la taille des acteurs seront déterminants pour dominer la prochaine explosion d’applications GaN. Sur ces trois dimensions, InnoGaN et ses concurrents ont déjà pris une avance considérable, rendant difficile pour les entreprises japonaises de les rattraper par un seul produit.

D’un point de vue macro, la position du Japon dans la troisième génération de semi-conducteurs est la suivante : la technologie des puces en silicium est en avance d’environ 1 à 2 ans sur la Chine, le SiC de 3 ans, mais le GaN a déjà pris 2 à 3 ans de retard. Ces écarts, qui semblaient importants il y a quelques années, paraissent aujourd’hui fragiles face à la vitesse de rattrapage chinoise. Selon des experts, le Japon n’a plus beaucoup de temps pour former une alliance unifiée face à la concurrence chinoise : l’intégration n’est plus une option, mais une nécessité.

Les semi-conducteurs de quatrième génération : le dernier atout japonais ou le début d’un nouveau champ de bataille ?

Mais si l’on considère l’histoire du Japon comme une simple descente aux enfers, c’est une vision trop simpliste. Alors que le Japon perd du terrain dans la troisième génération, il prépare discrètement le terrain pour la quatrième.

Les semi-conducteurs de quatrième génération incluent l’oxyde de gallium (Ga₂O₃), le diamant, l’aluminium nitride (AlN), ainsi que des matériaux à bande ultra-narrow comme le gallium antimonide (GaSb) ou l’indium antimonide (InSb). Leur caractéristique commune : des performances extrêmes sous des conditions extrêmes. Par exemple, l’oxyde de gallium possède une tension de claquage trois fois supérieure à celle du SiC, et une conductivité environ dix fois plus élevée ; le diamant, quant à lui, est le meilleur conducteur thermique connu, avec un coefficient 13 fois supérieur à celui du silicium, et pourrait devenir le matériau ultime pour la gestion de puissance.

La technologie japonaise dans ces domaines est déjà avancée. Pour l’oxyde de gallium, Novel Crystal Technology, fondée en 2012, a déjà produit des substrats de 2 et 4 pouces en série, avec une capacité prévue de 20 000 wafers par an d’ici 2025 ; Flosfia a développé une diode Schottky en oxyde de gallium utilisant une technique de dépôt par pulvérisation, déjà en test chez DENSO. Selon Fuji Economic, le marché mondial des dispositifs en oxyde de gallium atteindra 1,5 milliard de dollars en 2030, soit 40 % du marché du SiC.

Le diamant, quant à lui, reste une exclusivité japonaise. Des équipes de l’Université de Waseda ont développé des dispositifs capables de supporter plus de 6,8 A, et une startup, Power Diamond Systems, prévoit de commercialiser des échantillons dans quelques années. Une autre société, Ookuma Diamond Device, incubée par l’Université de Hokkaido, construit une usine dans le Fukushima pour produire en masse, notamment pour des robots de décontamination nucléaire, où la résistance aux radiations du diamant est un atout précieux. En avril 2025, l’Institut national des matériaux du Japon (NIMS) a également annoncé avoir développé le premier MOSFET en diamant à canal n, étape clé pour l’intégration CMOS en diamant.

Il faut aussi mentionner la coentreprise MIRISE Technologies, créée par Toyota et DENSO, qui a lancé en 2023 un projet de trois ans avec Orbray pour développer des dispositifs en diamant vertical pour véhicules électriques. Si DENSO réussit à acquérir ROHM, elle détiendra alors une technologie complète, du SiC au diamant, couvrant la troisième et la quatrième génération, ce qui pourrait constituer une stratégie à long terme derrière cette offre de 1,3 trillion de yens.

