广场
最新
热门
资讯
我的主页
发布
Yusfirah
2026-08-13 16:02:03
关注
#MemoryChipsRally
AI 需求持续让存储芯片股成为焦点
随着 AI 数据中心需求持续推动市场对 HBM、DRAM 和 NAND 的强劲兴趣,存储芯片股重新成为焦点。AI 加速器需要大量高带宽内存,而制造商正大举投资以扩大先进内存产能。
截至 2026 年 8 月 13 日,Micron (MU) 交易价格约为 $956,今日上涨约 4.9%,日内波动区间接近 $906.50–$978。
SK hynix 也展现出强劲动能,其在美国上市的股票价格约为 $136–$137,而在韩国上市的 SK hynix 涨幅约为 5.9%。Samsung Electronics 的交易价格也有所上升,涨幅约为 4.9%。
这些走势显示当前存储芯片涨势已经变得多么强劲,但也凸显了追涨大阳线的风险。
我的交易计划:对于 MU,我会关注 $900–$910 区域,将其视为重要的短期支撑。守住这一位置可能使看涨结构保持完好,而明确跌破则会让我更加谨慎。上行方面,$978–$1,000 是下一个重要的心理关口。
对于 SK hynix,我会观察近期动能在强劲上涨后能否持续。对于 Samsung,韩国半导体行业整体持续走强将支撑更广泛的存储芯片叙事。
基本面逻辑依然强劲:AI 基础设施支出 + HBM 需求 + 存储供应紧张 + 更强的定价能力。
然而,存储行业具有周期性。如果制造商过于激进地扩充产能,或 AI 基础设施支出放缓,供需状况最终可能发生变化并挤压利润率。
因此,我的观点是长期看涨,但会选择性地入场。相比仅仅因为价格上涨就买入,我更倾向于等待放量确认突破,或回调至支撑位附近且走势受控。
当前关注列表:
$MU
: ~$956
$SKHY
: ~$137
Samsung Electronics: ~₩270,000+
AI 需要强大的处理器,但这些处理器同样需要大量内存。这也是为何存储行业仍是 2026 年最值得关注的半导体主题之一。
#HBM
#DRAM
#NAND
MU
-1.45%
SKHY
1.38%
SK海力士
-9.74%
三星电子
-7.82%
查看原文
此页面可能包含第三方内容,仅供参考(非陈述/保证),不应被视为 Gate 认可其观点表述,也不得被视为财务或专业建议。详见
声明
。
4人点赞了这条动态
3517次观看
赞赏
4
评论
1
分享
评论
请输入评论内容
请输入评论内容
评论
暂无评论
热门话题
查看更多
#
Gate事件积分系统上线
28.06万 热度
#
宇树科技上市首日大涨629%
29.27万 热度
#
Gate首发上线茅台等10只A股
21.77万 热度
#
Gate股票观点挑战
353.28万 热度
#
SK海力士史上最大回购
8.91万 热度
置顶
网站地图
#MemoryChipsRally
AI 需求持续让存储芯片股成为焦点
随着 AI 数据中心需求持续推动市场对 HBM、DRAM 和 NAND 的强劲兴趣,存储芯片股重新成为焦点。AI 加速器需要大量高带宽内存,而制造商正大举投资以扩大先进内存产能。
截至 2026 年 8 月 13 日,Micron (MU) 交易价格约为 $956,今日上涨约 4.9%,日内波动区间接近 $906.50–$978。
SK hynix 也展现出强劲动能,其在美国上市的股票价格约为 $136–$137,而在韩国上市的 SK hynix 涨幅约为 5.9%。Samsung Electronics 的交易价格也有所上升,涨幅约为 4.9%。
这些走势显示当前存储芯片涨势已经变得多么强劲,但也凸显了追涨大阳线的风险。
我的交易计划:对于 MU,我会关注 $900–$910 区域,将其视为重要的短期支撑。守住这一位置可能使看涨结构保持完好,而明确跌破则会让我更加谨慎。上行方面,$978–$1,000 是下一个重要的心理关口。
对于 SK hynix,我会观察近期动能在强劲上涨后能否持续。对于 Samsung,韩国半导体行业整体持续走强将支撑更广泛的存储芯片叙事。
基本面逻辑依然强劲:AI 基础设施支出 + HBM 需求 + 存储供应紧张 + 更强的定价能力。
然而,存储行业具有周期性。如果制造商过于激进地扩充产能,或 AI 基础设施支出放缓,供需状况最终可能发生变化并挤压利润率。
因此,我的观点是长期看涨,但会选择性地入场。相比仅仅因为价格上涨就买入,我更倾向于等待放量确认突破,或回调至支撑位附近且走势受控。
当前关注列表:
$MU: ~$956
$SKHY: ~$137
Samsung Electronics: ~₩270,000+
AI 需要强大的处理器,但这些处理器同样需要大量内存。这也是为何存储行业仍是 2026 年最值得关注的半导体主题之一。
#HBM #DRAM #NAND