长鑫存儲与长江存儲合计砸下 630 亿人民币擴产，长鑫预计 2026 年底月产能衝上 35 万片，逼近美光同期 37.5 万片的预估产能。为全球 DRAM 与 NAND 供需版圖投下變數。 （前情提要：三星与SK海力士砸2,000兆韓元蓋晶圓廠！豪賭未来10年記憶體，光州成最大贏家） （背景補充：HBM 記憶體已佔 AI 晶片 63%成本，海力士、三星、美光坐收算力定价權）
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中国两大記憶體製造商，雖然因为美国制裁拿不到最先进设備、但又想在 AI 伺服器需求爆发的这一輪吃到份額，於是长鑫存儲聯手长江存儲，擬合计砸下 630 亿人民币的资本支出採購产線。
长鑫存儲面前那道紅線，叫 EUV 曝光机，也就是能在晶圓上刻出更精細电路的高階微影设備，这是美国制裁锁得最死的一環。沒有它，先进製程理論上寸步难行，这也是过去幾年外界一度认定中国記憶體永远追不上国际三大廠的主因。
长鑫存儲的解法很土：改用舊型 DUV 设備，疊加多重曝光技術，簡單来说就是同一片晶圓重複曝光多次，用步骤數換取精細度的土法煉鋼。代价是良率壓力与更高的單片成本，不过換来的卻是它最想要的东西：能出货的产品。
目前这條产線已开始供应主打 AI 需求的 DDR5（8000 MT/s）与 LPDDR5X 記憶體模組，直接切进最缺货的市场。这也解釋了长鑫存儲为何敢在成本偏高的情況下持续擴产：它賭的是需求端願意为供給埋單。而 12 个月就能建成无塵室的效率，正是这套蠻力打法能跑起来的底气，別人还在打地基、跑環評、等交期，长鑫存儲已经在跑机臺良率了，时间差本身就是一種产能優勢。
分析師指出，若计畫如期完成，2026 年底长鑫存儲 DRAM 月产能將逼近 35 万片，对比美光（Micron）同期预估的 37.5 万片，差距不到一成。
NAND 这條戰線同樣沒閒著。长江存儲滿載后的總月产能预估突破 17 万片，这个數字背后，是武漢两座晶圓廠目前约 15 万片的月产能，再加上正在裝机測試、预计 2026 年下半年量产的第三期擴产。
把两條線疊在一起看：DRAM 貼身逼近、NAND 悄悄墊高，中国記憶體雙雄一个聲勢浩大、一个悶头猛幹，切入点不同，但都朝同一个方向收斂，把原本由三星、SK 海力士、美光瓜分的全球儲存晶片份額，試著一片一片挖过来。
这波擴产真正撬动的，是设備供应链。中国半導體设備本土採購率，白話说就是国产设備佔整體採購金額的比例，目前僅约 23.2%，代表超过七成仍靠进口。
但單是长鑫存儲 2026 年的採購，预估就能为本土供应商帶来近 100 亿人民币新业務，先用市场養供应商，再让供应商反过来墊高良率，进口依賴的比例或会逐年被壓低，本土化这條曲線一旦啟动就很难回头。
同时，中国政府正推动长鑫存儲把 DRAM 技術 IP，也就是製程專利与工藝訣竅，转移給福建晉华、昇維旭与长江存儲子公司新芯，短期为緩解国內短缺，长期是为叩关歐盟甚至美国市场预作準備。技術分散到多家廠商，制裁單点打擊的效果就被稀釋。
当然，这盤棋从来不是中国一方在下：三星电子、SK 海力士、美光同步加碼资本支出，SEMI（国际半導體产业協会）预測全球半導體设備市场將从 2024 年的 1,166 亿美元衝上 2027 年的 1,556 亿美元，餅本身也正在變大。
时间拉长点，这波擴产真正的殺傷力不在短期出货量，而在於一旦长鑫存儲把良率与成本壓到可規模化的水準，全球記憶體的定价權就会出现第二个聲音，足以让对手在下一次报价会议上多想一秒，重新盤算庫存与擴产的節奏。
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中国内存双雄合砸 630 亿要扩产，长鑫存储靠“土法炼钢”暴力拉高 DDR5 产能
