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一、此轮连续回调的核心驱动因素
1. 多重短期利空集中冲击
闪迪、美光等龙头连续7个交易日中6天下跌,导火索是韩国市场假日补跌、400亿美元巨头回购计划提前终止,叠加长鑫4F²架构技术突破引发长期供给担忧。
2. 前期高位获利资金集中兑现
板块前期涨幅过大,闪迪从52周高点2354美元持续回落,叠加AI存储需求预期阶段性降温,资金在高位集中抛售锁定收益。
3. 市场提前交易远期供需逆转
投资者已将目光投向2027-2028年,担忧届时中国存储产能扩张与韩国新晶圆厂同步投产,打破当前供不应求的格局。
二、后期走势的分阶段判断
1. 短期1-2周:情绪释放仍有惯性
韩国KOSPI指数已紧贴200日均线支撑,外资连续5日净卖出,短期板块大概率延续震荡寻底走势,不排除进一步下探的可能。
2. 中期3-6个月:基本面仍有支撑
TrendForce预计DRAM供不应求格局至少延续至2027年,HBM因AI服务器需求强劲持续供给紧张,存储价格上涨的持续性强于传统周期。
3. 长期1-2年:格局分化加剧
具备核心颗粒研发能力、切入AI高附加值赛道的厂商,将在行业洗牌中走出独立行情,纯模组类标的盈利弹性会随周期波动收窄。
三、后续关键观察指标
1. 现货价格走势
重点跟踪DRAM、NAND现货报价的月度变化,若涨价趋势延续,将快速修复当前的估值悲观情绪。
2. 大厂资本开支计划
关注三星、SK海力士后续的扩产节奏,若原厂主动控产,将延缓远期供需逆转的时间点。
3. 国产替代落地进度
长鑫4F²架构DDR5产品年底的实际交付情况,将直接决定市场对供给格局的预期修正方向。$SNDK