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SK 海力士位于 1,189：AI 内存涨势准备再创新高吗？

SK 海力士目前在 1,189 附近交易，而更大的图景依然值得关注，因为这不再只是半导体交易——它正逐渐成为直接的 AI 基础设施交易。

该公司的最新基本面依然极其强劲。SK hynix 报告称，2026 年第二季度营收创下 79.32 万亿韩元的纪录，营业利润达到 60.54 万亿韩元，受益于强劲的 HBM、DRAM 和 NAND 需求。

该公司还强调了 HBM4 的进展，以及与约 10 家客户达成的长期协议。

宏观故事同样具有支撑作用。韩国 8 月出口同比飙升 68.7%，半导体出口达到创纪录的 466.5 亿美元，因为 AI 相关内存需求依然极其强劲。

SK hynix 还宣布将在印第安纳州投资 40 亿美元，用于先进 HBM4E 封装，并预计强劲的内存需求将持续至 2030 年。

从市场角度来看，1,189 是一个重要的决策区域。如果买方继续守住 1,170–1,180 区域，第一目标是向 1,220 移动。

如果能干净利落地突破 1,220，价格可能进一步打开通往 1,250、随后是 1,280 的空间。如果动能非常强劲，且更广泛的 AI 半导体行业继续看涨，1,300–1,330 将成为可能的延伸目标区间。

我的关键阻力位是 1,220、1,250 和 1,280。突破 1,280 后，心理关口 1,300 将成为下一个值得关注的重要区域。

持续突破 1,300 将显著改善中期技术结构，并可能吸引更多动量交易者。

下行方面，我的主要支撑位是 1,170、1,145 和 1,110。1,170 区域是第一道防线。如果价格坚决失守 1,170，我会变得更加谨慎，并预计可能测试 1,145。跌破 1,110 将显著削弱看涨格局，并可能意味着该股需要更深度的调整后才能再次尝试上行。

交易策略：
激进策略是仅在价格守住 1,170 的情况下累积仓位，同时控制仓位规模，因为 1,189 已经接近第一阻力区。更稳妥的策略是等待确认突破 1,220，然后寻找成功回踩后再入场。追涨一根大阳线不是我偏好的策略。

SL1：1,155 — 适用于在当前价位附近入场交易者的紧止损方案。

SL2：1,125 — 位于更深支撑区下方的更宽幅波段交易保护位。

SL3：1,095 — 更广泛看涨格局的失效位。

TP1：1,220 — 第一阻力位和部分止盈区域。

TP2：1,250 — 第二上行目标。

TP3：1,280–1,300 — 主要看涨目标区间。

我偏好的计划很简单：不要追涨。如果 SK Hynix 守住 1,170，并在强劲成交量配合下收复 1,220，看涨延续情景将明显增强。在这种情况下，我会先关注 1,250，随后是 1,280，并有望达到 1,300+。如果 1,220 反复压制价格，耐心等待胜过强行交易。

目前市场情绪看涨，但并非没有风险。AI 半导体叙事依然强劲，因为 SK hynix 直接处于 HBM 供应链之中。SK hynix 自身将 2026 年描述为内存超级周期环境，其中 HBM3E 仍处于核心地位，而 HBM4 的重要性正日益提升。

Nvidia 的最新展望也进一步强化了更广泛的 AI 支出叙事，并带动 SK 海力士与其他 AI 相关半导体股票一同上涨。

然而，强劲的基本面并不意味着价格能够永远垂直上涨。该股已经展示出其剧烈波动的能力；7 月，在市场担忧盈利预期之后，该股曾遭遇创纪录的单日 15.4% 跌幅。这就是仓位管理和止损纪律极其重要的原因。

我对 1,189 的总体看法：谨慎看涨。

高于 1,220 看涨。高于 1,250 强劲看涨确认。主要上行区域：1,280–1,300。

如果困在 1,170 和 1,220 之间，则为中性。

低于 1,145 发出看跌警告。在 1,095–1,110 附近趋势失效。

更大的机会并不只是预测某一根蜡烛线。真正的交易在于，SK hynix 能否继续将 AI 内存超级周期转化为盈利增长。如果 HBM 需求、定价能力和 AI 基础设施支出保持强劲，该股就具备挑战更高价位的基本面理由。

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