#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我们正在远离由供应短缺引发恐慌而触发的混乱、突发性价格飙升；相反，我们正进入一个结构稳健的、由 AI 驱动的扩张期，预计将持续到 2027 年。
推动这一周期的动力解释了为何尽管消费者需求放缓，市场仍保持韧性。
2026 年第二季度涨价与第三季度放缓：2026 年第二季度对内存制造商而言表现非常强劲；不过，第三季度的放缓表明消费者已触及其购买力的上限。
传统 DRAM：平均上涨 74%；预计增速将放缓至 13%–18% 区间。
服务器 DRAM：+60% 到 +67%；受益于高性能 DDR5 模块；现货价格相较合约价格存在显著溢价。
移动 DRAM：约 80%；出现了急剧的峰值，但手机制造商（OEM）正因成本而调整采购时间表，并缩减配置规模。
NAND 闪存：约 60%（整体合约）；显现出明显的分化。6 月晶圆现货价格下跌 3%–4%，但企业 SSD 和移动存储板块（+70% 到 +80%）仍支撑了市场。
由 AI 驱动的结构性转变：为什么这次不同？
从历史上看，内存周期的特征是“繁荣—崩溃”的模式：供应商累积过剩产能，PC 和智能手机的消费需求下滑，价格跌至谷底。
这一周期正在被两股关键力量从根本上重塑：
长期协议（LTA）：超大规模数据中心运营商和美国一级云服务提供商（CSP）不再仅依赖开放现货市场的采购。他们正在签署 3 到 5 年的合同，其中包含严格的价格底线，以防范经济下行。举例来说，尽管像 SK Hynix 和 Micron 这样的供应商在年初就签署了重大 LTA 以锁定产品配额，三星则采取了更激进的立场，旨在实现更高的价格上限。
产能转移（自我蚕食）：对高带宽内存（HBM）以及先进服务器 DDR5 的旺盛需求意味着制造商正在将实体晶圆产能从传统的 PC 和移动 DRAM 生产转向这些领域。即便消费电子需求走弱，总体供应仍受约束，因为生产设施（晶圆厂）专注于制造高毛利的 AI 芯片。
供应商展望
Bernstein 的观点强调了这一高度多元化、以 AI 为中心的生产战略中的赢家：
三星、SK Hynix 和 Micron（跑赢）：这三家公司是 HBM 和 DDR5 热潮的主要受益者；它们拥有大量已锁定的长期协议（LTA）订单，通过 2027 年前平滑收入曲线。
SanDisk（跑赢）：在企业 SSD 合约中的结构性优势极强，提供较高的价格底线（约 0.29 美元/GB），可使其免受 NAND 晶圆价格小幅波动的影响。
Kioxia（谨慎/落后）：暴露于更易波动的、非 LTA 的通用闪存市场，并且无法像受保护的行业那样隔离来自消费端晶圆板块走弱的冲击。
月度价格飙升的“火箭船”阶段正在结束，但不要误以为这就是牛市的终点。内存定价的结构性基准仍处于较高水平。由于新建产能最终才刚上线，预计要到 2027 年末或 2028 年才会实现完全的常态化。