La tasa de rendimiento de Samsung HBM4E supera el 70%, y el desarrollo de la séptima generación de memoria para IA entra en una fase estable.

金色财经报道，7月1日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS(器件解决方案)部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺(D1d)在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证(PRA)。

Traducción:

Según informes de Golden Finance, el 1 de julio, el director de tecnología (CTO) de Samsung Electronics y director del Instituto de Investigación de Semiconductores declaró en una reunión interna de gestión del negocio de la división DS (Soluciones de Dispositivos) que la tasa de rendimiento de las pruebas de fiabilidad de HBM4E ha superado el 70%. En la industria, generalmente se considera que una tasa superior al 80% es el umbral de "rendimiento maduro" para un proceso estable, mientras que HBM4E aún se encuentra en la etapa de pruebas de fiabilidad. Un nivel superior al 70% se considera indicativo de que el proceso de desarrollo ha entrado oficialmente en una fase estable. Al mismo tiempo, en la misma ocasión, reveló que el proceso de séptima generación de DRAM de 10 nanómetros (D1d) ya ha obtenido una ventaja competitiva sobre sus rivales en términos de competitividad tecnológica, y planea completar la certificación de preparación para la producción (PRA) en noviembre de este año.