Mais la position de leader du Japon dans la quatrième génération est déjà contestée par la Chine. En mars 2025, Hangzhou GaNsemiconductor a annoncé la production mondiale du premier wafer en oxyde de gallium de 8 pouces, établissant un nouveau record et marquant l’entrée de la Chine dans cette nouvelle ère ; l’Université de Xi’an a réalisé la fabrication en série de substrats en diamant hétéroépitaxiaux de 2 pouces, après dix ans de recherche, et a reçu en 2024 la récompense pour la meilleure avancée technologique dans le domaine. La Chinese Academy of Sciences a aussi réalisé une avancée dans la fabrication de films minces de diamant autoportants de 4 pouces, réduisant considérablement la déformation, ce qui facilite l’intégration des puces en diamant.

Les écarts se réduisent, mais restent encore importants. Tianyu Advanced investit dans la croissance de cristaux de diamant MPCVD, et des entreprises comme Huanghe Whirlwind ou autres entrent rapidement dans cette course. Il est encore trop tôt pour affirmer que la Chine pourra reproduire dans la quatrième génération ce qu’elle a déjà accompli dans le domaine du SiC, mais il est clair que les entreprises japonaises ne peuvent plus se permettre de dormir sur leurs lauriers.

De la perte de la logique des puces à la crise des semi-conducteurs de puissance

La situation actuelle des semi-conducteurs de puissance japonais évoque une défaite plus ancienne, celle des années 1990. À la fin des années 1990, lorsque l’industrie des puces s’est tournée vers la spécialisation, TSMC a émergé comme leader mondial de la sous-traitance, tandis que Fujitsu, NEC, Hitachi, etc., ont été contraints de quitter la compétition pour les puces logiques avancées — une hémorragie majeure pour l’histoire japonaise des semi-conducteurs.

Les similitudes sont inquiétantes : autrefois, c’était un changement de modèle commercial ; aujourd’hui, c’est une double pression de guerre des prix et de compétition par l’échelle. La TSMC a redéfini la division du travail, et la Chine, avec ses coûts et sa vitesse, reconfigure la configuration du secteur des semi-conducteurs de puissance. À chaque étape critique, le défi japonais reste le même : comment achever l’intégration industrielle avant que son avantage technologique ne s’érode, comment rassembler dans une culture d’entreprise fragmentée une force unifiée.

Mais la différence est que, contrairement aux puces logiques, les semi-conducteurs de puissance disposent encore de barrières technologiques réelles, notamment dans les modules IGBT haut de gamme, la certification pour l’automobile, ou les matériaux avancés. Mitsubishi Electric et Fuji Electric, avec leur expérience dans le ferroviaire ou la variabilité industrielle, ne peuvent pas être balayés en un jour. C’est cette force qui justifie la pertinence de fusions et acquisitions, et leur potentiel de maintien.

Conclusion : l’acquisition n’est qu’un début, pas une fin

Si DENSO parvient à intégrer ROHM, elle deviendra le premier véritable géant japonais de la puissance, avec une intégration verticale complète, capable de rivaliser avec la Chine.

Les négociations entre Mitsubishi Electric et Toshiba illustrent une autre voie de restructuration, dont la réussite ou l’échec dépendra de la capacité à maintenir une cohésion à long terme face à la concurrence chinoise et européenne.

Au-delà de ces enjeux de la troisième génération, la course pour la quatrième génération de semi-conducteurs s’accélère discrètement. Les matériaux comme l’oxyde de gallium ou le diamant, encore loin de la commercialisation massive, offrent dans cette période d’émergence une opportunité unique pour ceux qui ont déjà accumulé des avancées technologiques. La question est de savoir si le Japon pourra, grâce à ses efforts de restructuration, prendre une avance de quelques pas dans cette nouvelle bataille.

L’industrie japonaise des semi-conducteurs de puissance, autrefois tombée de son piédestal, se trouve aujourd’hui à un carrefour critique. La fusion et l’acquisition ne sont pas une victoire, mais une réponse à la pression ; l’intégration est nécessaire, mais pas suffisante.

Le temps pour le Japon est compté — ce n’est pas seulement un avertissement, c’est un compte à rebours déjà lancé.

Source : Observatoire de l’industrie des semi-conducteurs