Casi 400 millones de yuanes diarios, de una pérdida de 36.6 mil millones a la cuarta posición mundial, relanzamiento de la OPI de Changxin Technology

El 17 de mayo, Changxin Technology actualizó su folleto de oferta pública inicial en el mercado de innovación científica y tecnológica, reanudando la revisión para su cotización.

Los datos más destacados del folleto son las ganancias netas de 33,012 millones de yuanes en el primer trimestre de 2026, lo que equivale a aproximadamente 4 mil millones de yuanes diarios.

La ganancia neta atribuible a los accionistas en un solo trimestre ya es aproximadamente 13 veces la ganancia neta total atribuible a los accionistas en todo 2025, que fue de 1,875 millones de yuanes.

El espacio de mercado general dejado por los tres grandes gigantes

La DRAM es la categoría más dominante en los chips de almacenamiento, y también el campo con la mayor subida de precios en esta ronda. Según datos de TrendForce, en el primer trimestre de 2026, el precio de contrato de la DRAM se revisó al alza en un rango del 93% al 98%, impulsado por la memoria de alta ancho de banda HBM.

La rápida expansión de la infraestructura de IA ha impulsado la demanda de DRAM en una sola máquina de servidores AI estándar a alcanzar entre 8 y 10 veces la de un servidor normal, y en particular, para HBM, que está orientada a tarjetas aceleradoras de IA, la tasa de crecimiento de la demanda es mucho mayor que la de la DRAM general.

Samsung, SK Hynix y Micron, los tres principales gigantes del mercado global de DRAM, han trasladado gran parte de su capacidad de producción de nodos avanzados desde la DRAM general a HBM. HBM, en esencia, también es una pila de DRAM, pero con procesos más avanzados y márgenes de ganancia más altos, con SK Hynix alcanzando una tasa de beneficio operativo del 72%.

El costo directo de este cambio de capacidad ha sido una grave escasez de suministro de DRAM general como DDR4 y DDR5.

El Centro de Monitoreo de Precios del Ministerio de Desarrollo y Reforma de China publicó en febrero que, desde septiembre de 2025 hasta febrero de 2026, la brecha en el mercado mundial de memorias continúa ampliándose, y en enero de este año, el precio de la DRAM alcanzó su nivel más alto desde 2016, cuando hay datos disponibles.

Lo clave es que la conversión de líneas de producción de HBM lleva mucho tiempo, y en 2025, los tres gigantes ya habían asegurado casi toda su capacidad en nodos avanzados para HBM, y en 2026, la capacidad de HBM se agotó anticipadamente, sin posibilidad de revertir en el corto plazo. Se espera que en el segundo trimestre, el precio de contrato de la DRAM siga subiendo entre un 58% y un 60% respecto al trimestre anterior.

La principal fuente de beneficios de Changxin Technology son sus productos de DRAM general, ya que no tiene negocio en HBM. La explosión de beneficios en esta ronda proviene de que los tres gigantes han cedido voluntariamente espacio en el mercado general para perseguir los altos márgenes de HBM.

Capacidad de producción, cuarta a nivel mundial

En medio de esta subida de precios, Changxin Technology ha logrado un crecimiento en su rendimiento gracias a condiciones clave: capacidad casi plena, cobertura de las principales especificaciones de productos y clientes principalmente de los principales proveedores de servicios en la nube nacionales.

Actualmente, la compañía tiene tres fábricas de obleas de DRAM de 12 pulgadas en Hefei y Beijing, con la cuarta mayor capacidad a nivel mundial y la primera en China. Según el folleto, la tasa de utilización de la capacidad aumentó del 87.06% en 2023 al 95.73% en 2025, acercándose a la plena capacidad.

En 2025, los ingresos principales provinieron en un 31.87% de la serie DDR, con DDR5 como principal motor de crecimiento, y en un 66.43% de la serie LPDDR, principalmente LPDDR5/5X.

El margen bruto de la serie DDR en 2025 fue del 41.89%, y el de la serie LPDDR del 37.25%, con un margen bruto total del 41.02%. Comparado con el margen negativo del 108.76% en 2023, la fuerza del aumento de precios es evidente.

De 2023 a 2025, los ingresos operativos de la compañía fueron de 9,087 millones, 24,178 millones y 61,799 millones de yuanes, respectivamente, con una tasa de crecimiento compuesta del 160.78%. La guía de rendimiento para la primera mitad de 2026 es de ingresos entre 1100 y 1200 millones de millones de yuanes, y beneficios netos atribuibles a los accionistas entre 50 y 57 mil millones de yuanes.

Según las ventas de DRAM en el cuarto trimestre de 2025, la participación de mercado global de Changxin fue del 7.67%. Los tres gigantes principales controlan más del 90% del mercado mundial, con Samsung en un 36.6%, SK Hynix en un 32.9% y Micron en un 22.9%.

En el primer trimestre de 2026, la ganancia neta atribuible a los accionistas fue de 24,762 millones de yuanes, situándose solo por detrás de Samsung con aproximadamente 215 mil millones de yuanes, SK Hynix con aproximadamente 183.7 mil millones y Micron con aproximadamente 93.9 mil millones.

Elasticidad de beneficios impulsada por precios

La actual explosión de beneficios proviene principalmente de los precios del sector, no de una optimización fundamental de la estructura de costos.

La DRAM es un sector típico de ciclo de activos intensivos, con costos fijos extremadamente altos, siendo el principal la depreciación de equipos. El folleto indica que en 2025, la depreciación y amortización alcanzó los 24,680 millones de yuanes, 2.3 veces más que en 2023.

