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SK Hynix comenzará la producción en masa de NAND de 375 capas para fin de año, reemplazando el tungsteno por molibdeno, lo que se espera que ayude a mejorar el rendimiento

2026-06-11 14:51:32

Golden Finance reports that on June 11th, according to the Korean tech media "THEELEC," SK Hynix has completed production verification of the next-generation V10 series 375-layer 3D NAND flash memory, and is advancing the production line transition, aiming to achieve large-scale mass production through upgrades to existing factories by 2026, challenging Samsung Electronics' leading position in ultra-high stacking technology. The biggest highlight of this technological iteration is the material innovation in the metal wiring layer, replacing some word lines from traditional tungsten to molybdenum. As 3D NAND advances beyond 600 layers, molybdenum material is expected to become a core key in the era of ultra-high stacking.

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