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Samsung está ampliando su colaboración con NVIDIA, cuyo Rubin CMX se parece en tamaño a la de Apple en cuanto a necesidades de almacenamiento

MeNews
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Generación de resúmenes en curso
ME News, 20 de julio (UTC+8). Según el analista Jukan de Citrini, Samsung está ampliando la alianza de memoria flash NAND con Nvidia: además del DRAM, HBM y la cooperación de fabricación existentes, incrementará el suministro de V9, iniciará la producción en masa y el envío de V10, y acelerará el desarrollo del nivel V11 de 500 capas. Impulsado por el aumento de la demanda de la caché KV de los servidores de IA y del sistema de almacenamiento Nvidia CMX (incluye 576 SSD, con una capacidad de 9600TB), Samsung está desviando rápidamente su capacidad de V-NAND hacia V9 como principal, y planea aumentar sustancialmente la producción. “El Rubin CMX de Nvidia realmente absorberá la oferta de NAND como una esponja absorbe el agua. Como comparación intuitiva, viene a equivaler a añadir, en el mercado NAND, una nueva fuente de demanda del tamaño de Apple”. Además, Samsung ha empezado a adoptar innovaciones en materiales de molibdeno en V10 para mejorar la densidad; el vicepresidente Lee Jae-yong se reunirá próximamente con Jensen Huang para discutir la profundización del suministro de HBM y NAND y la cooperación con centros de datos en Corea del Sur. (Fuente: BlockBeats)
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