Entre 2023 y 2025, el gasto de capital fue de 43,700 millones, 71,200 millones y 49,700 millones de yuanes, respectivamente. A finales de 2025, las pérdidas acumuladas alcanzaron los 36,65 mil millones de yuanes, principalmente debido a la alta depreciación durante la fase de construcción a gran escala en etapas tempranas.

Una característica inherente a las industrias de ciclo de activos pesados es que, cuando los precios son altos, después de cubrir los costos fijos, casi toda la ganancia adicional se convierte en beneficio neto, con un apalancamiento muy alto; cuando los precios bajan, los beneficios desaparecen a la misma velocidad, porque los costos fijos no disminuyen con los precios.

Cada ciclo de sobrecapacidad de los tres gigantes ha llevado a pérdidas enormes en toda la industria. El período de pérdidas de Changxin Technology de 2022 a 2024 refleja directamente el ciclo bajista anterior.

Se predice que el ciclo actual de auge continuará hasta mediados de 2027, basado en que la conversión de producción a HBM sigue ejerciendo una presión estructural sobre la DRAM general, y que los tres gigantes mantienen una alta moderación en la expansión de capacidad de DRAM general.

Pero después de 2027, si la demanda de servidores AI se desacelera o si los tres gigantes ajustan sus estrategias de capacidad, el equilibrio entre oferta y demanda podría romperse nuevamente en cualquier momento.

Expansión y posicionamiento tecnológico durante el ciclo

La elección del momento para reiniciar esta oferta pública tiene una lógica clara: el ciclo de auge aún continúa, la compañía tiene flujo de caja suficiente y la ventana de valoración en el mercado de capitales está abierta.

Planea recaudar 29.5 mil millones de yuanes, la segunda mayor financiación en la historia del mercado de innovación científica y tecnológica, destinando los fondos a la actualización tecnológica de líneas de producción de obleas de memorias, 7.5 mil millones; actualización tecnológica de memorias DRAM, 13 mil millones; y desarrollo de tecnologías avanzadas, 9 mil millones, con un enfoque central en ampliar capacidad, mejorar procesos y promover la investigación en HBM.

Actualmente, el proceso de producción en masa utiliza la tecnología de nodo de 16 nm, y en ausencia de máquinas de litografía EUV, la actualización del proceso sigue siendo una restricción clave, con una brecha respecto a Samsung y SK Hynix en nodos inferiores a 12 nm.

El aumento en la producción de DDR5 es resultado de la iteración del proceso, y en el segundo trimestre de 2026, la participación global de DDR5 de Changxin alcanzó el 3.97%. HBM es la línea de productos con mayor brecha respecto a los gigantes internacionales y también la de mayor margen de beneficio. Samsung y SK Hynix ya están en producción en masa, y Micron está siguiendo su ejemplo.

Actualmente, Changxin concentra su producción en las series DDR4, DDR5 y LPDDR, y ha entregado muestras de HBM3 a clientes nacionales como Huawei, pero la producción en masa está prevista para finales de 2026 en la fábrica de empaquetado en Shanghái, con un retraso de aproximadamente 2 a 3 generaciones respecto a la vanguardia del sector.

TrendForce predice que, para 2027, la participación de HBM en los ingresos totales de DRAM a nivel mundial aumentará del 12% en 2024 a más del 35%. Las empresas que no puedan producir HBM verán reducir su cuota en un mercado de alto crecimiento.

Esto también explica por qué en la recaudación hay 9 mil millones de yuanes destinados específicamente a la investigación y desarrollo de tecnologías avanzadas. Convertir la financiación del mercado en inversiones en actualización tecnológica durante el ciclo de auge es una de las principales lógicas para reiniciar esta oferta pública en este momento.

De beneficiarios del ciclo a competidores globales

Actualmente, la industria todavía está en ciclo de auge, con capacidad plena en Changxin y precios elevados, lo que mantendrá los beneficios. Después de que la capacidad de inversión se implemente, este será también el período más vulnerable a riesgos de caída del ciclo.

Omdia predice que para 2030, el tamaño del mercado global de DRAM alcanzará los 571 mil millones de dólares, con una tasa de crecimiento anual compuesta del 30.56%, y que el mercado seguirá expandiéndose, intensificando la competencia.

La DRAM general es un mercado maduro, mientras que HBM y las memorias de alta gama para centros de datos de IA representan los segmentos de mayor valor añadido. La capacidad de Changxin para lograr una producción en masa de HBM3/3E antes de 2028 será un factor clave para determinar su posición competitiva a largo plazo.

El mercado global de DRAM ha sido monopolizado por tres empresas extranjeras durante más de treinta años. La estabilidad de este esquema no se debe a problemas tecnológicos, sino a que la DRAM requiere una escala de fondos, acumulación en procesos y profundidad en la cadena de suministro extremadamente altas.

Desde que se estableció en Hefei en 2016, la inversión estatal en Hefei, a través de entidades como Hefei Urban Construction, ha sido una de las principales participaciones industriales continuas desde la fundación de la compañía; y hoy, con una posición en cuarto lugar a nivel mundial y beneficios trimestrales entre los primeros cuatro, estos cambios no son fáciles.

Los beneficios a corto plazo provienen del ciclo, pero la capacidad y las habilidades tecnológicas que sustentan estos beneficios han sido resultado de inversiones continuas durante la última década.

Para la industria de almacenamiento en China, ingresar en el sistema de competencia global es solo el primer paso; seguir avanzando en almacenamiento de alta gama será lo que determine cuánto puede avanzar en el futuro.

Esta oferta pública no solo es una recaudación de fondos, sino también un paso importante para que Changxin Technology avance hacia la siguiente etapa de competencia.