长鑫存儲与长江存儲合计砸下 630 亿人民币擴产，长鑫预计 2026 年底月产能衝上 35 万片，逼近美光同期 37.5 万片的预估产能。为全球 DRAM 与 NAND 供需版圖投下變數。
（前情提要：三星与SK海力士砸2,000兆韓元蓋晶圓廠！豪賭未来10年記憶體，光州成最大贏家）
（背景補充：HBM 記憶體已佔 AI 晶片 63%成本，海力士、三星、美光坐收算力定价權）
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中国两大記憶體製造商，雖然因为美国制裁拿不到最先进设備、但又想在 AI 伺服器需求爆发的这一輪吃到份額，於是长鑫存儲聯手长江存儲，擬合计砸下 630 亿人民币的资本支出採購产線。
沒有 EUV，就用蠻力繞过
长鑫存儲面前那道紅線，叫 EUV 曝光机，也就是能在晶圓上刻出更精細电路的高階微影设備，这是美国制裁锁得最死的一環。沒有它，先进製程理論上寸步难行，这也是过去幾年外界一度认定中国記憶體永远追不上国际三大廠的主因。
长鑫存儲的解法很土：改用舊型 DUV 设備，疊加多重曝光技術，簡單来说就是同一片晶圓重複曝光多次，用步骤數換取精細度的土法煉鋼。代价是良率壓力与更高的單片成本，不过換来的卻是它最想要的东西：能出货的产品。
目前这條产線已开始供应主打 AI 需求的 DDR5（8000 MT/s）与 LPDDR5X 記憶體模組，直接切进最缺货的市场。这也解釋了长鑫存儲为何敢在成本偏高的情況下持续擴产：它賭的是需求端願意为供給埋單。而 12 个月就能建成无塵室的效率，正是这套蠻力打法能跑起来的底气，別人还在打地基、跑環評、等交期，长鑫存儲已经在跑机臺良率了，时间差本身就是一種产能優勢。
直逼美光的产能算術？
分析師指出，若计畫如期完成，2026 年底长鑫存儲 DRAM 月产能將逼近 35 万片，对比美光（Micron）同期预估的 37.5 万片，差距不到一成。
NAND 这條戰線同樣沒閒著。长江存儲滿載后的總月产能预估突破 17 万片，这个數字背后，是武漢两座晶圓廠目前约 15 万片的月产能，再加上正在裝机測試、预计 2026 年下半年量产的第三期擴产。
把两條線疊在一起看：DRAM 貼身逼近、NAND 悄悄墊高，中国記憶體雙雄一个聲勢浩大、一个悶头猛幹，切入点不同，但都朝同一个方向收斂，把原本由三星、SK 海力士、美光瓜分的全球儲存晶片份額，試著一片一片挖过来。
钱流向哪，格局就往哪偏
这波擴产真正撬动的，是设備供应链。中国半導體设備本土採購率，白話说就是国产设備佔整體採購金額的比例，目前僅约 23.2%，代表超过七成仍靠进口。
但單是长鑫存儲 2026 年的採購，预估就能为本土供应商帶来近 100 亿人民币新业務，先用市场養供应商，再让供应商反过来墊高良率，进口依賴的比例或会逐年被壓低，本土化这條曲線一旦啟动就很难回头。
同时，中国政府正推动长鑫存儲把 DRAM 技術 IP，也就是製程專利与工藝訣竅，转移給福建晉华、昇維旭与长江存儲子公司新芯，短期为緩解国內短缺，长期是为叩关歐盟甚至美国市场预作準備。技術分散到多家廠商，制裁單点打擊的效果就被稀釋。
当然，这盤棋从来不是中国一方在下：三星电子、SK 海力士、美光同步加碼资本支出，SEMI（国际半導體产业協会）预測全球半導體设備市场將从 2024 年的 1,166 亿美元衝上 2027 年的 1,556 亿美元，餅本身也正在變大。
时间拉长点，这波擴产真正的殺傷力不在短期出货量，而在於一旦长鑫存儲把良率与成本壓到可規模化的水準，全球記憶體的定价權就会出现第二个聲音，足以让对手在下一次报价会议上多想一秒，重新盤算庫存与擴产的節奏。